[发明专利]制造碳化硅半导体衬底的方法在审
| 申请号： | 201480009899.1 | 申请日： | 2014-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN105705684A | 公开（公告）日： | 2016-06-22 |
| 发明（设计）人： | 玄番润 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C23C16/02;C23C16/42;C30B25/14;H01L21/205 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 李兰;孙志湧 |
| 地址： | 日本大阪*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供一种制造碳化硅半导体衬底的方法，以便以低成体获得具有高度平坦表面的碳化硅半导体衬底。该制造碳化硅半导体衬底的方法包括：制备作为籽晶衬底的碳化硅衬底(1)的步骤(S10)；对碳化硅衬底(1)的主表面(1A)执行气相蚀刻的步骤(S20)；以及在主表面(1A)上外延生长碳化硅的步骤(S30)。从气相蚀刻的步骤(S20)中间，将包含碳原子的气体馈送到碳化硅衬底(1)。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 碳化硅 半导体 衬底 方法 | ||
【主权项】：
一种制造碳化硅半导体衬底的方法，包括以下步骤：制备籽晶衬底；在所述籽晶衬底的表面上执行气相蚀刻；以及在所述表面上外延生长碳化硅，从执行气相蚀刻的步骤的时间点，将包含碳原子的气体供应到所述籽晶衬底。
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