[发明专利]半导体衬底及其制造方法有效
申请号: | 201410341520.9 | 申请日: | 2014-07-17 |
公开(公告)号: | CN105321892B | 公开(公告)日: | 2018-10-26 |
发明(设计)人: | 萧伟民 | 申请(专利权)人: | 日月光半导体制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/29 | 分类号: | H01L23/29;H01L21/56 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 林斯凯 |
地址: | 中国台湾高雄*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明涉及一种半导体衬底,其包括:有机材料层,其包括两个表面并包覆多个金属柱;第一线路重布层,其位于所述有机材料层的一个表面上并电性连接到所述金属柱;第二线路重布层,其位于所述有机材料层的另一表面上并电性连接到所述金属柱;多个第一接合特征,其彼此间间隔第一距离;以及多个第二接合特征,其彼此间间隔第二距离,所述第一距离大于所述第二距离。 | ||
搜索关键词: | 半导体 衬底 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种衬底,其包括:有机材料层,所述有机材料层包括第一表面及第二表面,所述有机材料层经压合以包覆多个具有均匀横截面的金属柱,所述有机材料层具有柔性及可塑性;第一线路重布层,所述第一线路重布层位于所述第一表面上且具有相对于所述第一表面的第三表面,所述第一线路重布层电性连接到所述多个金属柱;第二线路重布层,所述第二线路重布层位于所述第二表面上且具有相对于所述第二表面的第四表面,所述第二线路重布层电性连接到所述多个金属柱;多个第一接合特征,每一所述多个第一接合特征与另一所述多个第一接合特征间隔第一距离;以及多个第二接合特征,每一所述多个第二接合特征与另一所述多个第二接合特征间隔第二距离,所述第一距离大于所述第二距离。
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