[发明专利]内埋图形衬底及其制造方法及半导体封装结构在审
申请号: | 201410258047.8 | 申请日: | 2014-06-11 |
公开(公告)号: | CN105321922A | 公开(公告)日: | 2016-02-10 |
发明(设计)人: | 陈家庆;廖国成;高金利 | 申请(专利权)人: | 日月光半导体制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/498 | 分类号: | H01L23/498;H01L21/48 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 林斯凯 |
地址: | 中国台湾高雄*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及一种内埋图形衬底及其制造方法及半导体封装。所述内埋图形衬底包括衬底本体、第一线路层、多个导电通道及第二线路层。所述第一线路层内埋于所述衬底本体的第一表面中且显露于所述衬底本体的第一表面。所述第一线路层包括彼此间隔开的多个个别接垫。所述导电通道位于所述衬底本体的一通孔中且彼此间隔开。每一导电通道连接每一个别接垫及所述第二线路层。 | ||
搜索关键词: | 图形 衬底 及其 制造 方法 半导体 封装 结构 | ||
【主权项】:
1.一种内埋图形衬底,其包括:衬底本体,其具有第一表面、第二表面及至少一个通孔;第一线路层,其内埋于所述衬底本体的第一表面,且显露于所述衬底本体的第一表面,所述第一线路层包括多个个别接垫,所述个别接垫彼此间隔一间隙;多个导电通道,其位于同一通孔中,所述导电通道彼此间隔一间隙,且每一导电通道连接每一个别接垫;以及第二线路层,其位于所述衬底本体的第二表面上,所述导电通道连接到所述第二线路层,其中每一导电通道、每一个别接垫及所述第二线路层形成导电组件,所述导电组件具有第一部分及第二部分,其中所述第一部分与所述第二部分不对称,其中所述衬底本体具有假想中心线,其位于所述第一表面及所述第二表面的中间,所述导电组件根据所述假想中心线而区分成所述第一部分及所述第二部分,所述第一部分包含所述个别接垫及所述导电通道的部分,所述第二部分所述导电通道的部分及所述第二线路层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于日月光半导体制造股份有限公司,未经日月光半导体制造股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201410258047.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:过孔及其形成方法
- 下一篇:异氰酸酯基丙基三(三甲基硅氧基)硅烷的制备方法