“赵元富”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果123个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种基于多源图像模板匹配方法及系统-CN202310784560.X在审
发明人：王怀野;张军;赵晓霞;梅立春;赵元富;朱大平 -专利权人：北京航天飞腾装备技术有限责任公司
申请日： 2023-06-29 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： G06V10/74 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于多源图像模板匹配方法及系统，包括：分割模板图像和参考图像为大小相等的图像块；纯化分割出的图像块和压缩图像的灰度级来滤除图像噪声和提高算法效率；处理过的图像块转化为与灰度无关的灰度级分布矩阵；根据经验给由模板图像和参考图像中的图像块对应的所有灰度级分布矩阵组合赋予相似度值；通过灰度级分布矩阵组合及其对应的数量计算整幅模板图像和参考图像中的候选窗口图像之间的相似度；相似度最高的候选窗口图像在参考图像中的位置即为要寻找的位置；本发明中的灰度级分布矩阵可以有效提取与灰度无关的复杂来源的多源图像特征，通过经验相似度值实现多源图像之间的模板匹配。
一种基于图像模板匹配方法系统

[发明专利]抗辐射加固预放电型灵敏放大器及其控制方法-CN202310637654.4在审
发明人：曹安妮;李鑫;张彦龙;王亮;赵元富 -专利权人：北京微电子技术研究所;北京时代民芯科技有限公司
申请日： 2023-05-31 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： G11C7/08 文献下载
摘要：本发明属于非易失新型存储领域，具体涉及了一种抗辐射加固预放电型灵敏放大器及其控制方法，旨在解决现有的存储单元外围基于MOS管的电路仍然对空间辐射效应敏感的问题。本发明包括：预先放电部分通过第一传感支路和第二传感支路连接至充电传感部分；充电传感部分包括PMOS管PM0和PM1并连接至VDD；第一反馈支路的第一端连接PM0，第二端连接PM1第三端连接至第一传感支路，第四端连接第二传感支路；第一传感支路通过第二反馈支路连接至第二传感支路；第二传感支路通过第三反馈支路连接至第一传感支路。本发明通过为放大器设置3条反馈支路，加速了数据单元和对比单元所在的传感支路的放电时间，稳定增大第零输出节点V0和第一输出节点V1的电压差。
辐射加固放电灵敏放大器及其控制方法

[发明专利]一种节点反馈的单粒子翻转加固触发器电路结构-CN202011018917.6有效
发明人：李同德;赵元富;陈雷;王亮;孙永姝;钱浩;隋成龙;曹炜亦 -专利权人：北京时代民芯科技有限公司;北京微电子技术研究所
申请日： 2020-09-24 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H03K3/02 文献下载
摘要：本发明一种节点反馈的单粒子翻转加固触发器电路结构，包括：第一反相器电路、延时电路、C单元结构、第一时钟控制输入电路、第二时钟控制输入电路、第三时钟控制输入电路、第四时钟控制输入电路、主锁存器电路、从锁存器电路、第二反相器电路、第三反相器电路、第四反相器电路和第五反相器电路。反相器电路用于反相输入数据信号D、产生时钟信号CLKN、CLKNN以及输出Q；延时电路用于延时瞬态脉冲；C单元结构用于滤波；时钟控制输入结构用于控制信号在主从锁存器中的传播；主从锁存器电路用于保证电路在受到单粒子辐射时信号保持正确的状态。本发明设计的电路结构，针对单粒子翻转，加固效果好，敏感节点划分容易，版图布局易实现。
一种节点反馈粒子翻转加固触发器电路结构

[发明专利]一种冗余互锁的抗多位单粒子翻转触发器电路-CN202310287650.8在审
发明人：苑靖爽;李同德;王亚坤;朱永钦;于春青;孙雨;鲍一豪;杜芊;王亮;王勇;赵元富 -专利权人：北京时代民芯科技有限公司;北京微电子技术研究所
申请日： 2023-03-22 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： H03K3/3562 文献下载
摘要：本申请公开了一种冗余互锁的抗多位单粒子翻转触发器电路，包括输入输出电路、传输门电路、时钟输出电路以及冗余互锁的主从锁存器电路。反相器电路用于反相输入数据信号D、时钟信号以及输出数据到触发器电路的输出端Q。传输门电路用于控制信号在主从锁存器中的传播。冗余互锁的主从锁存器电路用于锁存数据以及保证电路在受到单粒子辐射时信号保持正确的状态。本申请设计的电路，针对单粒子翻转，加固效果好，电路设计简单，易实现。
一种冗余互锁抗多位单粒子翻转触发器电路

[发明专利]一种纳微米级非接触原位光学热表征技术组合的测量方法-CN202310258263.1在审
发明人：张栢胜;李园;马晓华;陆小力;韩超;黄永;何云龙;赵元富;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2023-03-15 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： G01N25/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种纳微米级非接触原位光学热表征技术组合的测量方法，该方法包括：对于较大器件尺寸、测量精度要求不高、定性评估主要热源区域或热失效定位的宽禁带半导体功率器件热表征应用需求，采用红外热成像方式；对于较小器件尺寸、测量精度要求较高、定量表征宽禁带、超宽禁带半导体功率器件温度分布的热表征应用需求，针对横向结构器件采用热反射成像方式和基于纳米颗粒的拉曼热表征方式表征测量器件的金属电极温度和器件表面温度；针对垂直结构器件采用热反射成像方式、拉曼热表征方式和基于纳米颗粒的拉曼热表征方式表征测量器件的金属电极温度、器件表面下均厚温度和器件表面温度。
一种微米接触原位光学表征技术组合测量方法

[发明专利]一种FDSOI工艺的双电源冗余锁存瞬时剂量率辐射加固触发器-CN202211493609.8在审
发明人：李同德;赵元富;杜芊;苑靖爽;孙雨;隋成龙;曹炜亦 -专利权人：北京时代民芯科技有限公司;北京微电子技术研究所
申请日： 2022-11-25 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： H03K3/356 文献下载
摘要：本发明涉及一种适用于FDSOI工艺的双电源冗余锁存瞬时剂量率辐射加固触发器结构,属于抗辐射集成电路设计技术领域。通过增加冗余锁存结构，抑制由瞬时剂量率辐射导致的电源塌陷所引起的触发器输出数据翻转和扰动。冗余锁存结构采用与触发器主体结构不同的电源供电，并进行版图加固设计。整体电路采用晶体管堆叠结构，提高触发器抗瞬时剂量率辐射的能力。本发明的设计基于商用规则，可操作性强，易实现。
一种 fdsoi 工艺双电源冗余瞬时剂量率辐射加固触发器

[发明专利]一种FDSOI工艺的双电源冗余纠错瞬时剂量率辐射加固触发器-CN202211485591.7在审
发明人：李同德;赵元富;孙雨;苑靖爽;王亚坤;于春青;王亮 -专利权人：北京时代民芯科技有限公司;北京微电子技术研究所
申请日： 2022-11-24 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： H03K3/013 文献下载
摘要：本发明公开了一种FDSOI工艺的双电源冗余纠错瞬时剂量率辐射加固触发器，采用了电路和版图结合的设计加固方法。针对瞬时剂量率辐射导致电源电压发生扰动的问题，设计了双电源冗余纠错电路结构，可以将瞬时剂量率辐射导致的脉冲信号过滤；版图加固设计中将冗余电源设计为最短长度和最大宽度走线，可减小冗余电源电压的扰动。本发明通过双电源冗余纠错结构抑制了电源电压扰动造成的逻辑错误，提高了触发器单元的抗瞬时剂量率辐射能力，同时冗余电源非全局使用，加固代价小。
一种 fdsoi 工艺双电源冗余纠错瞬时剂量率辐射加固触发器

[发明专利]一种应用于氮化镓Doherty功率放大器的线性化方法-CN202211356406.4在审
发明人：马晓华;周九鼎;卢阳;赵子越;易楚朋;刘文良;王语晨;赵元富 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2022-11-01 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H03F1/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种应用于氮化镓Doherty功率放大器的线性化方法，通过在氮化镓Doherty功率放大器的前级增加一线性化前级驱动电路，以改善Doherty功率放大器的线性度；其中，线性化前级驱动电路包括有源偏置电路和驱动放大器，驱动放大器与氮化镓Doherty功率放大器连接；有源偏置电路设置于驱动放大器的前级，用于稳定驱动放大器的栅极电压，以使驱动放大器的工作状态偏置在弱C类。相比于传统的数字预失真技术，本发明的电路更加简单，且不需要高采样率的FPGA；相比于传统的模拟预失真技术，本发明不但能够明显提高氮化镓Doherty功放的线性度，还能提供额外的增益。
一种应用于氮化 doherty 功率放大器线性化方法

[发明专利]热电优化设计的沟槽MOS型氧化镓功率二极管及制作方法-CN202211502046.4在审
发明人：李园;杨一彤;陆小力;何云龙;马晓华;赵元富;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2022-11-28 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明公开了一种热电优化设计的沟槽MOS型氧化镓功率二极管及制作方法，包括：β‑Ga2O3漂移层，位于β‑Ga2O3衬底的上表面；凹槽阵列，间隔分布于β‑Ga2O3漂移层上；凹槽阵列与β‑Ga2O3漂移层面内的[100]晶向分别呈一定角度布局；绝缘层，填充于凹槽阵列每一凹槽内，并覆盖于每一凹槽顶部侧边缘处的β‑Ga2O3漂移层上表面；场板终端，位于沟槽阵列有源区四周的β‑Ga2O3漂移层上表面，且场板终端为自内而外呈一定斜坡角度或呈台阶状分布的斜场板结构；阳极，位于绝缘层、β‑Ga2O3漂移层，以及部分场板终端上表面；阴极，位于β‑Ga2O3衬底下表面。本发明有效提高了氧化镓二极管的热电特性。
热电优化设计沟槽 mos 氧化功率二极管制作方法

[发明专利]一种抗辐射加固的RRAM灵敏放大器电路-CN202211394121.X在审
发明人：曹炜亦;韩旭鹏;刘亚娇;钱浩;郭小星;隋成龙;宗宇;王亮;张彦龙;王勇;赵元富 -专利权人：北京时代民芯科技有限公司;北京微电子技术研究所
申请日： 2022-11-08 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： G11C7/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种抗辐射加固的RRAM灵敏放大器电路，包括线性稳压电路、可调电流镜电路、可调电阻电路、比较器电路、反相器电路、锁存器电路和抗辐射加固版图结构。所述线性稳压电路向存储单元位线提供稳定的读电压，并添加限幅二极管对位线电压进行限幅；所述可调电流镜电路用于调整读电流的放大倍数；所述可调电阻电路用于电流电压转换，并调整放大电压倍数；所述锁存器电路对输入电压进行锁存并输出最终数字信号；所述抗辐射加固版图结构采用环形栅和加固的保护环。本发明设计的RRAM灵敏放大器电路负载范围大，读取速度快，具有很强的抗单粒子、总剂量辐射能力，版图布局易实现。
一种辐射加固 rram 灵敏放大器电路

[发明专利]一种具有内嵌沟道二极管的双沟槽SiC MOSFET结构及其制备方法-CN201911361615.6有效
发明人：贾云鹏;夏天;周新田;赵元富;胡冬青;吴郁 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2019-12-26 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种具有内嵌沟道二极管的双沟槽SiC MOSFET结构及其制备方法，结构包括：N‑漂移层；衬底层；漏极金属；JFET区；P‑base区；N+源区；P‑region区；P‑plus区；MOSFET栅氧；沟道二极管栅氧，厚度要小于MOSFET栅氧；MOSFET多晶硅栅；沟道二极管多晶硅栅；隔离氧；源极金属。一方面，在电路中充当续流二极管的作用时，完全消除传统SiC MOSFET结构因少数载流子复合发生的双极退化效应，并且具备更低的开启电压，减小了功率损耗；另一方面，器件的输入电容、转移电容及栅电荷特性得到了极大改善。此外，相比传统器件的制造方法，只增加了一步刻蚀栅氧工艺，控制了制作成本。
一种具有沟道二极管沟槽 sic mosfet 结构及其制备方法

[发明专利]一种热电优化的鳍式氧化镓MOSFET结构及制作方法-CN202211510940.6在审
发明人：李园;李佳宁;陆小力;何云龙;马晓华;赵元富;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2022-11-29 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及一种热电优化的鳍式氧化镓MOSFET结构及制作方法，该MOSFET结构包括：β‑Ga2O3衬底、β‑Ga2O3非故意掺杂外延层、导电沟道层、栅介质层、源电极、漏电极、栅电极和若干场笼，导电沟道层和β‑Ga2O3非故意掺杂外延层中贯穿有沿着栅宽方向分布的若干梯形凹槽，相邻梯形凹槽之间的导电沟道层形成斜鳍栅，斜鳍栅靠近源电极的边与靠近漏电极的边平行；栅介质层覆盖导电沟道层和若干梯形凹槽；源电极位于导电沟道层的一端，漏电极位于导电沟道层的另一端；栅电极位于部分梯形凹槽和部分斜鳍栅对应的栅介质层上，且位于若干梯形凹槽和源电极之间的栅介质层上；若干场笼分布于漏电极和斜鳍栅之间的栅介质层上。该结构降低了氧化镓MOSFET结构的电场峰值，降低了器件的工作温度。
一种热电优化氧化 mosfet 结构制作方法

[发明专利]一种阻变存储器总剂量辐射测试方法和装置-CN202211139602.6在审
发明人：李雨佳;赵元富;王亮;李同德;张彦龙 -专利权人：北京时代民芯科技有限公司;北京微电子技术研究所
申请日： 2022-09-19 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： G11C29/56 文献下载
摘要：本申请涉及阻变存储器领域，具体公开了一种阻变存储器总剂量辐射测试方法，包括：将对多个阻变存储器进行分组，得到M组阻变存储器，每组阻变存储器包括N个阻变存储器，M组阻变存储器分别对应M个初始阻态；对M组阻变存储器进行总剂量辐射实验；对M组阻变存储器进行循环耐受性实验，循环耐受性实验的结果用于指示阻变存储器的与总剂量辐射相关的测试结果。通过该测试方法，可以模拟阻变存储器受到总剂量辐射后的耐受性变化，以对阻变存储器在总剂量辐射环境中的应用提供优化方案。
一种存储器剂量辐射测试方法装置

[发明专利]非易失性存储单元、存储器及设备-CN202110134691.4有效
发明人：王碧;王昭昊;赵巍胜;赵元富;陈雷;王亮 -专利权人：北京航空航天大学;北京微电子技术研究所
申请日： 2021-02-01 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：本发明提供了一种非易失性存储单元、存储器及设备，包括数据写入模块、第一节点、第二节点、上拉网络、下拉网络和暂存模块；所述数据写入模块分别与所述第一节点和所述第二节点连接，用于分别向所述第一节点和所述第二节点写入第一电平和第二电平；所述上拉网络和所述下拉网络用于保持所述第一节点和所述第二节点的电平；所述暂存模块包括第一磁性存储单元、第二磁性存储单元和加固电路，本发明可以有效避免非易失存储在数据存储和数据备份过程受到SEU干扰，从而提高非易失性存储单元的抗辐射性能及可靠性。
非易失性存储单元存储器设备

[发明专利]一种抗单粒子辐射加固的增强型GaN功率器件-CN202111334987.7有效
发明人：王立昊;贾云鹏;赵元富;王亮;李同德 -专利权人：北京工业大学;北京微电子技术研究所
申请日： 2021-11-11 - 公布日： 2022-08-26 - 主分类号： H01L23/552 文献下载
摘要：本发明提供一种抗单粒子辐射加固的增强型GaN功率器件，包括一个衬底(212)；一个成核层(211)；一个缓冲层(210)；一个沟道层(209)；一个第一势垒层(208)；一个钝化层(202)；一个源极(201)；一个漏极(207)；一个栅极(203)；还包括：一个与钝化层和第一势垒层相连接的第二势垒层，和一个与第二势垒层和漏极相连接的第二P型GaN层；或者一个与源极、沟道层和缓冲层相连接的隔离埋层(213)，和一个与源极、隔离埋层和缓冲层相连接的第一P型GaN层(214)。
一种粒子辐射加固增强 gan 功率器件

1
2
3
4
5
6
7
8
9
下一页»
尾页
共 123 条