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[发明专利]外延晶片-CN201910916681.9有效
发明人：西口太郎;玄番润;伊东洋典;畑山智亮;土井秀之 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2015-07-22 - 公布日： 2021-03-19 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：一种外延晶片，包括：具有第一主表面的碳化硅膜和具有第二主表面的碳化硅衬底。碳化硅衬底的直径不小于100mm，碳化硅膜形成在第二主表面上。在第一主表面中形成有沿第一主表面在一个方向上延伸的凹槽部，其在一个方向上的宽度是其在垂直于该一个方向的方向上的宽度的两倍或更大。凹槽部距第一主表面的最大深度不大于10nm且包括第一凹槽部和连接至第一凹槽部的第二凹槽部。第一凹槽部在一个方向上形成在凹槽部的一个端部中。第二凹槽部在一个方向上从第一凹槽部延伸至与该一个端部相反的另一个端部且距第一主表面的深度小于第一凹槽部的最大深度。第一凹槽部在横截面中具有三角形形状。第二凹槽部包括与第一主表面基本上平行的底表面。
外延晶片

[发明专利]外延晶片及其制造方法-CN201580041319.1有效
发明人：西口太郎;玄番润;伊东洋典;畑山智亮;土井秀之 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2015-07-22 - 公布日： 2019-10-22 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：一种外延晶片(100)，包括具有第一主表面(101)的碳化硅膜(120)。凹槽部(20)形成在第一主表面(101)中。凹槽部(20)沿第一主表面(101)在一个方向上延伸。而且，凹槽部(20)在该一个方向上的宽度是凹槽部(20)在垂直于该一个方向的方向上的宽度的两倍或更大。而且，凹槽部(20)距第一主表面(101)的最大深度不大于10nm。
外延晶片及其制造方法

[发明专利]碳化硅外延基板的制造方法和碳化硅外延基板-CN201580061654.8有效
发明人：和田圭司;西口太郎;玄番润 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2015-05-21 - 公布日： 2019-08-09 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：一种碳化硅外延基板的制造方法，所述方法包括：准备碳化硅单晶基板的步骤(S101)；将碳化硅单晶基板放置在成膜装置的腔室内并降低腔室内的压力的步骤(S102)；将腔室内的温度升高到第一温度的步骤(S103)；将氢气引入到腔室内而调节腔室内的压力的步骤(S104)；将烃气体引入到腔室内的步骤(S105)；在保持腔室内的调节后的压力和氢气的流量并引入烃气体的状态下，将腔室内的温度升高到第二温度并将温度在第二温度下保持预定时间的基板改性步骤(S106)；和通过在保持第二温度的状态下将硅烷气体引入到腔室内而在碳化硅单晶基板上生长外延层的步骤(S107)。
碳化硅外延制造方法

[发明专利]碳化硅外延基板-CN201580053722.6在审
发明人：西口太郎;和田圭司;玄番润;伊东洋典;土井秀之;平塚健二 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2015-08-18 - 公布日： 2017-05-24 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：碳化硅外延基板(100)包含碳化硅单晶基板(10)；和在碳化硅单晶基板(10)上的外延层(20)。碳化硅单晶基板(10)具有100mm以上的直径。外延层(20)具有10μm以上的厚度。外延层(20)具有1×1014cm‑3以上且1×1016cm‑3以下的载流子浓度。外延层(20)的面内的载流子浓度的标准偏差对所述面内的载流子浓度的平均值的比率为10％以下。外延层(20)具有主表面(21)。主表面(21)在三维表面粗糙度测量中具有0.3nm以下的算术平均粗糙度Sa。在主表面(21)中，源于贯通螺旋位错的凹坑的面密度为1000个cm‑2以下。凹坑(2)各自具有自主表面(21)起算8nm以上的最大深度。
碳化硅外延

[发明专利]制造碳化硅半导体衬底的方法-CN201480009899.1在审
发明人： 玄番润 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2014-03-26 - 公布日： 2016-06-22 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：提供一种制造碳化硅半导体衬底的方法，以便以低成体获得具有高度平坦表面的碳化硅半导体衬底。该制造碳化硅半导体衬底的方法包括：制备作为籽晶衬底的碳化硅衬底(1)的步骤(S10)；对碳化硅衬底(1)的主表面(1A)执行气相蚀刻的步骤(S20)；以及在主表面(1A)上外延生长碳化硅的步骤(S30)。从气相蚀刻的步骤(S20)中间，将包含碳原子的气体馈送到碳化硅衬底(1)。
制造碳化硅半导体衬底方法

[发明专利]碳化硅外延衬底、制造碳化硅外延衬底的方法、制造碳化硅半导体器件的方法、碳化硅生长装置和碳化硅生长装置部件-CN201480048923.2在审
发明人： 玄番润;西口太郎;土井秀之;松岛彰 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2014-07-25 - 公布日： 2016-05-11 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：一种具有主表面(第二主表面(2A))的碳化硅外延衬底(10)，其包含：基础衬底(1)，以及形成在所述基础衬底(1)上并包括所述主表面(第二主表面(2A))的碳化硅外延层(2)，所述第二主表面(2A)具有0.6nm或更低的表面粗糙度，在包括所述主表面(第二主表面(2A))的表面层处的所述碳化硅外延层(2)中的氮浓度的所述碳化硅外延衬底(10)平面内的标准偏差与在所述表面层处所述碳化硅外延层(2)中的氮浓度的所述碳化硅外延衬底(10)平面内的平均值之比，为15％或更低。
碳化硅外延衬底制造方法半导体器件生长装置部件

[发明专利]碳化硅半导体器件及其制造方法-CN201180011867.1无效
发明人：伊藤里美;原田真;玄番润;藤川一洋 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2011-10-19 - 公布日： 2012-11-14 - 主分类号： H01L21/337 文献下载
摘要：缓冲层（31）设置在衬底（30）上，由包含杂质的碳化硅制成，并且具有大于1μm且小于7μm的厚度。漂移层（32）设置在缓冲层（31）上，并且由具有比缓冲层（31）的杂质浓度小的杂质浓度的碳化硅制成。以此方式，能够提供一种包括具有所期望的杂质浓度和高结晶性的漂移层（32）的碳化硅半导体器件。
碳化硅半导体器件及其制造方法