[发明专利]具有堆叠半导体管芯的半导体器件结构有效
| 申请号： | 201611193565.1 | 申请日： | 2016-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN106960835B | 公开（公告）日： | 2019-12-27 |
| 发明（设计）人： | 高敏峰;杨敦年;刘人诚;黄薰莹 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/538 | 分类号： | H01L23/538 |
| 代理公司： | 11409 北京德恒律治知识产权代理有限公司 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;TW |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 堆叠 半导体 管芯 半导体器件 结构 | ||
1.一种半导体器件结构，包括：
第一半导体管芯，具有第一层间介电层和形成在所述第一层间介电层中的第一导电线；
第二半导体管芯，具有第二层间介电层、形成在所述第二层间介电层中的第二导电线和位于所述第二导电线和所述第二层间介电层之间的第一阻挡层；
钝化层，位于所述第一半导体管芯和所述第二半导体管芯之间，其中，所述钝化层直接接合至所述第二层间介电层；
通穴，穿透所述钝化层；
导电部件，位于所述通穴中，其中，所述导电部件直接接合至所述第二导电线；
第二阻挡层，位于所述导电部件和所述钝化层之间，其中，所述第二阻挡层覆盖所述导电部件的侧壁和所述导电部件的相对于所述第二半导体管芯更靠近所述第一半导体管芯的表面；以及
衬底穿孔，所述衬底穿孔穿透所述第一半导体管芯的半导体衬底，其中，所述导电部件电连接至所述衬底穿孔。
2.根据权利要求1所述的半导体器件结构，其中，所述钝化层的表面、所述导电部件的表面、所述第二阻挡层的表面、所述第二层间介电层的表面、所述第二导电线的表面和所述第一阻挡层的表面是共面的。
3.根据权利要求1所述的半导体器件结构，还包括位于所述第二半导体管芯的半导体衬底中的光传感区。
4.根据权利要求1所述的半导体器件结构，其中，所述第二阻挡层与所述第二导电线直接接触。
5.根据权利要求1所述的半导体器件结构，其中，所述导电部件直接接合至所述衬底穿孔。
6.根据权利要求1所述的半导体器件结构，其中，所述导电部件比所述衬底穿孔更宽。
7.根据权利要求1所述的半导体器件结构，其中，所述钝化层直接接合至所述第一阻挡层。
8.根据权利要求1所述的半导体器件结构，其中，所述通穴沿着从所述第二导电线朝向所述第一半导体管芯延伸的方向逐渐变窄。
9.一种半导体器件结构，包括：
第一半导体管芯；
第二半导体管芯，接合在所述第一半导体管芯上；
衬底穿孔，穿透所述第二半导体管芯的半导体衬底；
钝化层，位于所述第一半导体管芯和所述第二半导体管芯之间，其中，所述钝化层直接接合至所述第二半导体管芯的所述半导体衬底；
通穴，穿透所述钝化层；
导电部件，位于所述通穴中，其中，所述导电部件接合至所述衬底穿孔；以及
阻挡层，位于所述导电部件和所述钝化层之间，其中，所述阻挡层覆盖所述导电部件的侧壁并且覆盖所述导电部件的与所述第二半导体管芯相比更接近所述第一半导体管芯的表面，所述阻挡层将所述导电部件的表面与所述第一半导体管芯的邻近表面分离。
10.根据权利要求9所述的半导体器件结构，其中，所述钝化层的表面、所述导电部件的表面和所述第二半导体管芯的所述半导体衬底的表面是共面的。
11.根据权利要求9所述的半导体器件结构，其中，所述导电部件比所述衬底穿孔宽。
12.根据权利要求9所述的半导体器件结构，其中，所述阻挡层位于所述导电部件和所述第一半导体管芯之间。
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