[发明专利]用于反射式光刻技术的掩模版、制作方法及其使用方法有效

申请号：	201310747065.8	申请日：	2013-12-30
公开（公告）号：	CN104749871B	公开（公告）日：	2019-09-03
发明（设计）人：	徐垚	申请（专利权）人：	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
主分类号：	G03F1/24	分类号：	G03F1/24;G03F7/20
代理公司：	北京市磐华律师事务所 11336	代理人：	董巍;高伟
地址：	201203 ***	国省代码：	上海;31
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摘要：	本发明公开了一种用于反射式光刻技术的掩模版、制作方法及其使用方法。该制作用于反射式光刻技术的掩模版的方法包括：提供衬底；在所述衬底上形成多层反射层；在所述多层反射层上形成保护层；在所述保护层中形成暴露所述多层反射层的一部分的开口图案；对所述多层反射层执行界面粗糙工艺，以使所述多层反射层的暴露部分形成为光吸收区域，且所述多层反射层的非暴露部分形成为光反射区域，其中界面粗糙工艺用于使相邻的反射层之间的界面变得粗糙；以及去除所述保护层。根据本发明的方法制作形成的用于反射式光刻技术的掩模版的光反射区域和光吸收区域之间没有高度差，因此光反射区域反射的光不会被光吸收区域吸收，进而可以避免产生阴影效应。
搜索关键词：	用于反射光刻技术模版制作方法及其使用方法
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【主权项】：

1.一种制作用于反射式光刻技术的掩模版的方法，其特征在于，所述方法包括：提供衬底；在所述衬底上形成多层反射层；在所述多层反射层上形成保护层；在所述保护层中形成暴露所述多层反射层的一部分的开口图案，所述开口图案与待形成的掩膜版上的反射图案互补；对所述多层反射层执行界面粗糙工艺，以使所述多层反射层的暴露部分形成为光吸收区域，且所述多层反射层的非暴露部分形成为光反射区域，其中界面粗糙工艺用于使相邻的反射层之间的界面变得粗糙，所述光吸收区域的反射率低至使得通过所述光吸收区域反射后的反射光的强度低于待曝光的光刻胶的曝光阈值，所述界面粗糙工艺包括电子束注入、离子注入以及激光热处理中的一种或多种；以及去除所述保护层。

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摘要：本发明公开了一种用于反射式光刻技术的掩模版、制作方法及其使用方法。该制作用于反射式光刻技术的掩模版的方法包括：提供衬底；在所述衬底上形成多层反射层；在所述多层反射层上形成保护层；在所述保护层中形成暴露所述多层反射层的一部分的开口图案；对所述多层反射层执行界面粗糙工艺，以使所述多层反射层的暴露部分形成为光吸收区域，且所述多层反射层的非暴露部分形成为光反射区域，其中界面粗糙工艺用于使相邻的反射层之间的界面变得粗糙；以及去除所述保护层。根据本发明的方法制作形成的用于反射式光刻技术的掩模版的光反射区域和光吸收区域之间没有高度差，因此光反射区域反射的光不会被光吸收区域吸收，进而可以避免产生阴影效应。

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摘要：本揭露涉及在EUV光刻制程期间使用EUV掩膜的方法，其涉及在EUV光刻制程期间使用的各种掩膜。在一个例子中，所揭露的EUV掩膜包括：除其它以外，衬底；由形成于该衬底上方的钌和硅构成的多个多层对组成的多层堆栈，其中，当使用EUV光照射时，该掩膜适于具有有效反射平面，该有效反射平面位于该多层堆栈的最上层表面下方32纳米或更浅处；以及位于该多层堆栈的该最上层表面上方的覆盖层。

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摘要：用于经衰减的相移掩模类型的极UV光刻的掩模包括基板(1)、反射结构(2)以及衰减和相移部分(3)。附加覆盖层(4)至少覆盖各部分(3)的侧壁(SW)。这允许减少各部分的侧壁上的极UV入射光束的反射，使得每个衰减和相移部分的相对侧上的反射峰值基本相同。在清洁处理期间对掩模的附加保护功能也由该覆盖层提供。

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摘要：一种制造极紫外光掩模的方法，包括在掩模基板的第一主表面上方形成钼/硅多层堆叠，上述钼/硅多层堆叠包括交替的钼层及硅层。在上述钼/硅多层堆叠上方形成覆盖层。在上述覆盖层上形成吸收层。在上述吸收层上方形成硬掩模层。图案化上述硬掩模层，以形成硬掩模层图案。上述硬掩模层图案延伸到上述吸收层中，以露出上述覆盖层以及形成掩模图案。在上述掩模图案周围形成边界图案。上述边界图案延伸通过上述钼/硅多层堆叠以露出上述掩模基板以及形成围绕上述掩模图案的沟槽。沿着上述沟槽的侧壁形成钝化层。

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摘要：本发明提供一种EUV用防尘薄膜组件，使用其的EUV用组合体以及其组合方法。本发明的EUV用防尘薄膜组件为由将防尘薄膜用网格结构体进行补强了的防尘薄膜结构体以及对该防尘薄膜结构体进行保持的防尘薄膜组件框架构成的EUV用防尘薄膜组件。网格结构体，由于EUV光在掩模面反射，2次通过EUV用防尘薄膜组件，所以在晶片上被投影为2种的影像。本发明的其特征在于，将间隔值进行设定，使所述影像的浓淡对比度比减小至25％以下，并且，这种间隔值，以设定为0.3mm～1.0mm的范围内为优选。

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摘要：本公开实施例提供一种光刻掩模。光刻掩模包括基板，其包含低热膨胀材料。光刻掩模也包括反射结构，设置于基板上方。反射结构包括第一层和设置于第一层上方的第二层。至少第二层为多孔。光刻掩模的制造方法包括于基板上方形成多层反射结构，形成多层反射结构包括形成多个重复薄膜对，薄膜对各自包括第一层和多孔第二层。于多层反射结构形成上方盖层。于盖层上方形成吸收层。

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申请日： 2013-10-22 - 公布日： 2017-12-19 - 主分类号： G03F1/24
摘要：本发明提供了EUV光掩模和用于形成EUV光掩模的方法的实施例。该方法包括提供衬底、反射层、覆盖层、硬掩模层，以及在其中形成开口。然后，在开口中和硬掩模层的顶面上方填充吸收层。提供平坦化工艺以去除位于硬掩模层的顶面上方的吸收层且在开口中形成吸收体，其中，吸收体顶部的宽度大于其底部的宽度。

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申请日： 2013-09-03 - 公布日： 2017-04-12 - 主分类号： G03F1/24
摘要：提供一种在减轻入射EUV光的减少的同时，有具有高强度的EUV用防尘薄膜组件。本发明为一种具有用网格形状的结构体加固的EUV透过膜的EUV用防尘薄膜组件，其特征在于∶所述网格形状的结构体的纵截面形状（高度方向截面形状）为越远离EUV透过膜，前端越细的形状。

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摘要：本发明公开了掩模及其形成方法，其中掩模可应用于光刻以制造半导体晶片。掩模包括低热膨胀材料（LTEM）基板、位于LTEM基板上方的反射多层（ML）以及位于反射ML上方的图案化吸收层。图案化吸收层包括范围在25nm和31nm之间的厚度、范围在0.84和0.93之间的折射率以及范围在0.038和0.051之间的消光系数。

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摘要：本发明公开了一种极紫外光刻(EUVL)工艺。该工艺包括：接收具有多种状态的极紫外(EUV)掩膜。主多边形和邻近第一主多边形分配为不同的状态。所有子分辨率辅多边形分配为相同的状态，分配给子分辨率辅多边形的状态不同于分配给区域(即不具有主多边形和子分辨率辅多边形的布景)的状态。采用部分相干性б小于0.3的近似轴上照明(ONI)，以露出EUV掩膜，从而产生衍射光和非衍射光。去除大部分的非衍射光。使用投影光学箱收集和引导衍射光和没有被去除的非衍射光，从而露出目标。

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摘要：一种用于制造表膜的设备，设备包括：用于受应力的膜层的施加应力的组件；以及用于支撑衬底的衬底支撑件，施加应力的组件和衬底制作能够相对移动以便使得当膜层被施加应力时衬底与膜层接触。

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摘要：本揭露涉及在EUV光刻制程期间使用的EUV掩膜。在一个例子中，所揭露的EUV掩膜包括：除其它以外，衬底；由形成于该衬底上方的钌和硅构成的多个多层对组成的多层堆栈，其中，当使用EUV光照射时，该掩膜适于具有有效反射平面，该有效反射平面位于该多层堆栈的最上层表面下方32纳米或更浅处；以及位于该多层堆栈的该最上层表面上方的覆盖层。

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摘要：本发明涉及一种用于大数值孔径的极紫外光刻掩模结构，由下至上依次包括：掩模基底；极紫外多层高反射薄膜；帽层；所述极紫外多层高反射薄膜的顶部设有用来填充吸收层的缺陷，在该缺陷内填充有所述吸收层；所述吸收层的顶部与所述极紫外多层高反射薄膜的顶部高度相同；所述吸收层的图形结构用来携带光刻掩模结构的图案信息。不同于传统反射式掩模结构，该掩模结构的反射区和吸收区位于同一平面内,属于二维结构。曝光图形由吸收区构成，吸收区包括吸收层和抗反射层两部分，均沉积于刻蚀后的多层膜中。该结构能够完全消除掩模阴影效应，同时又能够较好地保护反射区多层膜结构，提高掩模对比度及结构稳定性。

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申请日： 2013-05-17 - 公布日： 2014-09-17 - 主分类号： G03F1/24
摘要：本发明提供一种掩模结构，包括一基底；一吸收层，形成于基底上；以及一图案化反射层，形成于吸收层上。掩模结构还可包括一缓冲层、一导电涂层、或前述的组合。缓冲层可形成于吸收层及反射层之间，导电涂层可形成于基底的一背侧上。本发明的掩模结构较容易对反射层进行瑕疵检测及修复，使得循环时间及制造成本得以降低。

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摘要：本发明公开了一种制造具有碳基电荷消散(CBCD)层的光刻掩模的方法。所述方法包括：提供衬底，在所述衬底上沉积不透明层，涂覆光刻胶，以及在所述光刻胶上方或者下方沉积电荷消散层。通过电子束写入图案化所述光刻胶。在对所述光刻胶进行显影期间去除所述CBCD层。本发明还公开了一种制造光刻掩模的方法。

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摘要：本实用新型公开了一种反射式掩膜版及曝光装置。反射式掩膜版包括衬底，衬底上包括可反射曝光光线的反射区域，衬底上反射区域以外的部分是不可反射曝光光线的非反射区域；其中，反射区域形成反射式掩膜版的图案。曝光装置包括上述任一的反射式掩膜版。本实用新型可以用同一块反射式掩膜版通过改变倾斜角度，得到不同的曝光图案，增强了透射式掩膜版的通用性。

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专利分类

G 物理

G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备

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[发明专利]用于反射式光刻技术的掩模版、制作方法及其使用方法有效

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