[发明专利]半导体结构及其制造方法

说明书

技术领域

本公开涉及一种包括传导层的半导体结构及其制造方法，该传导层位于一基板上方且位于一凹部内，该凹部凹陷至该基板中。

背景技术

半导体装置对于许多现代应用而言是重要的。随着电子技术的进展，半导体装置的尺寸越来越小，而功能越来越大且整合的电路量越来越多。由于半导体装置的规模微小化，晶圆级晶片规模封装(wafer level chip scale packaging，WLCSP)广泛用于制造。在此等小半导体装置内，实施许多制造步骤。

然而，微型化规模的半导体装置的制造变得越来越复杂。制造半导体装置的复杂度增加可造成缺陷，例如电互连不良、发生破裂、或元件脱层(delamination)。因此，修饰结构与制造半导体装置面临许多挑战。

上文的「现有技术」说明仅是提供背景技术，并未承认上文的「现有技术」说明公开本公开的标的，不构成本公开的现有技术，且上文的「现有技术」的任何说明均不应作为本案的任一部分。

发明内容

本公开的实施例提供一种半导体结构，包括一基板，该基板包含一第一表面、与该第一表面对立的一第二表面、以及自该第一表面朝向该第二表面凹陷的一凹部；一传导层，位于该第一表面上方且位于该凹部内；以及一保护层，位于该第一表面上方且局部覆盖该传导层，其中位于该凹部内的该传导层自该保护层暴露。

在本公开的实施例中，该传导层经配置与该凹部的一侧壁共形。

在本公开的实施例中，自该保护层暴露的该传导层经配置以接收一互连结构，以及该互连结构为一传导凸块、一传导线、或一传导柱。

在本公开的实施例中，该互连结构的至少一部分受到该传导层与该基板环绕。

在本公开的实施例中，该半导体结构另包含一传导结构，该传导结构位于该基板内且电连接至该传导层。

在本公开的实施例中，该传导结构为一金属件或一晶体管。

在本公开的实施例中，该半导体结构另包含一凸块下金属(UBM)层于该凹部内，其中该UBM层经配置以接收一互连结构。

在本公开的实施例中，该基板包含硅、氧化硅、玻璃、陶瓷、或有机材料。

本公开的实施例另提供一种半导体结构，包括一基板，该基板包含一第一表面、与该第一表面对立的一第二表面、以及自该第一表面朝向该第二表面凹陷的一凹部；一传导层，位于该第一表面上方；一保护层，位于该第一表面上方且至少局部覆盖该传导层；一互连结构，位于该凹部内且电连接至该传导层。

在本公开的实施例中，该互连结构的至少一部分受到该基板环绕。

在本公开的实施例中，该半导体结构另包含一凸块下金属(UBM)层于自该保护层暴露的凹部内。

在本公开的实施例中，该UBM层受到该传导层与该基板的环绕。

在本公开的实施例中，该互连结构经由该传导层而电连接至位于该基板内的一传导结构。

本公开的实施例另提供一种半导体结构的制造方法，包含提供一基板；形成一凹部于该基板上方；配置一传导层于该基板上方；配置一保护层于该基板上方以至少局部覆盖该传导层。

在本公开的实施例中，该传导层位于该凹部内或与该凹部的一侧壁共形。

在本公开的实施例中，配置该传导层包含进行电镀或溅镀工艺。

在本公开的实施例中，形成该凹部包含配置一图案化掩模于该基板上方且移除该基板的一部分而。

在本公开的实施例中，形成该凹部包含配置图案化掩模于该保护层上，并且移除该保护层的一部、该传导层的一部分、以及该基板的一部分。

在本公开的实施例中，形成该凹部包含进行光微影与蚀刻工艺。

在本公开的实施例中，该制造方法另包含配置一凸块下金属(UBM)层于自该保护层暴露的该凹部内；或配置一互连结构于该传导层上方以电连接该互连结构与该传导层；或回焊该互连结构；或附接该半导体结构于一第二基板上方；或打线接合该传导层与一第二基板。

上文已相当广泛地概述本公开的技术特征及优点，俾使下文的本公开详细描述得以获得较佳了解。构成本公开的权利要求标的的其它技术特征及优点将描述于下文。本领域技术人员应了解，可相当容易地利用下文公开的概念与特定实施例可作为修改或设计其它结构或工艺而实现与本公开相同的目的。本领域技术人员亦应了解，这类等效建构无法脱离后附的权利要求所界定的本公开的精神和范围。

附图说明

参阅详细说明与权利要求结合考虑附图时，可得以更全面了解本申请案的公开内容，附图中相同的元件符号是指相同的元件。