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[发明专利]金刚石晶体、金刚石元件、磁传感器、磁测量装置、以及传感器阵列的制造方法-CN201580005169.9有效
发明人： 波多野睦子;岩崎孝之;水落宪和;牧野俊晴;加藤宙光;山崎聪 -专利权人：国立研究开发法人科学技术振兴机构;国立研究开发法人产业技术综合研究所
申请日： 2015-01-19 - 公布日： 2019-04-19 - 主分类号： C30B29/04 文献下载
摘要：本发明提供能够以高灵敏度进行在常温且大气中的二维磁测定的技术。本发明的金刚石晶体的特征在于，在表面或表面附近具有包含置换了碳原子的氮和与该氮相邻的空位的复合体(NV中心)的NV区域，该NV区域具有NV中心的浓度以上的施主浓度；或者，NV区域的结晶面为{111}面或与{111}面具有±10°以内的偏离角的面，NV中心的主轴为与{111}面正交的<111>轴。利用这样的金刚石晶体，能够使NV中心基本上100％都成为负电荷的状态(NV^‑)，并且，能够使NV^‑中心的自旋状态向一个方向对齐，ODMR信号的峰也变得尖锐。此外，利用本发明的传感器阵列，能够将上述金刚石晶体中生成的NV中心维持于负电荷的状态(NV^‑)。
金刚石晶体元件传感器测量装置以及阵列制造方法

[发明专利]金刚石半导体装置及其制造方法-CN201380042569.8有效
发明人：加藤宙光;牧野俊晴;小仓政彦;竹内大辅;山崎聪;波多野睦子;岩崎孝之 -专利权人：独立行政法人产业技术综合研究所
申请日： 2013-08-08 - 公布日： 2018-01-26 - 主分类号： H01L21/337 文献下载
摘要：本发明提供一种能够大幅提高器件设计的自由度，并且能够有效制造的金刚石半导体装置及其制造方法。本发明的金刚石半导体装置具有金刚石衬底、在上述金刚石衬底的具有{001}的结晶面的衬底面上大致垂直地隆起配置的金刚石台阶部、n型的掺磷金刚石区域、金刚石绝缘区域，所述金刚石台阶部，将侧面具有{110}的结晶面的第一台阶部和侧面具有{100}的结晶面的第二台阶部形成为一体，所述掺磷金刚石区域以所述第一台阶部的所述台阶形状的底角为起点且以所述第一台阶部的侧面及所述金刚石衬底的所述衬底面为生长基面进行结晶生长而形成，所述金刚石绝缘区域以所述第二台阶部的侧面及所述金刚石衬底的所述衬底面为生长基面进行结晶生长而形成。
金刚石半导体装置及其制造方法

[发明专利]静电电容式触摸板和具有该触摸板的画面输入式显示装置-CN200910133593.8有效
发明人：木下将嘉;万场则夫;波多野睦子 -专利权人：株式会社日立显示器
申请日： 2009-04-16 - 公布日： 2009-10-21 - 主分类号： G06F3/044 文献下载
摘要：本发明提供一种静电电容式触摸板，包括：基板；并排设置在基板上的多个第一电极；覆盖多个第一电极而形成的绝缘膜；在绝缘膜上与多个第一电极交叉而并排设置的多个第二电极；分别与多个第一电极连接并被引出至连接端子的多条第一引出布线；以及分别与多个第二电极连接并被引出至连接端子的多条第二引出布线，多条第一引出布线具有不同的布线长度，布线长度越短则布线宽度越宽，并且布线长度越长则与相邻的第一引出布线的间隔越大。根据本发明，能通过使检测灵敏度均匀而提高检测精度。
静电电容触摸具有画面输入显示装置

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN200810130304.4有效
发明人：服部孝司;波多野睦子 -专利权人：株式会社日立显示器
申请日： 2008-07-04 - 公布日： 2009-01-14 - 主分类号： H01L21/84 文献下载
摘要：本发明的课题在于提供一种采用转印方式在树脂基板上形成TFT的方法，所述方法不需降低操作温度，可以使用现有的生产线，同时能够抑制成本。本发明涉及一种半导体装置的制造方法，所述半导体装置的制造方法包含如下工序：在支承基板的上层形成树脂膜(a)的工序、在树脂膜(a)的上层形成半导体元件的工序、和从形成有半导体元件的树脂膜(a)上剥离支承基板的工序，其中，树脂膜(a)的膜厚为1μm以上30μm以下，波长400nm以上800nm以下的可见光的透过率为80％以上，重量减少3％的温度为300℃以上，熔点为280℃以上。
半导体装置制造方法

[发明专利]显示装置-CN200710300421.6有效
发明人：河村哲史;佐藤健史;波多野睦子;丰田善章 -专利权人：株式会社日立显示器
申请日： 2007-12-27 - 公布日： 2008-07-23 - 主分类号： G02F1/1362 文献下载
摘要：提供一种可以提高像素的开口率的显示装置。在基板上的像素区域内，依次层叠有透明氧化物层、绝缘膜和导电层，上述导电层具有与栅极信号线连接的薄膜晶体管的栅电极，上述透明氧化物层的至少使除了上述栅电极的正下方的沟道区域部以外的其他区域被导体化，且在该被导体化了的部分构成有源极信号线、与该源极信号线连接的上述薄膜晶体管的源极区域部、像素电极、以及与该像素电极连接的上述薄膜晶体管的漏极区域部。
显示装置

[发明专利]高灵敏度光传感元件和使用该元件的光传感装置-CN200710198851.1有效
发明人：田井光春;佐藤秀夫;波多野睦子;木下将嘉 -专利权人：株式会社日立显示器
申请日： 2007-12-14 - 公布日： 2008-06-25 - 主分类号： H01L31/112 文献下载
摘要：本发明提供一种高灵敏度的光传感元件和传感器驱动电路，其利用平面工艺仅用多晶材料在绝缘膜基板上形成。用多晶硅膜制作光传感元件和传感器驱动电路这两者，作为光传感元件，利用具有在绝缘性基板(10)上形成的第一电极(11)、受光区域(14)、第二电极和在受光区域(14)上形成的第三电极(13)的TFT而形成光电晶体管，在第三电极(13)下方的两侧的区域(15和16)或一侧的区域(15或16)中设置接近本征层的杂质层(活性杂质浓度在10¹⁷cm^－3以下)。
灵敏度传感元件使用装置

[发明专利]图像显示装置及其制造方法-CN200710166857.0有效
发明人：松村三江子;丰田善章;佐藤健史;波多野睦子 -专利权人：株式会社日立显示器
申请日： 2007-10-22 - 公布日： 2008-04-23 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明提供一种图像显示装置及其制造方法，通过做成具有能够削减注入和光刻的工序数的结构的薄膜晶体管，缩短了制造所花费的时间。栅极电极(GT)具有薄的下层金属(GMB)与上层金属(GMT)的层叠结构，保持电容(Cst)部分的上层电极取为仅有下层金属(GMB)。而且，使保持电容(Cst)的下部电极用注入通过薄的下层金属(GMB)与源极/漏极的注入同时进行。(PMOSTFT)的栅极电极也取为仅有下层金属(GMB)，利用相同的抗蚀剂进行源极/漏极的注入和阈值调整注入。通过将薄膜晶体管和保持电容取为这样的结构，能够削减1个光刻工序和1个注入工序，能以更短的时间、更低廉的价格获得用于图像显示装置的有源矩阵基板。
图像显示装置及其制造方法

[发明专利]图像显示装置及其制造方法-CN200710141176.9有效
发明人：芝健夫;波多野睦子;山口伸也;朴成基 -专利权人：株式会社日立制作所
申请日： 2002-07-10 - 公布日： 2008-01-30 - 主分类号： G02F1/1362 文献下载
摘要：一种电路内安装薄膜晶体管方式的图像显示装置，在基板上有显示像素块以及包括显示装置的四个角的外围电路块，在上述显示像素块及电路块的全部表面上或一部分上设有由晶体沿各向异性生长的多晶硅膜的晶粒的长度方向和电流方向一致的薄膜晶体管构成的电路，其方向在块内部沿水平方向或垂直方向对齐，该沿水平方向和垂直方向对齐的块从同一直线上看允许混合配置。
图像显示装置及其制造方法

[发明专利]薄膜晶体管和图像显示装置-CN200710112587.5有效
发明人：松村三江子;波多野睦子;宫本光秀 -专利权人：株式会社日立显示器
申请日： 2007-06-22 - 公布日： 2008-01-16 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明提供一种薄膜晶体管，消除在顶层栅极型薄膜晶体管的岛状半导体薄膜的端部发生的、由在硅薄膜端部处的栅极电场的集中和硅薄膜端部附近的固定电荷引起的阈值偏差而导致的电流成分。在岛状半导体薄膜(SEMI－I)的源极侧或漏极侧的某一单侧，使栅电极(GT)沿着该岛状半导体薄膜(SEMI－I)的轮廓不间断地延伸而设置分支闭路(DET)，取消作为子沟道的岛状半导体薄膜(SEMI－I)的端部的电流成分路径。
薄膜晶体管图像显示装置

[发明专利]具有图像显示装置的信息终端-CN200710004229.2无效
发明人：宫本光秀;波多野睦子;秋元肇;渡边一希;上坂晃一 -专利权人：株式会社日立显示器
申请日： 2007-01-18 - 公布日： 2007-09-19 - 主分类号： G09G5/00 文献下载
摘要：本发明提供一种具有显示图像数据的功能的信息终端。由天线(6)接收从位于信息终端(1)外部的主装置输出的电磁波，通过检波电路(7)转换为二值化信号。通过由该检波电路(7)得到的信号，电源电路(10)产生驱动处理器(8)、存储器(9)、显示部(2)、数据布线驱动电路(3)、扫描布线驱动电路(4)以及时序控制器(5)的电力。处理器(8)对检波电路(7)接收到的信号进行译码，将接收到的信息存储到存储器(9)。时序控制器(5)，根据由检波电路(7)二值化后的信号生成数据布线驱动电路(3)的控制信号、扫描布线驱动电路(4)的控制信号以及图像数据，并在显示部(2)显示图像。
具有图像显示装置信息终端

[发明专利]激光退火方法及激光退火装置-CN200410097883.9有效
发明人：本乡幹雄;矢崎秋夫;波多野睦子 -专利权人：株式会社日立显示器
申请日： 2004-11-30 - 公布日： 2005-08-03 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：提供一种激光退火方法及激光退火装置。借助插入到光束整形器和基板之间的转像器的以光轴为中心的转动，将利用调制器进行时间调制、利用光束整形器整形为细长形状的光束的激光的纵向方向围绕光轴转动，在对基板上的多个方向进行退火时，使整形为细长形状的激光在基板上转动，承载基板的基座只在XY两个方向上移动。由此，就可以将进行过时间调制，并且整形为细长形状的连续振荡的激光，在不使基板转动的情况下进行高速扫描对半导体薄膜进行退火。
激光退火方法装置

[发明专利]半导体薄膜的制造方法及图像显示装置-CN200410098554.6有效
发明人： 波多野睦子;本乡干雄;矢崎秋夫;田井光春;野田刚史;高崎幸男 -专利权人：株式会社日立显示器
申请日： 2004-12-09 - 公布日： 2005-08-03 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体薄膜的制造方法及图像显示装置，该制造方法是在基板上形成的半导体薄膜的任意区域，通过使激光或上述基板扫描进行激光照射，来形成结晶化了的大致带状晶体，使得晶粒在上述扫描方向上生长，以在与扫描方向大致相同的方向上测量出的上述激光的光束尺寸W(μm)的值x为X轴，以扫描速度Vs(m/s)的值y为Y轴，在这样的XY坐标上，在条件1：上述光束尺寸W大于激光光束的波长，条件2：上述扫描速度Vs小于晶体生长速度的上限，条件3：x×(1/y)＜25μs全都成立的区域内进行上述结晶化处理。能得到降低了在结晶化的过程中产生的膜的粗糙度和晶体缺陷的高质量且均质的半导体薄膜。
半导体薄膜制造方法图像显示装置

[发明专利]平面显示装置的制造装置-CN200410098335.8有效
发明人：矢崎秋夫;本乡幹雄;波多野睦子;野田刚史 -专利权人：株式会社日立显示器
申请日： 2004-12-03 - 公布日： 2005-08-03 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：提供一种平面显示装置的制造装置。设有一直测定激光的空间强度分布及光轴的偏移的机构，入射到激光整形光学元件上的入射激光偏离了规定的条件时，对测定的信号进行处理，根据该处理结果，利用配置在光轴上的被插入构成光束放大器的透镜的焦点位置的空间滤波器，使入射到激光整形光学元件上的激光的光束形状、光束直径、入射位置一直保持预定的条件。因此，能在构成平面显示装置的显示面板的绝缘基板上，以高合格率稳定地形成有均匀的结晶性的硅薄膜。
平面显示装置制造装置

[发明专利]激光退火方法及激光退火装置-CN200410091294.X无效
发明人：本乡干雄;矢崎秋夫;波多野睦子;野田刚史;高崎幸男 -专利权人：株式会社日立显示器
申请日： 2004-12-01 - 公布日： 2005-08-03 - 主分类号： H01L21/324 文献下载
摘要：在用光束整形器把由调制器调制过的激光整形成细长形的光束时，使光束整形器整形为细长形的光束沿扫描方向的尺寸为2～10μm、2～4μm更好，扫描速度为300～1000mm/s、500～1000mm/s更好，从而使激光能源利用效率高，而且能够不易对硅薄膜产生损伤。这样，就能够以高产量在扫描照射激光的基板上的规定区域内得到横方向生长结晶(带状结晶)的区域。
激光退火方法装置

[发明专利]显示装置的制造方法-CN200410095694.8有效
发明人：本乡干雄;宇都幸雄;野本峰生;中田俊彦;波多野睦子;山口伸也;大仓理 -专利权人：株式会社日立制作所
申请日： 2002-10-10 - 公布日： 2005-07-27 - 主分类号： G02F1/136 文献下载
摘要：一种显示装置的制造方法，利用物镜集中激光束并且将其辐射到具有1微米或者更小的晶粒大小的非晶硅薄膜或者多晶硅薄膜上，从连续波形激光束开始处理激光束，(1)以便于利用EO调制器使其脉动并且在脉动时具有任意的随着时间的能量变化；(2)利用光束均匀器、具有任意透射率分布的滤波器和矩形狭缝使得具有任意的空间能量分布；和(3)利用高速旋转的漫射器来除去相干性。这样，有可能实现一种液晶显示设备，其中，在TFT面板装置中包含驱动电路，该驱动电路包括具有与单晶体属性基本相同的多晶硅膜。
显示装置制造方法

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