[发明专利]单晶金刚石和金刚石工具在审
申请号: | 201480002248.X | 申请日: | 2014-04-02 |
公开(公告)号: | CN104603335A | 公开(公告)日: | 2015-05-06 |
发明(设计)人: | 西林良树;植田晓彦;角谷均;小林丰;关裕一郎;高桥利也 | 申请(专利权)人: | 住友电气工业株式会社;住友电工硬质合金株式会社 |
主分类号: | C30B29/04 | 分类号: | C30B29/04;C01B31/06 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人: | 杨海荣;穆德骏 |
地址: | 日本大阪*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 单晶金刚石(10)为引入了缺陷部(11)的单晶金刚石。所述缺陷部(11)能够通过在利用圆偏振光照射单晶金刚石(10)时产生的相位差而被检测。在单晶金刚石(10)中,在以具有1mm边长的正方形的形状形成的测定区域(M)内测定的相位差的平均值的最大值为30nm以上。 | ||
搜索关键词: | 金刚石 金刚石工具 | ||
【主权项】:
一种单晶金刚石,其中引入了缺陷部,所述缺陷部能够通过在利用圆偏振光照射所述单晶金刚石时产生的相位差而被检测,且在以具有1mm边长的正方形的形状形成的测定区域内测定的所述相位差的平均值的最大值为30nm以上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于住友电气工业株式会社;住友电工硬质合金株式会社;,未经住友电气工业株式会社;住友电工硬质合金株式会社;许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201480002248.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:用于制造具有标记的绳索的方法和设备
- 下一篇:一种气体扩散电极及其制备方法
- 同类专利
- 一种抑制单晶金刚石棱边多晶化的方法-201811009881.8
- 卢灿华;王志涛;陈明;张国凯;翟东升 - 中南钻石有限公司
- 2018-08-31 - 2019-10-22 - C30B29/04
- 本发明属于单晶金刚石制备技术领域,具体涉及一种抑制单晶金刚石棱边多晶化的方法。所述抑制单晶金刚石棱边多晶化的方法,包括以下步骤:1)衬底的制备与选取:分切单晶得到若干衬底,所述衬底具有(100)取向,厚度为300‑350μm;2)衬底的预处理:将步骤1)中的衬底依次经酸处理、丙酮和酒精超声清洗后,选择质量较好、无杂质缺陷的一面作为生长表面;3)晶体的生长。本发明通过严格控制制备过程中每个步骤的气体流量比例和功率压力配比,根据每个生长阶段设计相应的参数比例,并配合严格的温度控制,最终改善单晶金刚石的沉积质量。
- 一种用于降低CVD合成金刚石杂质含量的装置-201822137080.1
- 黄翀;彭国令 - 长沙新材料产业研究院有限公司
- 2018-12-19 - 2019-10-08 - C30B29/04
- 本实用新型提供一种用于降低CVD合成金刚石杂质含量的装置,包括基板台与以及设在基板台顶部的衬底,衬底的顶部设有能够安置金刚石籽晶的镀层,镀层由多晶金刚石制成。由于衬底表面沉积多晶金刚石膜,阻挡了金刚石籽晶与异质衬底的接触,有效的隔离了衬底杂质原子,提高单晶金刚石的合成质量;由于衬底表面设置多晶金刚石材质的镀层,增加了衬底表面的粗糙度,因此对于金刚石籽晶的位置固定,具有显著的作用,可以最大化的利用有限空间,尽可能的合成多颗单晶金刚石,降低成本;由于多晶金刚石材质的镀层的热导率很高,增加了金刚石籽晶之间的温度均匀性,更利于单晶金刚石长时间的稳定生长。本实用新型应用于金刚石合成设备领域。
- 单晶金刚石及其制造方法、包含单晶金刚石的工具和包含单晶金刚石的部件-201580039728.8
- 辰巳夏生;西林良树;角谷均 - 住友电气工业株式会社
- 2015-07-22 - 2019-10-08 - C30B29/04
- 在单晶金刚石(20)的晶体生长主表面(20m)的X射线形貌照片中,晶体缺陷点(20dp)的组聚集而存在,各个晶体缺陷点(20dp)是到达所述晶体生长主表面(20m)的晶体缺陷线(20dq)的前端点,所述晶体缺陷线(20dq)表示其中存在晶体缺陷(20d)的线。此外,在所述单晶金刚石(20)中,平行存在多个晶体缺陷线状聚集区域(20r)。在所述多个晶体缺陷线状聚集区域(20r)中,晶体缺陷点(20dp)的组聚集并在相对于一个任意规定方向成30°以内的角的方向上以线状延伸。由此,提供一种单晶金刚石,所述单晶金刚石适合用于切削工具、抛光工具、光学部件、电子部件、半导体材料等。
- 一种多色单晶金刚石生长方法-201910434086.1
- 张军安;张天翊;张军恒;王琦;胡付生 - 宁波晶钻工业科技有限公司
- 2019-05-23 - 2019-09-10 - C30B29/04
- 本发明公开了一种多色单晶金刚石生长方法,其包括以下步骤:(S1)提供单晶金刚石种晶;(S2)清除种晶存在的杂质;(S3)将种晶放入可控的生长环境,并以可控制的方式将选自氮元素或硼元素的化学掺杂剂元素引入到种晶的生长环境中以使得种晶生长为指定颜色的单晶金刚石,其中每完成一次颜色的生长后以可控制的方式对种晶进行切割研磨以实现每层颜色的厚度控制,并改变生长环境和/或引入化学掺杂剂元素的种类使得种晶再次生长,从而使得种晶生长形成的单晶金刚石具有指定的颜色组合及指定的每层颜色的厚度。本发明能够实现人为控制单晶金刚石的颜色组合及每层颜色的厚度,颜色可达到两种及两种以上。
- 一种提高大尺寸单晶金刚石接缝质量的方法-201910483756.9
- 刘金龙;朱肖华;李成明;邵思武;郑宇亭;赵云;魏俊俊;陈良贤;周建军 - 北京科技大学
- 2019-06-04 - 2019-08-30 - C30B29/04
- 一种提高大尺寸单晶金刚石接缝质量的方法,属于单晶金刚石材料领域。将两片单晶金刚石同时进行研磨抛光后,在表面采用激光刻蚀、电子束光刻技术、ICP刻蚀技术或聚焦离子束轰击方法进行不同形式刻槽处理后实现低位错密度、高质量拼接接缝刻槽处理,然后将两个单晶金刚石在微波等离子体条件下进行拼接生长,最后再将两片单晶金刚石通过横向外延拼接到一起,得到无拼接缝的高质量大面积单晶金刚石。不同微槽结构可以实现对微波等离子体的屏蔽,从而优化横纵生长速率的比值,进而有效抑制横向外延所产生的位错缺陷,避免CVD生长层出现多晶化现象或位错延续形成高位错密度的低质量区,实现金刚石接缝质量的提高。
- 单晶金刚石材料和包括所述金刚石材料的工具、辐射温度监测器和红外光学组件-201580059054.8
- 西林良树;植田晓彦;小林丰 - 住友电气工业株式会社;住友电工硬质合金株式会社
- 2015-10-29 - 2019-08-20 - C30B29/04
- 一种单晶金刚石材料,具有对于波长大于或等于410nm且小于或等于750nm的任何波长的光的小于或等于15%的透过率,并且是根据光学评估的电绝缘体和根据电气评估的电绝缘体中的至少任何一个。光学评估的准则可以是波长为10.6μm光的透过率大于或等于1%的。电气评估的标准可以是平均电阻率大于或等于1×106Ωcm。因此,提供了在可见光区域的整个区域中具有低透过率且呈现黑色的单晶金刚石材料。
- 一种人工合成柱状金刚石大单晶的方法-201910401179.4
- 贾晓鹏;王遥;马红安 - 吉林大学
- 2019-05-15 - 2019-07-26 - C30B29/04
- 本发明的一种人工合成柱状金刚石大单晶的方法,属于晶体生长中的金刚石单晶生长的技术领域。所述的柱状金刚石大单晶,包括柱状金刚石片晶和柱状金刚石塔晶,晶体为长条形,长宽比为1.05~2.0。采用高温高压温度梯度法合成金刚石大单晶,合成压力为5~6GPa,腔体中心温度为1260~1360℃,合成时间为10~30h;所述的籽晶为长条形晶面,长宽比大于1.5。本发明直接合成柱状金刚石大单晶,避免了金刚石在使用前的大幅度加工,满足了某些领域对柱状金刚石的需求。该方法合成晶体质量没有明显的缺陷,形状规则对称,并且操作简单,成本低,具有可重复性,能够满足批量化生产要求。
- 单晶金刚石生长方法和装置-201810353439.0
- 汤朝晖;高冰;刘胜;汪启军;张磊;潘俊衡;谢英 - 武汉大学
- 2018-04-19 - 2019-06-25 - C30B29/04
- 本发明提供一种单晶金刚石生长方法和装置,能够实现大尺寸单晶金刚石的快速生长。本发明所提供的单晶金刚石生长方法,包括如下步骤:将金刚石衬底放置于谐振腔中;将含有碳源和氢气的反应气体通入电离腔中进行充分电离,然后将电离后的气体通入谐振腔中进行微波等离子体化学气相沉积,在衬底上快速生长金刚石。装置包括:气相沉积部,包含:用于金刚石外延生长的谐振腔,设置在谐振腔中、用于放置金刚石外延衬底的基片台,以及与谐振腔相连的微波发生器;和电离部,包含:与谐振腔相连通的电离腔,分别设置在电离腔的出口端和入口端的两块电极,以及设置在电离腔外围、对电离腔进行冷却的冷却腔。
- 高效大尺寸单晶金刚石的生长方法和装置-201810353440.3
- 刘胜;汪启军;甘志银;曹强 - 武汉大学
- 2018-04-19 - 2019-06-25 - C30B29/04
- 本发明提供一种高效大尺寸单晶金刚石的生长方法和装置。本发明所提供的生长方法,包括如下步骤:将金刚石衬底放置于微波谐振腔中的基片台上;将含有碳源和氢气的反应气体通过喷头送入激光解离腔内进行充分电离;在基片台和喷头之间施加电场;然后将电离后的气体通入微波谐振腔中进行微波等离子体化学气相沉积,在衬底上快速生长单晶金刚石。装置包括:气相沉积部,包含:微波谐振腔,基片台,以及与微波谐振腔相连的微波发生器;激光解离部,包含:与微波谐振腔相连通的激光解离腔,将反应气体送入激光解离腔内的喷头,激光器,以及连通激光解离腔和微波谐振腔的连接管;以及电场施加部,与基片台和喷头相连,施加外电场。
- 具有涂覆层的金刚石合成用衬底及金刚石合成系统-201910095772.0
- 黄翀;彭国令 - 长沙新材料产业研究院有限公司
- 2019-01-31 - 2019-06-21 - C30B29/04
- 本发明提供了具有涂覆层的金刚石合成用衬底及金刚石合成系统,用于放置金刚石合成用的籽晶,至少包含一个样品安装表面,样品安装表面上有多个籽晶安装槽,样品安装表面的粗糙度大于籽晶安装槽底面的粗糙度。针对现有技术中金刚石批量生产过程中,金刚石固定及多晶生长的问题,在衬底表面均匀的镀覆一层薄膜,使镀层表面粗糙化,以达到固定金刚石籽晶、批量固定以及抑制多晶生长的目的。还提供一种金刚石合成系统,包括:微波源;微波耦合系统;带有进气系统、出气系统的反应腔;与反应腔连接的真空系统;位于反应腔内的衬底,衬底至少包含一个样品安装表面,样品安装表面上有多个籽晶安装槽,样品安装表面的粗糙度大于籽晶安装槽底面的粗糙度。
- 一种利用方形槽镶嵌式衬底托抑制多晶金刚石生长的方法-201710322318.5
- 齐成军;陈建丽;张嵩;王再恩;王军山;兰飞飞;李强;赖占平;孙科伟 - 中国电子科技集团公司第四十六研究所
- 2017-05-09 - 2019-06-21 - C30B29/04
- 本发明公开了一种利用方形槽镶嵌式衬底托抑制多晶金刚石生长的方法。首先制作衬底托,在衬底托表面中央位置开两个同心的方形槽;将衬底托表面及槽内磨平抛光;用无水乙醇进行超声清洗,再等离子体清洗;将单晶金刚石衬底用丙酮进行超声清洗,置于衬底托槽内,再装入生长设备;在设备中对衬底进行等离子体清洗;再加入甲烷,进行单晶金刚石生长。由于石墨体在衬底与衬底托之间沉积,衬底侧边与衬底托有接触,增大了衬底边缘的冷却效果,优化单晶金刚石衬底整体温度均匀性;极大地避免了衬底边缘出现多晶生长。通过实验发现利用方形槽镶嵌式衬底托可有效抑制了单晶金刚石在生长过程中的边缘多晶,获得了尺寸不缩小的单晶金刚石样品。
- 多晶金刚石体、切削工具、耐磨工具、磨削工具以及用于制造多晶金刚石体的方法-201510229309.2
- 石田雄;山本佳津子;角谷均 - 住友电气工业株式会社
- 2015-05-07 - 2019-05-28 - C30B29/04
- 本发明提供了一种包含金刚石颗粒的多晶金刚石体。所述金刚石颗粒的平均粒径为50nm或更小。在23℃±5℃、4.9N的测试负荷下的努氏硬度测定中,所述多晶金刚石体的努氏压痕的对角线中较短对角线的长度B与较长对角线的长度A的比值为0.080或更小,其中该比值表示为比值B/A。该多晶金刚石体具有韧性且具有小粒径。本发明还提供了一种切削工具、耐磨工具、磨削工具,以及用于制造多晶金刚石体的方法。
- 一种单晶碳晶纳米镀膜方法及反应器-201910207690.0
- 卢国东;陈密;顾风军;瞿如娟;黎川 - 苏州彩生新材料有限公司
- 2019-03-19 - 2019-05-17 - C30B29/04
- 本发明公开了一种单晶碳晶纳米镀膜方法及反应器,其包括一面敞口的炉体和面板,所述面板安装在炉体的敞口面上整体形成封闭的反应器,所述炉体内设置有隔板,隔板一端安装在炉体内侧壁上,另一端设置为向上倾斜翘起,所述隔板上还设置有两挡板,两挡板之间形成基材放置区域;所述炉体的上端面设置有铜柱和进气口,下端面设置有铜柱和出气口,炉体的一侧壁上设置有进气口,另一个相对的侧壁上设置有激光口。本发明结构简单、操作方便、镀膜效率高,具有较好的市场推广价值和应用前景。
- 金刚石基板及金刚石基板的制造方法-201580002536.X
- 会田英雄;小山浩司;池尻宪次郎;金圣祐 - 安达满纳米奇精密宝石有限公司
- 2015-02-02 - 2019-05-17 - C30B29/04
- 本发明提供通过在结晶生长时释放应力而防止金刚石基板产生裂纹、且能将金刚石基板内部的结晶面的曲率降低到超过0km‑1且1500km‑1以下的金刚石基板及制造方法。该金刚石基板的制造方法的特征在于,准备基体基板,在该基体基板的单面形成多个由金刚石单晶构成的柱状金刚石,使金刚石单晶从各柱状金刚石的前端生长,并使从各柱状金刚石的前端生长的各金刚石单晶聚结以形成金刚石基板层,从基体基板将金刚石基板层分离,由金刚石基板层制造金刚石基板,使金刚石基板的内部的结晶面的曲率为超过0km‑1且1500km‑1以下。
- 一种宝石级无色钻石的人工合成方法-201710478166.8
- 邵增明;张存升;陈正威;关博;田秀峰 - 河南省力量钻石股份有限公司
- 2017-06-21 - 2019-04-23 - C30B29/04
- 本发明公开了一种宝石级无色钻石的人工合成方法,该方法首先利用Fe基金属触媒、高纯石墨、微量元素压制为钻石生长层;将钻石生长层及除氮金属层以不同排列方式放置在高纯氧化镁杯中形成钻石合成柱;钻石合成柱外依次设置发热碳管、传压盐管、复合叶腊石,并在两端设置发热碳片及导电金属圈组合为钻石合成块;钻石合成块经过真空干燥处理之后放置在高温压机中在1300~1500℃、5.5~6.5GPa条件下运行24~300小时,高温高压合成制得无色钻石。该方法所用结构合理、制备操作简单、成本低,所得无色钻石晶型完整一致,粒度均匀、颜色纯正、转化率高,可有效解决现有无色钻石合成周期长、产出率低、一致性差等难题。
- 具有优化的材料组成的多晶金刚石结构-201610145112.5
- J·丹尼尔·贝尔纳普;格奥尔基·沃罗宁;余峰;彼得·卡里维奥 - 史密斯国际有限公司
- 2011-11-23 - 2019-04-19 - C30B29/04
- 包括金刚石主体的金刚石结合结构,该金刚石主体包括晶粒间结合的金刚石和间隙区。所述主体具有工作面和分界面,并可以结合至金属基底。所述主体具有约大于1.5%的梯度金刚石体积,其中在该分界面处的金刚石含量小于94%,并朝向工作面增加。所述主体可以包括基本不含有催化剂材料的区域,否则该催化剂材料分布在所述主体内,并存在梯度含量。所述主体内可包括附加材料,该附加材料存在变化的量。所述主体可通过例如6200MPa至10000MPa的高压HPHT工艺来形成,以产生烧结主体,该主体具有特有的金刚石体积分数与平均晶粒尺寸之间的关系,区别于传统压力HPHT工艺形成的金刚石结合结构中金刚石体积分数与平均晶粒尺寸之间的关系。
- 金刚石晶体、金刚石元件、磁传感器、磁测量装置、以及传感器阵列的制造方法-201580005169.9
- 波多野睦子;岩崎孝之;水落宪和;牧野俊晴;加藤宙光;山崎聪 - 国立研究开发法人科学技术振兴机构;国立研究开发法人产业技术综合研究所
- 2015-01-19 - 2019-04-19 - C30B29/04
- 本发明提供能够以高灵敏度进行在常温且大气中的二维磁测定的技术。本发明的金刚石晶体的特征在于,在表面或表面附近具有包含置换了碳原子的氮和与该氮相邻的空位的复合体(NV中心)的NV区域,该NV区域具有NV中心的浓度以上的施主浓度;或者,NV区域的结晶面为{111}面或与{111}面具有±10°以内的偏离角的面,NV中心的主轴为与{111}面正交的<111>轴。利用这样的金刚石晶体,能够使NV中心基本上100%都成为负电荷的状态(NV‑),并且,能够使NV‑中心的自旋状态向一个方向对齐,ODMR信号的峰也变得尖锐。此外,利用本发明的传感器阵列,能够将上述金刚石晶体中生成的NV中心维持于负电荷的状态(NV‑)。
- 一种Si-V发光的纳米金刚石晶粒及其制备方法-201610870724.0
- 胡晓君;仰宗春 - 浙江工业大学
- 2016-09-30 - 2019-04-09 - C30B29/04
- 本发明提供了一种Si‑V发光的纳米金刚石晶粒,其制备方法为:采用热丝化学气相沉积法,在经过纳米金刚石溶液超声振荡预处理的石英衬底上制备得到纳米金刚石薄膜,再将其置于500~650℃的空气中保温10~50min,得到沉积于石英衬底上的Si‑V发光的单颗粒层纳米金刚石薄膜;通过超声振荡,将Si‑V发光的单颗粒层纳米金刚石薄膜从石英衬底上剥离;并继续进行超声振荡,将纳米金刚石薄膜震碎,制得Si‑V发光的纳米金刚石晶粒;本发明简单易行、容易操作,制备了尺寸在70~100nm的Si‑V发光的纳米金刚石晶粒,其晶型规则,发光峰的归一化强度约为4.5,为纳米金刚石在生物标记等领域的应用提供了重要基础。
- 一种高速率生长单晶金刚石的方法-201811426915.3
- 李升;刘宏明;左浩 - 西安碳星半导体科技有限公司
- 2018-11-27 - 2019-03-29 - C30B29/04
- 本发明涉及金刚石生长的技术领域,特别是涉及一种高速率生长单晶金刚石的方法,其在生产宝石级单晶金刚石时,可以在单位时间内提高金刚石的生产速度,缩短金刚石的生长周期,提高生产效率和经济效益;包括以下步骤:(1)选择衬底;(2)衬底初步清洗;(3)超声波清洗;(4)干燥处理;(5)水路连接;(6)调节生长条件;(7)衬底预处理;(8)气体混合;(9)金刚石生长;(10)后处理;(11)冷却。
- 一种CVD单晶金刚石生长预处理的方法-201811427010.8
- 刘宏明;李升;左浩 - 西安碳星半导体科技有限公司
- 2018-11-27 - 2019-03-29 - C30B29/04
- 本发明涉及金刚石衬底处理的技术领域,特别是涉及一种CVD单晶金刚石生长预处理的方法,其可以在开始生长前对衬底进行预处理,清除衬底表面的污染物,提高生长出的单晶金刚石的质量和纯度;包括以下步骤:(1)衬底选择;(2)超声波清洗;(3)第一次干燥处理;(3)化学清洗;(4)第二次干燥处理;(5)衬底转移;(6)调整腔体内的参数;(7)混合刻蚀;(8)氢气刻蚀。
- 一种采用垂直沉积模板制备单晶金刚石反蛋白石的方法-201710101532.8
- 朱嘉琦;舒国阳;代兵;刘康;赵继文;姚凯丽;王强;王杨;孙明琪;杨磊;雷沛;韩杰才 - 哈尔滨工业大学
- 2017-02-23 - 2019-03-29 - C30B29/04
- 一种采用垂直沉积模板制备单晶金刚石反蛋白石的方法,本发明涉及单晶金刚石反蛋白石的制备方法。本发明要解决现有的金刚石反蛋白石结构只能制备出多晶体,从而导致其力学、光学和热学综合性能的下降的问题。方法:一、金刚石晶片预处理;二、SiO2微球预处理;三、SiO2多层微球自组装;四、掩模板处理;五、反蛋白石单晶金刚石生长;六、生长后处理;七、掩模板去除。本发明用于一种采用垂直沉积模板制备单晶金刚石反蛋白石的方法。
- 一种采用LB掩模板制备单晶金刚石反蛋白石的方法-201710101533.2
- 代兵;舒国阳;朱嘉琦;刘康;赵继文;王强;王杨;姚凯丽;孙明琪;杨磊;雷沛;韩杰才 - 哈尔滨工业大学
- 2017-02-23 - 2019-03-29 - C30B29/04
- 一种采用LB掩模板制备单晶金刚石反蛋白石的方法,本发明涉及单晶金刚石反蛋白石的制备方法。本发明要解决现有的金刚石反蛋白石结构只能制备出多晶体,从而导致其力学、光学和热学综合性能的下降的问题。方法:一、金刚石晶片预处理;二、SiO2微球预处理;三、掩模板沉积;四、掩模板处理;五、单层反蛋白石单晶金刚石生长;六、生长后处理;七、多掩模板沉积及金刚石生长;八、掩模板去除。本发明用于一种采用LB掩模板制备单晶金刚石反蛋白石的方法。
- 金刚石基板及金刚石基板的制造方法-201480053428.0
- 会田英雄;小山浩司;池尻宪次朗;金圣祐 - 安达满纳米奇精密宝石有限公司
- 2014-09-25 - 2019-03-26 - C30B29/04
- 提供直径2英寸以上的大型的金刚石基板。此外,提供能够制造直径2英寸以上的大型的金刚石基板的金刚石基板的制造方法。准备基底基板,在该基底基板的单面上形成多个由金刚石单晶体构成的柱状金刚石,使金刚石单晶体从各柱状金刚石的末端生长,使从各柱状金刚石的末端生长出的各金刚石单晶体聚结而形成金刚石基板层,将金刚石基板层从基底基板分离,由金刚石基板层制造金刚石基板,由此,由金刚石单晶体形成金刚石基板,金刚石基板的平面方向的形状形成为圆形或者设置有定向平面的圆形,且直径为2英寸以上。
- 一种生长单晶金刚石的生长结构-201820518712.6
- 王宏兴;王艳丰;常晓慧;邵国庆;魏孔庭;张景文;卜忍安;侯洵 - 西安交通大学
- 2018-04-12 - 2019-01-15 - C30B29/04
- 本实用新型公开了一种生长单晶金刚石的生长结构,包括依次层叠设置的衬底、择优取向多晶金刚石层和单晶金刚石,解决了金刚石生长尺寸小,以及生长所得单晶金刚石内部应力大的问题。
- 一种大尺寸CVD金刚石晶体的制备方法-201811156622.8
- 刘长江;王笃福;王希玮;王盛林 - 济南中乌新材料有限公司
- 2018-09-30 - 2019-01-08 - C30B29/04
- 一种大尺寸CVD金刚石晶体的制备方法,包括以下步骤:(1)将HPHT法生长的金刚石单晶切割,形成HPHT金刚石单晶晶片;(2)进行表面清洗;(3)在HPHT金刚石单晶晶片上甩光刻胶并进行坚膜;形成设计图形;(4)利用CVD法沉积介质膜;(5)去除设计图形以外的光刻胶和介质膜,形成设计介质膜图形;(6)HPHT金刚石单晶晶片放入CVD设备中拼接,并进行等离子体刻蚀,形成新的表面;(7)利用微波等离子体化学气象沉积方法在形成的新表面上生长厚层CVD金刚石单晶;(8)切割去除拼接的HPHT金刚石单晶晶片,形成自支撑大尺寸CVD金刚石晶体。本发明抑制了利用CVD法生长的拼接金刚石单晶的晶界及附近生长缺陷,保证了晶体质量,得到了自支撑大尺寸CVD金刚石晶体。
- 一种交叉拼接生长大面积单晶金刚石的方法-201810993970.4
- 王宏兴;王艳丰;常晓慧;王若铮;刘璋成;赵丹;魏孔庭;邵国庆;张景文;卜忍安;侯洵 - 西安交通大学
- 2018-08-29 - 2018-12-11 - C30B29/04
- 本发明公开了一种交叉拼接生长大面积单晶金刚石的方法,n个单晶金刚石拼接,n为大于等于2的正整数;其中,两两相邻单晶金刚石的待生长面不平行,且在相邻的待生长面上形成交叉点;在n个单晶金刚石的待生长面上同时生长出完整的大单晶金刚石。从交叉点开始生长连接两块金刚石单晶微观结构,然后逐步扩展至整个拼接斜面,实现两块金刚石的牢固连接并在拼接斜面形成单晶,为拼接生长完整大面积单晶金刚石提供了一种新的方法。
- 单晶金刚石合成装置-201820639884.9
- 马懿;马修·L·斯卡林;朱金华;吴建新;缪勇;卢荻;艾永干;克里斯托弗·E·格里芬 - 苏州贝莱克晶钻科技有限公司
- 2018-05-02 - 2018-11-30 - C30B29/04
- 本申请公开了一种单晶金刚石合成装置,包括微波源、等离子体耦合装置和谐振装置,所述谐振装置包括一谐振腔,所述谐振腔内具有一金刚石生长面,等离子体耦合装置能够将来自所述微波源的微波在金刚石生长面的下方激发形成等离子体。本实用新型通过在基片下表面沉积金刚石薄膜,可以有效的解决金刚石生产过程中的杂质污染。
- 金刚石涂层及沉积该涂层的方法-201480043361.2
- S·梅尔扎格赫;C·福雷;P·杜博瓦 - 斯沃奇集团研究和开发有限公司
- 2014-07-02 - 2018-10-23 - C30B29/04
- 本发明涉及金刚石涂层,其特征在于它包含至少一个第一纳米晶金刚石层和第二微晶金刚石层的叠层。
- 一种横向搭桥拼接生长大面积单晶金刚石的方法-201810671214.X
- 王宏兴;王艳丰;常晓慧;邵国庆;魏孔庭;张景文;卜忍安;侯洵 - 西安交通大学
- 2018-06-26 - 2018-10-19 - C30B29/04
- 本发明公开了一种横向搭桥拼接生长大面积单晶金刚石的方法,将单晶金刚石衬底I和单晶金刚石衬底II进行拼接,在接缝处生长出桥状连接部分,并继续外延生长得到完整的大面积单晶金刚石层;其中,单晶金刚石衬底I在拼接处的厚度小于单晶金刚石衬底II在拼接处的厚度。解决了金刚石拼接生长过程中拼接缝明显,金刚石容易发生相对移动的问题,从而降低拼接处出现裂纹甚至裂开的风险。
- 一种能增强单晶金刚石韧性的复合层结构-201820307329.6
- 武迪;郑大平;朱瑞;杨明;徐元成 - 湖北碳六科技有限公司
- 2018-03-06 - 2018-10-12 - C30B29/04
- 本实用新型公开了一种能增强单晶金刚石韧性的复合层结构,包括纯单晶金刚石层和掺氮单晶金刚石层;所述纯单晶金刚石层和掺氮单晶金刚石层交错分布,所述纯单晶金刚石层位于复合层结构的最外侧。该复合层结构有效提高了单晶金刚石的韧性和硬度,能够应用于精密加工和超精密加工领域中,并且能够提高产品的使用寿命。
- 专利分类