[发明专利]芯片用树脂膜形成用片及半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种芯片用树脂膜形成用片，其具有支撑片、和形成在该支撑片上的树脂膜形成层，

该树脂膜形成层包含粘合剂聚合物成分(A)、固化性成分(B)、无机填料(C)及硅烷偶联剂(D)，

该无机填料(C)含有氮化物粒子(C1)和氮化物粒子(C1)以外的其它粒子(C2)，

该氮化物粒子(C1)的长径比为5~30，

该硅烷偶联剂(D)的分子量为300以上。

2.根据权利要求1所述的芯片用树脂膜形成用片，其中，硅烷偶联剂(D)在该树脂膜形成层总质量中的质量比例为0.3~2质量%。

3.根据权利要求1所述的芯片用树脂膜形成用片，其中，硅烷偶联剂(D)的烷氧基当量为10~40mmol/g。

4.根据权利要求2所述的芯片用树脂膜形成用片，其中，硅烷偶联剂(D)的烷氧基当量为10~40mmol/g。

5.根据权利要求1所述的芯片用树脂膜形成用片，其中，氮化物粒子(C1)在该树脂膜形成层总质量中的质量比例为40质量%以下。

6.根据权利要求2所述的芯片用树脂膜形成用片，其中，氮化物粒子(C1)在该树脂膜形成层总质量中的质量比例为40质量%以下。

7.根据权利要求3所述的芯片用树脂膜形成用片，其中，氮化物粒子(C1)在该树脂膜形成层总质量中的质量比例为40质量%以下。

8.根据权利要求4所述的芯片用树脂膜形成用片，其中，氮化物粒子(C1)在该树脂膜形成层总质量中的质量比例为40质量%以下。

9.根据权利要求1~8中任一项所述的芯片用树脂膜形成用片，其中，无机填料(C)在该树脂膜形成层总质量中的质量比例为30~60质量%。

10.根据权利要求1~8中任一项所述的芯片用树脂膜形成用片，其中，氮化物粒子(C1)为氮化硼粒子。

11.根据权利要求9所述的芯片用树脂膜形成用片，其中，氮化物粒子(C1)为氮化硼粒子。

12.根据权利要求1所述的芯片用树脂膜形成用片，其中，其它粒子(C2)的平均粒径为20μm以上。

13.根据权利要求1或12所述的芯片用树脂膜形成用片，其中，无机填料(C)中的氮化物粒子(C1)与其它粒子(C2)的重量比率(C1:C2)为1:5~5:1。

14.根据权利要求1或12所述的芯片用树脂膜形成用片，其中，其它粒子(C2)的平均粒径为树脂膜形成层厚度的0.01~0.65倍。

15.根据权利要求13所述的芯片用树脂膜形成用片，其中，其它粒子(C2)的平均粒径为树脂膜形成层厚度的0.01~0.65倍。

16.根据权利要求1~8中任一项所述的芯片用树脂膜形成用片，其中，树脂膜形成层的剥离强度为3.5~10N/10mm。

17.根据权利要求9所述的芯片用树脂膜形成用片，其中，树脂膜形成层的剥离强度为3.5~10N/10mm。

18.根据权利要求10所述的芯片用树脂膜形成用片，其中，树脂膜形成层的剥离强度为3.5~10N/10mm。

19.根据权利要求12所述的芯片用树脂膜形成用片，其中，树脂膜形成层的剥离强度为3.5~10N/10mm。

20.根据权利要求13所述的芯片用树脂膜形成用片，其中，树脂膜形成层的剥离强度为3.5~10N/10mm。

21.根据权利要求14所述的芯片用树脂膜形成用片，其中，树脂膜形成层的剥离强度为3.5~10N/10mm。

22.根据权利要求1~8中任一项所述的芯片用树脂膜形成用片，其中，树脂膜形成层的导热系数为2W/(m·K)以上。

23.根据权利要求9所述的芯片用树脂膜形成用片，其中，树脂膜形成层的导热系数为2W/(m·K)以上。

24.根据权利要求10所述的芯片用树脂膜形成用片，其中，树脂膜形成层的导热系数为2W/(m·K)以上。