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[发明专利]硅化物沉积的方法-CN201980040003.9有效
发明人：李学斌;帕特里夏·M·刘 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2019-05-23 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： C23C16/42 文献下载
摘要：提供用于沉积金属硅化物的方法，所述方法包括：将具有含硅表面的基板加热到沉积温度；以及在化学气相沉积工艺期间将所述基板暴露到沉积气体以在所述含硅表面上沉积硅化物膜。所述沉积气体含有硅前驱物、钛或其他金属前驱物、及磷或其他非金属前驱物。
硅化物沉积方法

[发明专利]成膜装置或蚀刻装置用的部件-CN202180067306.7在审
发明人：河原弘治;小川朝敬 -专利权人： AGC株式会社
申请日： 2021-10-08 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： C23C16/42 文献下载
摘要：本发明的部件是用于半导体制造的成膜装置或蚀刻装置用的部件，该部件包含外径为300mm以上且厚度为3mm以上的圆板或环状的SiC膜，该部件在上述SiC膜的露出的侧面不包含与上述SiC膜的厚度方向垂直地延伸的界面。
装置蚀刻部件

[发明专利]基于硅的自组装单层组合物及使用该组合物的表面制备-CN202180061144.6在审
发明人：文卡特斯瓦拉·R·帕伦姆;让-马克·吉拉尔;尼古拉斯·布拉斯科;克洛迪娅·法法尔德;法布里齐奥·马切吉亚尼 -专利权人：乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司
申请日： 2021-06-18 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： C23C16/42 文献下载
摘要：披露了一种形成SAM的组合物，其包含具有主链的SAM单体或前体，该主链具有表面反应性基团，其中该主链不包含Si‑C键并且选自由无Si‑C键的聚硅烷和三甲硅烷基胺组成的组。披露了该表面反应性基团用于分别是电介质表面和金属表面的待覆盖的表面。还披露了一种在表面上形成SAM的方法，以及一种在该SAM上形成膜的方法。
基于组装单层组合使用表面制备

[发明专利]用于栅极介电质的原子层沉积的实施方法-CN202310026459.8在审
发明人：汤福;蒋晓强;谢琦;M·E·吉文斯;J·W·麦斯;J·陈 -专利权人： ASM IP控股有限公司
申请日： 2016-10-14 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： C23C16/42 文献下载
摘要：本发明涉及用于在基材上沉积薄膜的方法。特别地，该方法在基材上形成过渡金属硅酸盐。所述过渡金属硅酸盐例如可包括硅酸镧或硅酸钇。过渡金属硅酸盐呈现可靠性和良好的用于栅极介电材料的电特性。
用于栅极介电质原子沉积实施方法

[发明专利]化合物半导体基板、表膜、和化合物半导体基板的制造方法-CN201780010209.8有效
发明人：奥秀彦;秀一郎 -专利权人：爱沃特株式会社
申请日： 2017-02-10 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： C23C16/42 文献下载
摘要：提供一种能够实现SiC膜的薄膜化的化合物半导体基板、表膜、和化合物半导体基板的制造方法。化合物半导体基板的制造方法具备如下工序：在Si基板的表面侧上形成SiC膜的工序；由湿法蚀刻使SiC膜的背面的至少一部分露出的工序。在使SiC膜的背面的至少一部分露出的工序中，对用于湿法蚀刻的药液至少相对地移动Si基板和SiC膜。
化合物半导体表膜制造方法

[发明专利]氧化硅膜、阻气膜用材料及氧化硅膜的制造方法-CN202080019987.5在审
发明人：杉本俊;千叶洋一;田中陵二;布川真理奈 -专利权人：东曹株式会社;公益财团法人相模中央化学研究所
申请日： 2020-04-03 - 公布日： 2021-12-10 - 主分类号： C23C16/42 文献下载
摘要：本发明提供即使是薄膜也显示出高阻气性能的氧化硅膜。该氧化硅膜满足下述(1)及(2)的要件：(1)膜厚500nm以下时的水蒸气透过率(WVTR)为9.0×10‑3g/m2·天以下。(2)通过X射线光电子能谱法(XPS)测定的膜中碳浓度为3.0atom％以下。
氧化阻气膜用材料及制造方法

[发明专利]等离子体处理装置用电极板及等离子体处理装置用电极板的再生方法-CN201880011409.X有效
发明人：野村聪;藤森周司 -专利权人：三菱综合材料株式会社
申请日： 2018-02-14 - 公布日： 2021-10-26 - 主分类号： C23C16/42 文献下载
摘要：本发明提供一种等离子体处理装置用电极板，其具有使等离子体生成用气体通过的通气孔，该等离子体处理装置用电极板具有基材和设置于所述基材的至少一个表面的涂层，所述基材由耐等离子体性比形成所述涂层的材料高的材料形成。
等离子体处理装置用电极板再生方法

[发明专利]一种各向异性膜生长的方法及气体团簇反应器-CN202110447250.X在审
发明人：曹路;宋凤麒;刘翊;张同庆 -专利权人：江苏集创原子团簇科技研究院有限公司
申请日： 2021-04-25 - 公布日： 2021-07-30 - 主分类号： C23C16/42 文献下载
摘要：一种在基板上形成低温硅化物膜的方法，将原料气体供应到团簇形成室以形成气体团簇；将气体团簇移至电离加速室以形成气体团簇离子束GCIB；将GCIB注入处理室中，该处理室容纳基板；通过注入装置将前驱物气体注入到处理室中，其中注入装置以使得前驱物气体到达基板的局部区域的方式定位在处理室的顶部上；和通过在前驱物气体存在下用GCIB轰击基板，在基板上形成硅化物膜；将所述GCIB注入所述处理室是通过位于所述电离加速室与所述处理室之间的孔执行的，以形成准直的GCIB。
一种各向异性生长方法气体反应器

[发明专利]一种二维Zn掺杂Ca2-CN201910816710.4有效
发明人：温翠莲;彭建邦;余新江;萨百晟;蔡书畅 -专利权人：福州大学
申请日： 2019-08-30 - 公布日： 2021-07-13 - 主分类号： C23C16/42 文献下载
摘要：本发明属于低维纳米薄膜材料领域，具体涉及一种二维Zn掺杂Ca2Si纳米薄膜及其化学气相沉积方法。将装有Ca粉末的石英皿放置在三温区高温管式炉的前端区域，将装有Zn粉末的石英皿放置在三温区高温管式炉的中间区域，预处理后的玻璃基底放置在三温区高温管式炉的末端区域。在氩气和SiH4的载气下，以一定的升温速率加热三温区管式炉的前端、中间和末端区域，反应一段时间，反应生成物沉积于玻璃基底上，再将反应生成物在管式炉中进行原位退火处理，得到二维Zn掺杂Ca2Si薄层材料。该方法制备工艺简单，产品纯度较高，有望能够实现大规模、高质量的二维Zn掺杂Ca2Si纳米薄膜的生产，具有很好的产业化前景。
一种二维 zn 掺杂 ca base sub

[发明专利]一种热原子层沉积技术ALD生长CoSix-CN202011077350.X在审
发明人：张羽翔;姚川;李会;张时星;吕春杰;梁晓雪;莫美娟;湛亚琴;刘娜;王恒 -专利权人：许昌学院
申请日： 2020-10-10 - 公布日： 2021-01-29 - 主分类号： C23C16/42 文献下载
摘要：本发明提供了一种热原子层沉积技术ALD生长CoSix薄膜的方法，包括以下步骤：1)将半导体衬底置于反应腔中，在真空且载气存在的条件下，以脉冲形式向反应腔中通入气相Co源进行沉积，得到沉积有Co源的衬底；2)向反应腔中充入惰性气体对沉积有Co源的衬底进行吹扫；3)在载气存在的条件下，以脉冲形式向反应腔通入硅源，所述硅源为气相硅源，与沉积在衬底上的Co源进行单原子反应，得到纳米CoSix薄膜；4)向反应腔中充入惰性气体进行吹扫，完成一个ALD生长循环；重复步骤一至步骤四的操作1～3000次，即可得到生长有不同厚度的CoSix沉积层。本发明可以在衬底上沉积形成保型性好、表面粗糙度低的含CoSix沉积层。
一种原子沉积技术 ald 生长 cosi base sub

[发明专利]一种立式真空炉加热机构-CN202010718038.8在审
发明人：李护林;刘广续;马尧;高建平;马晓维;肖欣那 -专利权人：西安航天发动机有限公司
申请日： 2020-07-23 - 公布日： 2020-12-11 - 主分类号： C23C16/42 文献下载
摘要：本发明提供了一种立式真空炉加热机构，包括加热单元和绝缘单元，其中，加热单元包括加热板、过梁和电极底座，电极底座和过梁分别围成一个上下对应的圆环，加热板一端固定在过梁上，另一端固定在电极底座上，组成三角形电连接方式，电极底座用来连接电极引入电流；所述绝缘单元包括用于将两相邻过梁固连的定位板和套设在电极底座柱状凸起上的环形绝缘件。三相电由插入电极底座的电极接入，通过控制加载在电极上的电流大小以及加热板的数量来控制加热板自身发热大小，从而实现对炉内温度的控制；加热机构借助于电极底座采用悬挂式固定方式，与炉体上、下部无接触，减少加热机构对炉体的支撑绝缘要求，方便加热产品从炉底进出及活化剂蒸汽从顶部排出。
一种立式真空炉加热机构

[发明专利]透明高屏蔽膜、以及使用了它的高屏蔽层叠体-CN201680085697.4有效
发明人：河合公雄;西山了;吉田和巳 -专利权人：株式会社丽光
申请日： 2016-09-06 - 公布日： 2020-12-08 - 主分类号： C23C16/42 文献下载
摘要：本发明提供一种可以作为医疗用品的包装材料、柔性密封材料使用的兼具柔软性和高屏蔽性的高屏蔽膜。本发明的透明高屏蔽膜的特征在于，是在塑料膜上至少层叠有屏蔽层的透明屏蔽膜，满足(A)～(C)的全部条件，(A)屏蔽层是将依次层叠屏蔽层A、屏蔽层B、以及屏蔽层A而得的单元层叠2次以上的层。(B)屏蔽层A是利用XPS进行碳的定量分析时的碳的含有比例为大于0％且小于15％的范围的、由SiOC形成的层。(C)屏蔽层B是利用XPS进行碳的定量分析时的碳的含有比例为屏蔽层A的碳的含有比例的1.1～4.0倍的范围的、由SiOC形成的层。
透明屏蔽以及使用层叠

[发明专利]等离子体CVD装置和等离子体CVD法-CN202080002098.8在审
发明人：小林忠正;座间秀昭 -专利权人：株式会社爱发科
申请日： 2020-02-13 - 公布日： 2020-11-10 - 主分类号： C23C16/42 文献下载
摘要：等离子体CVD装置(10)具备：真空槽(21)，其划定存储成膜对象(S)的空间；储藏部(30)，其储藏不含氢的异氰酸酯基硅烷，在储藏部(30)内对异氰酸酯基硅烷进行加热，生成用于供给至真空槽(21)中的异氰酸酯基硅烷气体；配管(11)，其将储藏部(30)与真空槽(21)连接，用于将储藏部(30)生成的异氰酸酯基硅烷气体供给至真空槽(21)；温度调节部(12)，其将配管(11)的温度调节为83℃以上180℃以下；电极(22)，其配置在真空槽(21)内；以及电源(23)，其向电极(22)供给高频电力。在真空槽(21)中，在成膜对象(S)上形成氧化硅膜时，真空槽(21)内的压力为50Pa以上且小于500Pa。
等离子体 cvd 装置

[发明专利]气体阻隔性膜的制造方法-CN201780040108.5有效
发明人：铃木一生;河村朋纪 -专利权人：柯尼卡美能达株式会社
申请日： 2017-04-27 - 公布日： 2020-10-16 - 主分类号： C23C16/42 文献下载
摘要：本发明提供具有优异的气体阻隔性且透明性优异的气体阻隔性膜的制造方法。本发明涉及一种气体阻隔性膜的制造方法，包括使用组合物通过等离子体化学气相蒸镀法在基材上形成气体阻隔层的步骤，上述组合物含有选自Sn、Pt和Au中的至少一种金属元素0.1～10μg/L以及有机硅氧烷化合物。
气体阻隔制造方法

[发明专利]PECVD微晶硅锗(SIGE)-CN201810623048.6有效
发明人：池孝仁;法扎德·迪安·塔吉克;迈克尔·安东尼·罗莎 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2014-08-15 - 公布日： 2020-09-22 - 主分类号： C23C16/42 文献下载
摘要：本发明的实施方式大体涉及用于形成SiGe层的方法。在一个实施方式中，首先使用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)形成种晶SiGe层，并且也使用PECVD在PECVD种晶层上直接形成主体SiGe层。用于种晶SiGe层和主体SiGe层二者的处理温度低于450摄氏度。
pecvd 微晶硅锗 sige

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