[发明专利]半导体结构及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体结构，包括：

一基板，包含一第一表面、与该第一表面对立的一第二表面、以及自该第一表面朝向该第二表面凹陷的一凹部；

一传导层，位于该第一表面上方且位于该凹部内；以及

一保护层，位于该第一表面上方，并且局部覆盖该传导层，

其中位于该凹部内的该传导层自该保护层暴露。

2.如权利要求1所述的半导体结构，其中该传导层经配置与该凹部的一侧壁共形。

3.如权利要求1所述的半导体结构，其中自该保护层暴露的该传导层经配置以接收一互连结构，以及该互连结构为一传导凸块、一传导线、或一传导柱。

4.如权利要求3所述的半导体结构，其中该互连结构的至少一部分受到该传导层与该基板的环绕。

5.如权利要求1所述的半导体结构，还包括一传导结构，该传导结构位于该基板内并且电连接至该传导层。

6.如权利要求5所述的半导体结构，其中该传导结构为一金属件或一晶体管。

7.如权利要求1所述的半导体结构，还包括一凸块下金属(UBM)层，其中该UBM层位于该凹部内并且经配置以接收一互连结构。

8.如权利要求1所述的半导体结构，其中该基板包含硅、氧化硅、玻璃、陶瓷、或有机材料。

9.一种半导体结构，包括：

一基板，包含一第一表面、与该第一表面对立的一第二表面、以及自该第一表面朝向该第二表面凹陷的一凹部；

一传导层，位于该第一表面上方；

一保护层，位于该第一表面上方，并且至少局部覆盖该传导层；以及

一互连结构，位于该凹部内并且电连接至该传导层。

10.如权利要求9所述的半导体结构，其中该互连结构的至少一部分受到该基板环绕。

11.如权利要求9所述的半导体结构，还包括一凸块下金属(UBM)层，该UBM层位于自该保护层暴露的该凹部内。

12.如权利要求11所述的半导体结构，其中该UBM层受到该传导层与该基板环绕。

13.如权利要求9所述的半导体结构，其中该互连结构经由该传导层而电连接至位于该基板内的一传导结构。

14.一种半导体结构的制造方法，包括：

提供一基板；

形成一凹部于该基板内；

配置一传导层于该基板上方；以及

配置一保护层于该基板上方以至少局部覆盖该传导层。

15.如权利要求14所述的制造方法，其中该传导层形成于该凹部内或是与该凹部的一侧壁共形。

16.如权利要求14所述的制造方法，其中配置该传导层包含进行电镀或溅镀工艺。

17.如权利要求14所述的制造方法，其中形成该凹部包含配置一图案化掩模于该基板上方并且移除该基板的一部分。

18.如权利要求14所述的制造方法，其中形成该凹部包含配置一图案化掩模于该保护层上方，并且移除该保护层的一部分、该传导层的一部分、以及该基板的一部分。

19.如权利要求14所述的制造方法，其中形成该凹部包含进行光微影与蚀刻工艺。

20.如权利要求14所述的制造方法，还包括：

配置一凸块下金属(UBM)层于自该保护层暴露的该凹部内；或

配置一互连结构于该传导层上方，以电连接该互连结构与该传导层；或

回焊该互连结构；或

附接该半导体结构于一第二基板上方；或

打线接合该传导层与一第二基板。