[发明专利]内埋图形衬底及其制造方法及半导体封装结构

权利要求书

1.一种内埋图形衬底，其包括：

衬底本体，其具有第一表面、第二表面及至少一个通孔；

第一线路层，其内埋于所述衬底本体的第一表面，且显露于所述衬底本体的第一表面，所述第一线路层包括多个个别接垫，所述个别接垫彼此间隔一间隙；

多个导电通道，其位于同一通孔中，所述导电通道彼此间隔一间隙，且每一导电通道连接每一个别接垫；以及

第二线路层，其位于所述衬底本体的第二表面上，所述导电通道连接到所述第二线路层，其中每一导电通道、每一个别接垫及所述第二线路层形成导电组件，所述导电组件具有第一部分及第二部分，其中所述第一部分与所述第二部分不对称，

其中所述衬底本体具有假想中心线，其位于所述第一表面及所述第二表面的中间，所述导电组件根据所述假想中心线而区分成所述第一部分及所述第二部分，所述第一部分包含所述个别接垫及所述导电通道的部分，所述第二部分所述导电通道的部分及所述第二线路层。

2.根据权利要求1所述的内埋图形衬底，其中所述导电通道与所述第二线路层一体成形。

3.根据权利要求1所述的内埋图形衬底，其中所述第一线路层从所述衬底本体的第一表面凹陷。

4.根据权利要求1所述的内埋图形衬底，进一步包括绝缘材料，位于所述导电通道间的间隙。

5.根据权利要求4所述的内埋图形衬底，其中所述绝缘材料进一步位于所述个别接垫间的间隙。

6.根据权利要求4所述的内埋图形衬底，其中所述绝缘材料的材质与所述衬底本体的材质不同。

7.根据权利要求1所述的内埋图形衬底，其中所述导电组件的所述第一部分的形状与所述第二部分的形状不同。

8.一种半导体封装结构，其包括：

内埋图形衬底，其包括：

衬底本体，其具有第一表面、第二表面及至少一个通孔；

第一线路层，其内埋于所述衬底本体的第一表面，且显露于所述衬底本体的第一表面，所述第一线路层包括多个个别接垫，所述个别接垫彼此间隔一间隙；

多个导电通道，其位于同一通孔中，所述导电通道彼此间隔一间隙，且每一导电通道连接每一个别接垫；以及

第二线路层，其位于所述衬底本体的第二表面上，所述导电通道连接到所述第二线路层，其中每一导电通道、每一个别接垫及所述第二线路层形成导电组件，所述导电组件具有第一部分及第二部分，其中所述第一部分与所述第二部分不对称；以及

芯片，其面对所述衬底本体的第一表面，且电连接到所述第一线路层，

其中所述衬底本体具有假想中心线，其位于所述第一表面及所述第二表面的中间，所述导电组件根据所述假想中心线而区分成所述第一部分及所述第二部分，所述第一部分包含所述个别接垫及所述导电通道之部分，所述第二部分所述导电通道的部分及所述第二线路层。

9.根据权利要求8所述的半导体封装结构，其中所述芯片具有多个电连接组件，所述电连接组件连接所述个别接垫。

10.根据权利要求8所述的半导体封装结构，其中所述导电通道与所述第二线路层一体成形。

11.根据权利要求8所述的半导体封装结构，其中所述内埋图形衬底的所述第一线路层从所述衬底本体的第一表面凹陷。

12.根据权利要求8所述的半导体封装结构，其中所述内埋图形衬底进一步包括绝缘材料，其位于所述导电通道间的间隙。

13.根据权利要求12所述的半导体封装结构，其中所述绝缘材料进一步位于所述个别接垫间的间隙。

14.根据权利要求12所述的半导体封装结构，其中所述绝缘材料的材质与所述衬底本体的材质不同。