[发明专利]半导体装置及其测试方法在审
| 申请号： | 201310063944.9 | 申请日： | 2013-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN103681623A | 公开（公告）日： | 2014-03-26 |
| 发明（设计）人： | 郑椿锡;朴起德 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 俞波;许伟群 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体装置，所述半导体装置包括包含有多个通孔的芯片、测试电压输入单元以及测试结果接收单元。测试电压输入单元将测试电压施加到多个通孔中的一个。测试结果接收单元接收从多个通孔中的一个或更多个中输出的输出信号。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 测试 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，所述半导体装置包括包含有多个通孔的芯片，所述半导体装置包括：测试电压输入单元，所述测试电压输入单元被配置成将测试电压施加到所述多个通孔中的一个；以及测试结果接收单元，所述测试结果接收单元被配置成接收从所述多个通孔中的一个或更多个中输出的输出信号。
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