[发明专利]半导体衬底及其制造方法

说明书

本发明涉及一种半导体衬底，其包括：有机材料层，其包括两个表面并包覆多个金属柱；第一线路重布层，其位于所述有机材料层的一个表面上并电性连接到所述金属柱；第二线路重布层，其位于所述有机材料层的另一表面上并电性连接到所述金属柱；多个第一接合特征，其彼此间间隔第一距离；以及多个第二接合特征，其彼此间间隔第二距离，所述第一距离大于所述第二距离。

技术领域

本发明涉及半导体衬底及其制造方法。

背景技术

封装衬底(package substrate)或是中介板(interposer)可用于将裸片(die)连接到系统衬底或电路板上。

常见形成封装衬底或中介板的材料为硅。然而，以硅作为封装衬底或中介板的材料会使工艺变得相对繁复与冗长。例如，必须先在硅衬底上钻孔，再填入导电材料的方式形成直通硅晶穿孔(Through-Silicon Via，TSV)。

此外，在制造封装衬底或中介板时，必须使用胶材将封装衬底或中介板粘贴于载具(carrier)上。然而在粘贴裸片到载具时可能发生贴合面不平坦(flat/coplanar)或是对位不准(misalignment)的问题。

胶材选择还须考虑到耐热程度，以避免粘胶在制造过程中失去粘性。

再者，胶材的热膨胀系数(coefficient of thermal expansion，CTE)还需经过仔细挑选以减少衬底在工艺中受热所产生的翘曲(warpage)。

载具移除后尚须清洗残余的胶材以确保封装结构的可靠性。未能完全清除的胶材(残胶)常影响封装结构的可靠性。

发明内容

本发明的一实施例涉及一种衬底，其包括：有机材料层，所述有机材料层包括第一表面及第二表面，所述有机材料层包覆多个金属柱；第一线路重布层，所述第一线路重布层位于所述第一表面上且具有相对于所述第一表面的第三表面，所述第一线路重布层电性连接所述多个金属柱；第二线路重布层，所述第二线路重布层位于所述第二表面上且具有相对于所述第二表面的第四表面，所述第二线路重布层电性连接所述多个金属柱；多个第一接合特征，每一所述多个第一接合特征与另一所述多个第一接合特征间隔第一距离；以及多个第二接合特征，每一所述多个第二接合特征与另一所述多个第二接合特征间隔第二距离，所述第一距离大于所述第二距离。

本发明的另一实施例涉及一种半导体封装结构，包括：有机材料层，所述有机材料层包括第一表面及第二表面，所述有机材料层包覆多个金属柱；第一线路重布层，所述第一线路重布层位于所述第一表面上且具有相对于所述第一表面的第三表面，所述第一线路重布层电性连接所述多个金属柱；第二线路重布层，所述第二线路重布层位于所述第二表面上且具有相对于所述第二表面的第四表面，所述第二线路重布层电性连接所述多个金属柱；多个第一接合特征，每一所述多个第一接合特征与另一所述多个第一接合特征间隔第一距离；多个第二接合特征，每一所述多个第二接合特征与另一所述多个第二接合特征间隔第二距离，所述第一距离大于所述第二距离；以及至少一裸片，所述至少一裸片位于所述第四表面上且电性连接所述多个第二接合特征。