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[发明专利]具有多电极控制的高压器件-CN201680036699.4有效
发明人： S·R·巴尔;M·D·西曼 -专利权人：德克萨斯仪器股份有限公司
申请日： 2016-06-22 - 公布日： 2021-11-26 - 主分类号： H01L27/098 文献下载
摘要：在所描述的示例中，高压晶体管(HVT)结构(140)使低压晶体管(LVT)(110)适于高压环境。HVT结构(140)包括漏极节点(152)、源极节点(154)、控制栅极(156)和场电极(162、164)。漏极节点(152)和源极节点(154)限定导电沟道(163、165)，其中通过控制栅极(156)调节迁移的电荷。当与控制栅极(156)隔离时，场电极(162、164)被配置为响应于场电压，传播迁移的电荷。场电极(162、164)被构造和布线以防止与漏极节点(152)、源极节点(154)或控制栅极(156)中的任一个共享电荷。有利地，所隔离的场电极(162、164)使控制栅极(156)与漏极节点和源极节点(152、154)的电容最小化，使得HVT(140)可在高压环境中以较小的功率损耗和更健壮的性能进行切换。
具有电极控制高压器件

[发明专利]一种MOSFET栅氧化层电容校准结构-CN201810800725.7有效
发明人：韩晓婧;彭兴伟 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2018-07-20 - 公布日： 2021-08-20 - 主分类号： H01L27/098 文献下载
摘要：本发明提出一种MOSFET栅氧化层电容校准结构，包括：有源区本体；栅极，位于所述有源区本体之上；源极和漏极，位于所述有源区本体的两端，且所述源极和所述漏极分别位于所述栅极的两侧；阱区，位于所述有源区本体和栅极外侧，所述阱区上设置有接触孔。本发明提出的MOSFET栅氧化层电容校准结构，在通常的MOSFET栅氧化层电容校准结构中保留有源区和栅极多晶硅，仅去除源漏极和栅极上的contact，可以去除包括源漏互联线对栅的寄生电容、源漏互联线对阱的寄生电容、栅上互联线对阱的寄生电容等在内的一系列寄生电容，从而进行更为精确的校准，得到更准确的MOSFET栅氧化层电容仿真模型。
一种 mosfet 氧化电容校准结构

[发明专利]半导体装置及方法-CN201710057576.5有效
发明人：陈奕升;郑光茗;范富杰;高荣辉;陈奕寰;林国树 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-01-26 - 公布日： 2021-03-23 - 主分类号： H01L27/098 文献下载
摘要：本揭露实施例涉及一种半导体装置及方法。所述半导体装置包含晶体管。所述晶体管包含：有源区，在衬底中；图案化导电层，是互连层的一部分，所述互连层用于路由；和绝缘层，延伸在所述衬底上方且用以将所述有源区与所述图案化导电层绝缘。所述图案化导电层和所述绝缘层充当所述晶体管的栅极。
半导体装置方法

[发明专利]具有可控电阻的场效应晶体管-CN201880082340.X在审
发明人：李宇龙;P·M·所罗门;S·科斯瓦特 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2018-12-19 - 公布日： 2020-08-07 - 主分类号： H01L27/098 文献下载
摘要：本发明的实施例涉及具有可控电阻的半导体器件的方法和所得结构。形成半导体器件的示例方法包括在衬底上形成场效应晶体管(FET)的源极端子和漏极端子。源极端子和漏极端子形成在沟道区的两侧。能量势垒邻近源极端子和沟道区形成。在沟道区上形成导电栅极。
具有可控电阻场效应晶体管

[发明专利]用于控制耗尽型晶体管的方法和电路-CN201480061907.7有效
发明人： M·D·塞曼;S·R·巴尔;D·I·安德森 -专利权人：德克萨斯仪器股份有限公司
申请日： 2014-11-17 - 公布日： 2019-06-18 - 主分类号： H01L27/098 文献下载
摘要：在描述的示例中，第一晶体管具有：漏极，其耦合于耗尽型晶体管的源极；源极，其耦合于第一电压节点；以及栅极，其耦合于控制节点。第二晶体管具有：漏极，其耦合于所述耗尽型晶体管的栅极；源极，其耦合于所述第一电压节点；以及栅极，其通过至少一个第一逻辑装置耦合于输入节点。第三晶体管具有：漏极，其耦合于所述耗尽型晶体管的栅极；源极，其耦合于第二电压节点；以及栅极，其通过至少一个第二逻辑装置耦合于所述输入节点。
用于控制耗尽晶体管方法电路

[发明专利]高电压接面场效晶体管结构-CN201210587232.2无效
发明人：许维勋;杜硕伦;连士进;吴锡垣 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2012-12-28 - 公布日： 2014-07-02 - 主分类号： H01L27/098 文献下载
摘要：一JFET结构包括具有一第一端子的一第一JFET及与所述第一JFET相邻的一第二JFET。两个JFET共享所述第一端子，且所述第一端子在每一JFET的闸极之间。所述JFET亦提供至少一调谐旋钮以调整夹止电压，且提供一调谐旋钮以调整所述JFET结构的崩溃电压。此外，所述JFET具有作为另一调谐旋钮的一内埋层以调整所述JFET结构的所述夹止电压。
电压接面场效晶体管结构

[发明专利]一种集成可调热敏电阻的自反馈线性恒流器-CN201210316186.2无效
发明人：李泽宏;李长安;张仁辉;李巍;张金平;任敏;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2012-08-31 - 公布日： 2012-12-19 - 主分类号： H01L27/098 文献下载
摘要：一种集成可调热敏电阻的自反馈线性恒流器，属于半导体功率器件技术领域。包括集成在一起的一个结型场效应晶体管JFET和一个可调热敏电阻，可调热敏电阻一端与JFET源极相连，另一端与JFET的栅极相连。该发明的核心为可调的热敏电阻，可调热敏电阻可以通过激光切割等方式得到满足输出电流大小要求的阻值，在同一批次中得到不同类型产品。热敏电阻为正温度系数，工作情况下，温度增加，电阻增大，降低输出电流，保护了所应用系统的可靠性。本发明具有集成度高、输出电流稳定、输电流大小可调节、温度特性好的优点，可应用于LED照明等领域。
一种集成可调热敏电阻反馈线性恒流器

[发明专利]级联的高压结型场效应晶体管-CN201110270577.0有效
发明人：秀明土子 -专利权人：万国半导体股份有限公司
申请日： 2011-09-02 - 公布日： 2012-06-06 - 主分类号： H01L27/098 文献下载
摘要：一种级联的结型场晶体管(JFET)器件，包括一个级联到二级低压JFET的一级高压JFET，其中一级和二级JFET的其中之一连接到另一个JFET级的漏极电极上。
级联高压场效应晶体管

[发明专利]三端自反馈线性恒流器及其制备方法-CN201110373885.6无效
发明人：李泽宏;唐文雄 -专利权人：深圳市芯威科技有限公司
申请日： 2011-11-22 - 公布日： 2012-05-02 - 主分类号： H01L27/098 文献下载
摘要：本发明公开了一种三端自反馈线性恒流器及其制备方法，要解决的技术问题是高性价比及可靠驱动LED。本发明由场效应晶体、电阻和可调电阻构成，场效应晶体的源端同电阻的一端相连，场效应晶体的栅端连接到电阻的另一端，可调电阻与电阻并联。本发明的制备方法：制备外延层，离子注入与推结，离子注入，化学汽相淀积，多晶硅的淀积与刻蚀，刻蚀接触孔，金属的淀积与刻蚀。本发明与现有技术相比，在交流电压增加时仍保持恒流输出、达到LED阈值电压后LED导通无延迟、低电压时LED保持明亮，以及保持LED免受电压浪涌影响，在宽电压范围下可保持LED亮度恒定，且在高输入电压时保护LED，成本低，具有输出稳定的优点。
反馈线性恒流器及其制备方法

[发明专利]半导体装置-CN200910178569.6有效
发明人：相沢和也 -专利权人：三垦电气株式会社
申请日： 2009-09-29 - 公布日： 2010-05-26 - 主分类号： H01L27/098 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置，其所具有的起动电路具备出色的特性，且适于IC化。形成有在N型外延层(12)形成，并规定漏极区域(121)的P型元件分离区域(13)。在漏极区域(121)内形成基体区域(15)，在基体区域(15)内形成N型源极区域(16)。在漏极区域(121)与源极区域(16)之间的沟道区域上配置栅电极(20)，形成LDMOS。经由漏极区域(121)、作为栅极发挥功能的P型分离区域(13)和P型元件分离区域(13)基于对漏极区域(121)施加的电压而被反向偏置、使耗尽层延伸的沟道区域，配置JFET的源极引出层(23)，形成JFET。
半导体装置

[发明专利]互补型绝缘体上硅（SOI）结式场效应晶体管及其制造方法-CN200780031328.8无效
发明人：阿首克·K·卡泊尔 -专利权人：帝斯曼方案公司
申请日： 2007-08-15 - 公布日： 2009-08-12 - 主分类号： H01L27/098 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件，其包括在绝缘体上硅(SOI)晶片上制造的互补型结式场效应晶体管(JFET)。P型JFET包括由n型多晶硅形成的控制栅极(170)，n型JFET包括由p型多晶硅形成的控制栅极(110)。互补型JFET可包括具有形成在沟道区下方的背栅极的四端子JFET。该背栅极可以经由在隔离结构中的切口区电连接到形成在沟道区上方的控制栅极。另外，互补型JFET可以在形成于硅锗(SiGe)层或硅锗碳(SiGeC)层等上面的应变硅上形成。
互补绝缘体 soi 结式场效应晶体管及其制造方法

[发明专利]点转换系统的极性切换结构-CN200810146921.3有效
发明人：廖敏男 -专利权人：矽创电子股份有限公司
申请日： 2008-08-26 - 公布日： 2009-03-18 - 主分类号： H01L27/098 文献下载
摘要：本发明是关于一种点转换系统的极性切换结构，其是由一第一晶体管与一第二晶体管皆设置于一P型井，一N型井设置于P型井内，并位于第一晶体管与第二晶体管之间，N型井包含一第三晶体管与一第四晶体管，其中，第三晶体管的一端耦接第一晶体管的一端，产生一第一输入端，第四晶体管的一端耦接第二晶体管的一端，产生一第二输入端，并且第一晶体管的另一端、第二晶体管的另一端、第三晶体管的另一端与第四晶体管的另一端相耦接，产生一输出端。如此，通过切换P型井与N型井的电压极性，以达到大范围的电压差输出的目的。
转换系统极性切换结构

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