[发明专利]半导体装置用基板、半导体装置用布线构件及它们的制造方法、以及利用半导体装置用基板进行的半导体装置的制造方法

摘要

本发明提供这样的半导体装置用基板、半导体装置用布线构件及它们的制造方法、以及利用半导体装置用基板进行的半导体装置的制造方法：能够使搭载半导体元件的内部端子面和与半导体元件进行电连接的内部端子部的高度均等，并且能够省略形成仅外部端子部暴露的开口部的工序，能够削减制造半导体装置时的工序数量并制造可靠性较高的树脂密封型半导体装置。在金属板(1)上的规定部位形成有成为内部端子的第1贵金属镀层(11)，在第1贵金属镀层之上以与第1贵金属镀层相同的形状形成有金属镀层(12)，并且在金属镀层之上局部地形成有成为外部端子的第2贵金属镀层(14)，第2贵金属镀层表面自金属板面的高度(H2)高于第1贵金属镀层表面自金属板面的高度(H1)。

主权项

1.一种半导体装置用基板，具有金属板，且在所述金属板的一个面上具有镀敷形成区域，该镀敷形成区域在水平方向的不同位置具有：/n内部端子区域，所述内部端子区域形成为规定宽度或直径的第1规定形状；/n布线部区域，所述布线部区域的一端与所述内部端子区域连接，且所述布线部区域形成为宽度比该内部端子区域的宽度或直径窄的细长形状；/n外部端子区域，所述外部端子区域与所述布线部区域的另一端连接，且所述外部端子区域形成为宽度或直径比该内部端子区域的宽度或直径大的第2规定形状；/n其特征在于，所述半导体装置用基板包括：/n第1贵金属镀层，所述第1贵金属镀层以与所述金属板的所述一个面接触的状态形成在所述金属板的所述一个面上的所述镀敷形成区域整个区域，所述第1贵金属镀层将构成内部端子面，所述内部端子面具有将成为内部端子的部位；/n金属镀层，所述金属镀层以与所述第1贵金属镀层相同的俯视形状形成在所述第1贵金属镀层之上；和/n第2贵金属镀层，所述第2贵金属镀层在所述金属镀层之上的与所述镀敷形成区域的所述外部端子区域对应的部位的边界区域内局部地形成，所述第2贵金属镀层将成为外部端子，其中/n所述第1贵金属镀层包含Ag镀层，或者包含从所述金属板起依次层叠的Ag镀层和Pd镀层，使得所述第1贵金属镀层的Ag表面与所述金属板的所述一个面接触，/n所述金属镀层包含Ni镀层，/n所述第2贵金属镀层包含Au镀层，或者包含依次层叠的Pd镀层和Au镀层，使得所述第2贵金属镀层的上表面为Au表面，其中所述上表面是所述第2贵金属镀层的距离所述金属板最远的表面，/n仅所述第1贵金属镀层作为与所述金属板的所述一个面接触的镀层而形成，/n仅与所述第1贵金属镀层俯视形状相同的所述金属镀层作为位于所述第1贵金属镀层和所述第2贵金属镀层之间的镀层而形成，/n仅所述第2贵金属镀层作为自与所述第1贵金属镀层俯视形状相同的所述金属镀层的上表面在与所述镀敷形成区域的所述外部端子区域对应的部位的边界区域内局部地突出的镀层而形成，/n所述第2贵金属镀层的上表面自所述金属板的所述一个面的高度高于其他的镀层的上表面自所述金属板的所述一个面的高度。/n