[发明专利]具有多电极控制的高压器件

权利要求书

1.一种高压器件，其包括：

低压晶体管即LVT，所述LVT形成在第一衬底上，所述LVT具有第一漏极节点、第一控制栅极和第一源极节点；以及

高电子迁移率晶体管即HEMT，所述HEMT形成在第二衬底上，所述HEMT具有：

二维电子气层即2DEG层，所述二维电子气层设置在所述第二衬底上面；

第二漏极节点，所述第二漏极节点设置在所述2DEG层上面，并且被配置为接收高压源；

第二源极节点，所述第二源极节点设置在所述2DEG层上面，并且与所述LVT的所述第一漏极节点连接；

第二控制栅极，所述第二控制栅极设置在所述2DEG层上面，并且被配置为调节由所述第二漏极节点、所述第二源极节点，以及所述2DEG层联合限定的沟道；以及

场电极，所述场电极设置在所述沟道上面，并且被配置为沿着所述沟道分配电荷，所述场电极在所述HEMT内不与所述第二控制栅极和所述第二源极节点电耦合，

其中：

所述HEMT的所述场电极经由第一键合线连接到所述LVT的所述第一源极节点；以及

所述HEMT的所述第二控制栅极经由与所述第一键合线分离的第二键合线连接到所述LVT的所述第一源极节点。

2.根据权利要求1所述的器件，其中所述场电极被定位成比所述第二控制栅极离所述2DEG层更远。

3.根据权利要求1所述的器件，还包括：

第一键合垫，所述第一键合垫形成在所述第二衬底上面，并且与所述HEMT的所述场电极连接；

第二键合垫，所述第二键合垫形成在所述第二衬底上面，并且与所述第一键合垫分离，所述第二键合垫与所述HEMT的所述第二控制栅极连接；以及

第三键合垫，所述第三键合垫形成在所述第二衬底上面，并且与所述第一键合垫分离，所述第三键合垫与所述HEMT的所述第二源极节点连接。

4.根据权利要求1所述的器件，其中：

所述LVT的所述第一源极节点被配置为接收源电压。

5.根据权利要求4所述的器件，其中：

所述HEMT的所述场电极经由与所述第一键合线串联的第一振铃抑制器连接到所述LVT的所述第一源极节点；以及

所述HEMT的所述第二控制栅极经由与所述第二键合线串联的第二振铃抑制器连接到所述LVT的所述第一源极节点，使得所述第二振铃抑制器与所述第一振铃抑制器电独立。

6.根据权利要求1所述的器件，其中：

所述HEMT的所述第二控制栅极被配置为接收用于调节所述沟道的第一电压；以及

所述HEMT的所述场电极被配置为接收与所述第一电压不同的第二电压，所述第二电压用于沿着所述沟道分配所述电荷。

7.根据权利要求1所述的器件，其中所述HEMT的所述场电极包括：

第一场电极，所述第一场电极设置在所述沟道的第一区域上面，并且不与所述第二控制栅极接触，所述第一场电极被配置为在所述沟道的所述第一区域中分配电荷；以及

第二场电极，所述第二场电极与所述第一场电极分离，所述第二场电极设置在所述沟道的第二区域上面，并且不与所述第二控制栅极接触，所述第二场电极被配置为在所述沟道的所述第二区域中分配电荷。

8.根据权利要求1所述的器件，其中所述第一衬底与所述第二衬底分离。

9.根据权利要求1所述的器件，其中：

所述第一衬底占据公共衬底上的LVT区域；以及

所述第二衬底占据所述公共衬底上的HEMT区域。