[发明专利]堆迭式半导体结构及其制造方法

权利要求书

1.一种堆迭式半导体结构，其特征在于，包括：

一第一基板，具有一上表面；

一第二基板，具有一下表面；

一第一半导体芯片，设于该第一基板的该上表面；

一第二半导体芯片，设于该第二基板的该下表面；

一第一表面黏贴元件，设于该第一基板的该上表面与该第二基板的该下表面之间并电性连接该第一基板与该第二基板；以及

一封装体，包覆该第一基板的该上表面的一部分、该第二基板的该下表面的一部分、该第一半导体芯片、该第二半导体芯片与该第一表面黏贴元件。

2.如权利要求1所述的堆迭式半导体结构，其特征在于，该第一表面黏贴元件包括一第一接点及一第二接点，该第一表面黏贴元件的该第一接点及该第二接点分别连接于该第一基板的该上表面与该第二基板的该下表面。

3.如权利要求1所述的堆迭式半导体结构，其特征在于，该第一表面黏贴元件设于该第一基板上，该堆迭式半导体结构更包括：

一第二表面黏贴元件，设于该第二基板上并与该第一表面黏贴元件对接。

4.如权利要求3所述的堆迭式半导体结构，其特征在于，该第一表面黏贴元件及该第二表面黏贴元件各包括一第一接点及一第二接点，该第一表面黏贴元件的该第一接点及该第二接点分别与该第二表面黏贴元件的该第一接点及该第二接点对接。

5.如权利要求1所述的堆迭式半导体结构，其特征在于，该封装体包括：

一第一封装体，包覆该第一基板的该上表面的该部分、该第一半导体芯片及该第一表面黏贴元件；以及

一第二封装体，包覆该第二基板的该下表面的该部分、该第二半导体芯片及该第二表面黏贴元件。

6.如权利要求3所述的堆迭式半导体结构，其特征在于，该第一表面黏贴元件与该第二表面黏贴元件的对接高度大于该第一半导体芯片与该第二半导体芯片的总厚度，使该第一半导体芯片与该第二半导体芯片之间形成一空间；

该堆迭式半导体结构更包括：

一焊线，位于该空间内。

7.如权利要求1所述的堆迭式半导体结构，其特征在于，包括：

数个该第一表面黏贴元件，设于该第一基板上，该些第一表面黏贴元件的二者彼此串联或并联。

8.如权利要求1所述的堆迭式半导体结构，其特征在于，更包括：

数个第二表面黏贴元件，设于该第二基板上，该些第二表面黏贴元件的二者彼此串联或并联。

9.一种堆迭式半导体结构的制造方法，其特征在于，包括：

提供一第一基板；

设置一第一半导体芯片于该第一基板的一上表面；

提供一第二基板，其中该第二基板的一下表面设有一第二半导体芯片；

以一第一表面黏贴元件连接该第一基板的该上表面与该第二基板的该下表面之间，以电性连接该第一基板与该第二基板；以及

形成一封装体包覆该第一基板的部分该上表面、该第二基板的部分该下表面、该第一半导体芯片、该第二半导体芯片与该第一表面黏贴元件。

10.如权利要求9所述的制造方法，其特征在于，于以该第一表面黏贴元件连接该第一基板的该上表面与该第二基板的该下表面之间的步骤中，该第一表面黏贴元件设于该第一基板上；该制造方法更包括：

设置一第二表面黏贴元件于该第二基板并与该第一表面黏贴元件对接，其中该第一表面黏贴元件与该第二表面黏贴元件的对接高度大于该第一半导体芯片与该第二半导体芯片的总厚度，使该第一半导体芯片与该第二半导体芯片之间形成一空间；以及

形成一焊线，其中该焊线位于该空间内。