[发明专利]芯片用树脂膜形成用片及半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 201380061840.2 | 申请日： | 2013-06-14 |
| 公开（公告）号： | CN104871310B | 公开（公告）日： | 2018-03-09 |
| 发明（设计）人： | 吾妻佑一郎;市川功 | 申请（专利权）人： | 琳得科株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/29 | 分类号： | H01L23/29;C09J11/04;C09J11/06;C09J201/00;H01L21/301;H01L21/52;H01L23/00;H01L23/31;H01L23/373 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所11105 | 代理人： | 王利波 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种片材，其能够对所得到的半导体装置赋予散热特性，且在半导体装置的制造工序中不对半导体晶片、芯片实施增加工序数、使工艺复杂的特殊处理，而且该片材的粘接性优异。本发明的芯片用树脂膜形成用片具有支撑片和形成在该支撑片上的树脂膜形成层，该树脂膜形成层含有粘合剂聚合物成分(A)、固化性成分(B)、无机填料(C)及硅烷偶联剂(D)，该无机填料(C)含有氮化物粒子(C1)，该硅烷偶联剂(D)的分子量为300以上。 | ||
| 搜索关键词： | 芯片 树脂 形成 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种芯片用树脂膜形成用片，其具有支撑片、和形成在该支撑片上的树脂膜形成层，该树脂膜形成层包含粘合剂聚合物成分(A)、固化性成分(B)、无机填料(C)及硅烷偶联剂(D)，该无机填料(C)含有氮化物粒子(C1)和氮化物粒子(C1)以外的其它粒子(C2)，该氮化物粒子(C1)的长径比为5~30，该硅烷偶联剂(D)的分子量为300以上。
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