[发明专利]半导体衬底及其制造方法有效
申请号: | 201410341520.9 | 申请日: | 2014-07-17 |
公开(公告)号: | CN105321892B | 公开(公告)日: | 2018-10-26 |
发明(设计)人: | 萧伟民 | 申请(专利权)人: | 日月光半导体制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/29 | 分类号: | H01L23/29;H01L21/56 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 林斯凯 |
地址: | 中国台湾高雄*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 衬底 及其 制造 方法 | ||
1.一种衬底,其包括:
有机材料层,所述有机材料层包括第一表面及第二表面,所述有机材料层经压合以包覆多个具有均匀横截面的金属柱,所述有机材料层具有柔性及可塑性;
第一线路重布层,所述第一线路重布层位于所述第一表面上且具有相对于所述第一表面的第三表面,所述第一线路重布层电性连接到所述多个金属柱;
第二线路重布层,所述第二线路重布层位于所述第二表面上且具有相对于所述第二表面的第四表面,所述第二线路重布层电性连接到所述多个金属柱;
多个第一接合特征,每一所述多个第一接合特征与另一所述多个第一接合特征间隔第一距离;以及
多个第二接合特征,每一所述多个第二接合特征与另一所述多个第二接合特征间隔第二距离,所述第一距离大于所述第二距离。
2.根据权利要求1所述的衬底,其进一步包括:
中介层,所述中介层位于所述第四表面上且包括:
第五表面;
第六表面,所述第六表面相对于所述第五表面;
多个具有均匀横截面的金属柱;以及
多个第三接合特征,所述多个第三接合特征位于所述中介层的所述第六表面,每一所述多个第三接合特征与另一所述多个第三接合特征间隔第三距离,所述第一距离大于所述第三距离,所述多个第二接合特征通过所述中介层的所述多个金属柱电性连接到所述多个第三接合特征。
3.根据权利要求2所述的衬底,其中所述中介层的材料为玻璃。
4.根据权利要求1到3中任一权利要求所述的衬底,其中所述有机材料层具有柔性。
5.根据权利要求1到3中任一权利要求所述的衬底,其中所述多个第一接合特征位于所述第三表面且电性连接到所述第一线路重布层。
6.根据权利要求1到3中任一权利要求所述的衬底,其中所述多个第二接合特征位于所述第四表面且电性连接到所述第二线路重布层。
7.根据权利要求1到3中任一权利要求所述的衬底,其中所述有机材料层的材料包括从以下材料所组成的群组中选出的一者:双马来酰亚胺三嗪(Bismaleimide-Triazine,BT)、ABF(Ajinomoto Build-up Film)、及聚丙烯(polypropylene,PP)。
8.一种半导体封装结构,其包括:
有机材料层,所述有机材料层包括第一表面及第二表面,所述有机材料层经压合以包覆多个具有均匀横截面的金属柱,所述有机材料层具有柔性及可塑性;
第一线路重布层,所述第一线路重布层位于所述第一表面上且具有相对于所述第一表面的第三表面,所述第一线路重布层电性连接到所述多个金属柱;
第二线路重布层,所述第二线路重布层位于所述第二表面上且具有相对于所述第二表面的第四表面,所述第二线路重布层电性连接到所述多个金属柱;
多个第一接合特征,每一所述多个第一接合特征与另一所述多个第一接合特征间隔第一距离;
多个第二接合特征,每一所述多个第二接合特征与另一所述多个第二接合特征间隔第二距离,所述第一距离大于所述第二距离;以及
至少一裸片,所述至少一裸片位于所述第四表面上且电性连接到所述多个第二接合特征。
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