[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 200910178569.6 | 申请日： | 2009-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN101714558A | 公开（公告）日： | 2010-05-26 |
| 发明（设计）人： | 相沢和也 | 申请（专利权）人： | 三垦电气株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/098 | 分类号： | H01L27/098;H01L29/78;H01L29/808;H01L29/423;H01L29/08;H01L29/38;H01L29/06;H01L21/266 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 雒运朴;李伟 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体装置，其所具有的起动电路具备出色的特性，且适于IC化。形成有在N型外延层(12)形成，并规定漏极区域(121)的P型元件分离区域(13)。在漏极区域(121)内形成基体区域(15)，在基体区域(15)内形成N型源极区域(16)。在漏极区域(121)与源极区域(16)之间的沟道区域上配置栅电极(20)，形成LDMOS。经由漏极区域(121)、作为栅极发挥功能的P型分离区域(13)和P型元件分离区域(13)基于对漏极区域(121)施加的电压而被反向偏置、使耗尽层延伸的沟道区域，配置JFET的源极引出层(23)，形成JFET。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其特征在于，具备：第一导电型层(11)；形成在所述第一导电型层(11)上的第二导电型层(12)；第一导电型元件分离区域(13)，其从所述第二导电型层(12)的表面区域到所述第一导电型层(11)，规定作为第二导电型漏极区域(121)发挥作用的元件区域；形成于所述元件区域的第一导电型第一区域(15)；形成于该第一导电型第一区域(15)的第二导电型第一源极区域(16)；第一栅电极(20)，其在所述第一导电型第一区域(15)内，形成在位于所述漏极区域(121)与所述第一源极区域(16)之间的区域之上；以及第二源极区域(23)，其在所述第二导电型层(12)内，形成于在反向偏置时，由从所述元件分离区域(13)、所述第一导电型层(11)及所述第一导电型第一区域(15)内的至少任意一个延伸的耗尽层，控制与所述漏极区域(121)之间的沟道的位置。
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- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
