[发明专利]堆迭式半导体结构及其制造方法无效
申请号: | 201310109272.0 | 申请日: | 2013-03-29 |
公开(公告)号: | CN103227170A | 公开(公告)日: | 2013-07-31 |
发明(设计)人: | 颜瀚琦;刘盈男;李维钧 | 申请(专利权)人: | 日月光半导体制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L25/16 | 分类号: | H01L25/16;H01L21/50 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 陆勍 |
地址: | 中国台湾高雄市*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 一种堆迭式半导体结构及其制造方法。堆迭式半导体结构包括第一基板、第二基板、第一半导体芯片、第二半导体芯片及表面黏贴元件。第一基板具有上表面。第二基板具有下表面。第一半导体芯片设于第一基板的上表面。第二半导体芯片设于第二基板的下表面。第一表面黏贴元件设于第一基板的上表面与第二基板的下表面之间并电性连接第一基板与第二基板。由于第一表面黏贴元件位于第一基板与第二基板之间,如此可缩小半导体结构的尺寸。 | ||
搜索关键词: | 堆迭式 半导体 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种堆迭式半导体结构,其特征在于,包括:一第一基板,具有一上表面;一第二基板,具有一下表面;一第一半导体芯片,设于该第一基板的该上表面;一第二半导体芯片,设于该第二基板的该下表面;一第一表面黏贴元件,设于该第一基板的该上表面与该第二基板的该下表面之间并电性连接该第一基板与该第二基板;以及一封装体,包覆该第一基板的该上表面的一部分、该第二基板的该下表面的一部分、该第一半导体芯片、该第二半导体芯片与该第一表面黏贴元件。
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