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[发明专利]光学系统、分束器和分束器在光学系统中的使用-CN202310037467.2在审
发明人： U.马泰伊卡;S.佩利茨;J.劳夫 -专利权人：卡尔蔡司SMT有限责任公司
申请日： 2023-01-10 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种特别用于表征微光刻掩模的光学系统，包括用于生成波长小于30nm的光的光源(101、201、251)、从光源通向物平面的照明光路、从物平面通向像平面的成像光路、以及分束器(103，205，254)，照明光路和成像光路都延伸通过该分束器。本发明还涉及分束器和分束器在光学系统中的的使用。
光学系统分束器中的使用

[发明专利]用于表征光学元件表面形状的方法和装置-CN202080072360.6在审
发明人： S.西格勒;J.劳夫;A.沃尔夫;M.卡尔;T.格鲁纳;T.席克坦茨 -专利权人：卡尔蔡司SMT有限责任公司
申请日： 2020-09-15 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： G01B11/24 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于表征光学元件的表面形状的方法和装置。根据本发明的方法包括以下步骤：在干涉测量测试装置中，通过将由电磁辐射在衍射元件上的衍射生成的并且在光学元件处反射的测试波与未在光学元件处反射的参考波叠加，在光学元件上执行至少第一干涉图测量；在每种情况下，在一个校准反射镜上执行至少一个另外的干涉图测量以确定校准校正；并且基于在光学元件上执行的第一干涉图测量和所确定的校准校正来确定光学元件与目标形状的偏差。对至少一个校准反射镜执行至少两个干涉图测量，该至少两个干涉图测量在电磁辐射的偏振状态方面彼此不同。
用于表征光学元件表面形状方法装置

[发明专利]用以转印光刻掩模的原初结构部分的光学系统、用以将可布置光刻掩模的至少一个原初结构部分的物场进行成像的投射光学单元、以及光刻掩模-CN201980031305.X在审
发明人： M.帕特拉;J.劳夫 -专利权人：卡尔蔡司SMT有限责任公司
申请日： 2019-05-07 - 公布日： 2021-01-01 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：用于转印光刻掩模(10)的原初结构部分(13)的光学系统。原初结构部分(13)具有大于4∶1的x/y纵横比，且在光刻掩模(10)上彼此相邻布置成行且通过不带有任何待成像结构的分离部分(14)而彼此分开。在将物场成像至像场的协助下，光学系统将原初结构部分(13)转印至基板(26)的图像部分(31)上，其中光刻掩模(10)的原初结构部分(13)的其中至少一个可布置在物场中，且基板(26)的图像部分(31)的其中至少一个可布置在像场中。原初结构部分(13)的每一个转印到单独的图像部分(31)。转印原初结构部分(13)于其上的图像部分(31)彼此相邻布置成行。在此光学系统中可采用的投射光学单元可具有这样的变形实施例，其针对两个相互垂直的场坐标具有不同的成像比例，其中一个成像比例针对其中一个场坐标缩小，且其中另一个成像比例针对另一个场坐标放大。这导致一光学系统，其中使用此光学系统的投射曝光设备的生产量增加。
用以光刻原初结构部分光学系统布置至少一个进行成像投射光学单元以及

[其他]液力耦合器-CN201890000894.6有效
发明人： A.P.希德;H.弗伦兹;U.鲍尔伦;J.劳夫 -专利权人：福伊特专利有限公司
申请日： 2018-06-04 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： F16D33/06 文献下载
摘要：一种液力的耦合器，所述耦合器具有装有叶片的一级叶轮(2)和装有叶片的二级叶轮(3)，所述一级叶轮和二级叶轮这样构造，使得两个叶轮(2、3)能旋转地支承并且构成能够被油填充的工作空间，在所述工作空间中能够通过形成流动将扭矩从其中一个叶轮(2)传递至另外的叶轮(3)，所述耦合器还具有与固定的壳体(5)连接的油入口通道(7)，其中，所述油入口通道(7)具有至少一个喷嘴(18)，从而能够产生自由射束，并且其中，两个叶轮(2、3)的其中一个在叶轮的根部区域中具有至少两个用于使油进入工作空间中的贯穿的开口(11)并且针对每个开口(11)分别具有圆弧形的槽(12)，其中，相应的槽(12)在端部通入所述开口(11)之一中，其中，槽(12)位于圆上，所述圆的圆心位于叶轮的旋转轴(20)上，并且其中，所述槽(12)的深度(t)沿着圆弧朝向开口(11)增大，所述槽通入所述开口中。
耦合器

[发明专利]投射镜头、投射曝光设备和EUV微光刻的投射曝光方法-CN202010179331.1在审
发明人： S.安德烈;D.戈尔德;T.格鲁纳;J.劳夫;N.瓦布拉;R.舍梅;S.施耐德 -专利权人：卡尔蔡司SMT有限责任公司
申请日： 2015-09-07 - 公布日： 2020-08-07 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：一种投射镜头(PO)，用于通过具有来自极紫外范围(EUV)的操作波长λ的电磁辐射将设置于投射镜头的物平面(OS)中的图案成像至投射镜头的像平面(IS)上，投射镜头包含多个反射镜(M1‑M6)，其具有设置于该物平面与该像平面之间的投射射束路径中的反射镜表面，使得设置于物平面中的掩模(M)的图案可通过所述反射镜成像至像平面中。在平行于扫描方向行进的第一方向(y方向)上的第一成像比例的绝对值小于在垂直于该第一方向的第二方向(x方向)上的第二成像比例的绝对值。提供一种动态波前操纵系统，用于校正由掩模母版位移所造成的像散波前像差部分。
投射镜头曝光设备 euv 微光方法

[发明专利]投射镜头、投射曝光设备和EUV微光刻的投射曝光方法-CN201580049768.0有效
发明人： S.安德烈;D.戈尔德;T.格鲁纳;J.劳夫;N.瓦布拉;R.舍梅;S.施耐德 -专利权人：卡尔蔡司SMT有限责任公司
申请日： 2015-09-07 - 公布日： 2020-04-10 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：一种投射镜头(PO)，用于通过具有来自极紫外范围(EUV)的操作波长λ的电磁辐射将设置于投射镜头的物平面(OS)中的图案成像至投射镜头的像平面(IS)上，投射镜头包含多个反射镜(M1‑M6)，其具有设置于该物平面与该像平面之间的投射射束路径中的反射镜表面，使得设置于物平面中的掩模(M)的图案可通过所述反射镜成像至像平面中。在平行于扫描方向行进的第一方向(y方向)上的第一成像比例的绝对值小于在垂直于该第一方向的第二方向(x方向)上的第二成像比例的绝对值。提供一种动态波前操纵系统，用于校正由掩模母版位移所造成的像散波前像差部分。
投射镜头曝光设备 euv 微光方法

[发明专利]三维测量光刻掩模的3D空间像的方法-CN201580045261.8有效
发明人： U.马特卡;C.胡泽曼;J.劳夫;S.佩利茨;H-J.曼 -专利权人：卡尔蔡司SMT有限责任公司
申请日： 2015-07-21 - 公布日： 2019-06-11 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：一种用于在光刻掩模(5)成像期间三维测量在像平面周围区域中的3D空间像的方法，光刻掩模布置在物平面(4)中，考虑在彼此垂直方向(x，y)中的可选成像比例比。为此，在成像光与光刻掩模(5)相互作用之后重构成像光(1)的电磁波前。包含一对应于成像比例比的作用变量。最后，输出通过包含该作用变量测量的3D空间像。这导致测量方法还可用于测量优化用于在投射曝光期间在变形投射光学单元的情况下使用的光刻掩模。
三维测量光刻空间方法

[发明专利]产生用于投射曝光设备的可用输出光束的EUV光源-CN201380054067.7有效
发明人： I.桑格;M.莫尔;C.亨纳克斯;J.劳夫;D.克拉默 -专利权人：卡尔蔡司SMT有限责任公司
申请日： 2013-10-22 - 公布日： 2018-11-20 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：一种产生用于投射光刻的投射曝光设备(1)的EUV照明光的可用输出光束(3)的EUV光源(2)。该光源(2)具有产生EUV原始输出光束的EUV产生装置(2c)。该EUV原始输出光束为圆形偏振。为了设定可用输出光束(3)的偏振，相对于偏振方向，偏振设定装置(32；39)对原始输出光束具有线性偏振效果。这导致提供改进的输出光束以用于分辨率最优照明的EUV光源。
产生用于投射曝光设备可用输出光束 euv 光源

[发明专利]反射镜-CN201380048023.3有效
发明人： I.萨恩杰;J.劳夫;M.恩德雷斯;T.艾森曼 -专利权人：卡尔蔡司SMT有限责任公司
申请日： 2013-08-30 - 公布日： 2018-07-10 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：具有分片总表面区的反射镜，其中分片形成非周期布置。
反射镜非周期总表面

[发明专利]反射镜的布置-CN201280064971.1有效
发明人： J.劳夫;H.费尔德曼;M.莱 -专利权人：卡尔蔡司SMT有限责任公司
申请日： 2012-11-14 - 公布日： 2017-09-26 - 主分类号： G02B5/09 文献下载
摘要：一种用于EUV辐射(14)的反射镜(20)，包含总反射表面(24)，该总反射表面具有第一EUV辐射反射区和至少一个第二EUV辐射反射区，其中所述EUV辐射反射区在结构上彼此定界开，所述第一区包含至少一个第一部分反射表面(22)，所述第一部分反射表面(22)在各个情况下由所述至少一个第二区沿着周边(31)围绕，所述至少一个第二EUV辐射反射区包含至少一个第二部分反射表面(23)，该第二部分反射表面以路径连接的方式实现且以连续方式实现。
反射布置

[发明专利]EUV光刻装置的照明系统及其分面反射镜-CN201480009868.6有效
发明人： J.劳夫;I.萨恩格;J.齐默尔曼;D.克雷默;C.亨纳克斯;F.施莱塞纳 -专利权人：卡尔蔡司SMT有限责任公司
申请日： 2014-02-11 - 公布日： 2017-07-04 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明涉及EUV光刻装置(1)的照明系统(10)，包含第一分面反射镜(13)，具有反射EUV辐射(4)的分面元件(13a‑d)；以及第二分面反射镜(14)，具有反射由第一分面反射镜(13)反射的EUV辐射(4)至照明场(BF)的分面元件(14a‑d)。第一分面反射镜(13)或所述第二分面反射镜(14)的分面元件(13a‑d，14a，14c；14b，14d)的至少之一设计为衍射光学元件，用于衍射所述EUV辐射(4)。尤其，第二分面反射镜(14)的分面元件(14a，14c；14b，14d)的至少之一设计为衍射光学元件(14a，14c；14b，14d)，用于仅照明照明场的部分。本发明还涉及包含这种照明系统(10)的EUV光刻装置(1)，以及包含至少一个衍射分面元件(13a‑d，14a‑d)的分面反射镜(13，14)。
euv 光刻装置照明系统及其反射

[发明专利]反射镜、用于极紫外投射曝光系统的光学系统以及制造组件的方法-CN201180047361.6有效
发明人： J.劳夫;H.费尔德曼 -专利权人：卡尔蔡司SMT有限责任公司
申请日： 2011-09-26 - 公布日： 2013-06-05 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：一种用于EUV辐射(14)的反射镜(20)，其包含反射镜主体，其具有至少一个EUV辐射反射区(23)及至少两个EUV辐射可穿透区(22)。因此，也可以较小入射角及较大物侧数值孔径形成照明和成像光束路径的空间分离。
反射用于紫外投射曝光系统光学系统以及制造组件方法

[发明专利]用于EUV光刻的掩模、EUV光刻系统和用于优化掩模的成像的方法-CN201180029828.4有效
发明人： J.劳夫;D.克莱默 -专利权人：卡尔蔡司SMT有限责任公司
申请日： 2011-06-10 - 公布日： 2013-02-27 - 主分类号： G03F1/24 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于EUV光刻的掩模(105)，其包含：基板(107)；施加于基板(107)的多层涂层(108)；以及施加于多层涂层(108)并具有吸收体材料的掩模结构(109)，该掩模结构(109)具有小于100nm的最大厚度，优选地不超过30nm的最大厚度，尤其优选地是20nm，尤其是10nm。本发明还涉及具有这种掩模(105)的EUV光刻系统以及优化掩模(105)的成像的方法。
用于 euv 光刻系统优化成像方法

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