[发明专利]具有堆叠半导体管芯的半导体器件结构有效
| 申请号： | 201611193565.1 | 申请日： | 2016-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN106960835B | 公开（公告）日： | 2019-12-27 |
| 发明（设计）人： | 高敏峰;杨敦年;刘人诚;黄薰莹 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/538 | 分类号： | H01L23/538 |
| 代理公司： | 11409 北京德恒律治知识产权代理有限公司 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;TW |
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| 摘要： | 本发明实施例提供了一种半导体器件结构，半导体器件结构包括第一半导体管芯和第二半导体管芯。半导体器件结构还包括位于第一半导体管芯和第二半导体管芯之间的钝化层，以及钝化层直接接合至第二半导体管芯的第二层间介电层。半导体器件结构还包括位于通穴中并且直接接合至第二半导体管芯的第二导电线的导电部件。半导体器件结构还包括位于导电部件和钝化层之间的第二阻挡层，第二阻挡层覆盖导电部件的侧壁和导电部件的靠近第一半导体管芯的表面。本发明实施例涉及具有堆叠半导体管芯的半导体器件结构。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 堆叠 半导体 管芯 半导体器件 结构 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件结构，包括：/n第一半导体管芯，具有第一层间介电层和形成在所述第一层间介电层中的第一导电线；/n第二半导体管芯，具有第二层间介电层、形成在所述第二层间介电层中的第二导电线和位于所述第二导电线和所述第二层间介电层之间的第一阻挡层；/n钝化层，位于所述第一半导体管芯和所述第二半导体管芯之间，其中，所述钝化层直接接合至所述第二层间介电层；/n通穴，穿透所述钝化层；/n导电部件，位于所述通穴中，其中，所述导电部件直接接合至所述第二导电线；/n第二阻挡层，位于所述导电部件和所述钝化层之间，其中，所述第二阻挡层覆盖所述导电部件的侧壁和所述导电部件的相对于所述第二半导体管芯更靠近所述第一半导体管芯的表面；以及/n衬底穿孔，所述衬底穿孔穿透所述第一半导体管芯的半导体衬底，其中，所述导电部件电连接至所述衬底穿孔。/n
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