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[发明专利]EUV光刻用带反射层的基板和EUV光刻用反射型掩模底版-CN201180036685.X有效
发明人： 三上正树;木下健 -专利权人：旭硝子株式会社
申请日： 2011-07-26 - 公布日： 2013-04-03 - 主分类号： G03F1/24 文献下载
摘要：本发明提供Ru保护层的氧化导致的反射率下降得到抑制的EUV掩模底版和用于制造该EUV掩模底版的带功能膜的基板以及该带功能膜的基板的制造方法。所述EUV光刻用带反射层的基板是在基板上依次形成有反射EUV光的反射层和保护该反射层的保护层的EUV光刻用带反射层的基板，其特征在于，所述反射层为Mo/Si多层反射膜，所述保护膜为Ru层或Ru化合物层，在所述反射层与所述保护层之间形成有中间层，所述中间层由含0.5～25at％氮、75～99.5at％Si的第一层和含60～99.8at％Ru、0.1～10at％氮、0.1～30at％Si的第二层构成，第一层和第二层的总膜厚为0.2～2.5nm，构成所述中间层的所述第一层形成于所述反射层侧，所述第二层形成于所述第一层上，所述保护层实质上不含Si。
euv 光刻反射层反射型掩模底版

[发明专利]带反射层的EUV光刻用衬底、EUV光刻用反射型掩模坯料、EUV光刻用反射型掩模、和该带反射层的衬底的制造方法-CN201080056266.8有效
发明人： 三上正树;驹木根光彦;生田顺亮 -专利权人：旭硝子株式会社
申请日： 2010-12-09 - 公布日： 2012-09-19 - 主分类号： G03F1/24 文献下载
摘要：本发明提供抑制了由自钌（Ru）保护层的氧化导致的反射率降低的EUV掩模坯料、和该EUV掩模坯料的制造中使用的带反射层的衬底、以及该带反射层的衬底的制造方法。一种带反射层的EUV光刻用衬底，其特征在于，其在衬底上依次形成有用于反射EUV光的反射层和用于保护该反射层的保护层，前述反射层为Mo/Si多层反射膜，前述保护层为Ru层或Ru化合物层，在前述反射层与前述保护层之间形成有含有0.5~25at%的氮且含有75~99.5at%的Si的中间层。
反射层 euv 光刻衬底反射型掩模坯料制造方法

[发明专利]EUV光刻用光学构件及带反射层的EUV光刻用衬底的制造方法-CN201080055041.0有效
发明人： 三上正树 -专利权人：旭硝子株式会社
申请日： 2010-12-03 - 公布日： 2012-08-15 - 主分类号： G02B5/08 文献下载
摘要：本发明提供抑制了由钌（Ru）保护层的氧化导致的反射率降低的EUV光学构件、和该EUV光学构件的制造中使用的带功能膜的衬底、以及该带功能膜的衬底的制造方法。一种带反射层的EUV光刻用衬底，其特征在于，其在衬底上依次形成有用于反射EUV光的反射层和用于保护该反射层的保护层，前述反射层为Mo/Si多层反射膜，前述保护层为Ru层或Ru化合物层，在前述反射层与前述保护层之间形成有含有0.5~20at%的氧且含有80~99.5at%的Si的中间层。
euv 光刻用光构件反射层衬底制造方法