[发明专利]半导体结构及其制造方法在审
| 申请号： | 201611015952.6 | 申请日： | 2016-11-09 |
| 公开（公告）号： | CN107863331A | 公开（公告）日： | 2018-03-30 |
| 发明（设计）人： | 林柏均 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/482 | 分类号： | H01L23/482;H01L21/48 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司72003 | 代理人： | 冯志云,王芝艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本公开提供一种半导体结构及其制造方法，该半导体结构包含一基板，该基板包含一第一表面、与该第一表面对立的一第二表面、以及自该第一表面朝向该第二表面凹陷的一凹部；一传导层，位于该第一表面上方且位于该凹部内；以及一保护层，位于该第一表面上方且局部覆盖该传导层，其中位于该凹部内的该传导层自该保护层暴露。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体结构，包括：一基板，包含一第一表面、与该第一表面对立的一第二表面、以及自该第一表面朝向该第二表面凹陷的一凹部；一传导层，位于该第一表面上方且位于该凹部内；以及一保护层，位于该第一表面上方，并且局部覆盖该传导层，其中位于该凹部内的该传导层自该保护层暴露。
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