[发明专利]半导体封装构造及其制造方法无效

专利信息
申请号: 201210349326.6 申请日: 2012-09-20
公开(公告)号: CN102915984A 公开(公告)日: 2013-02-06
发明(设计)人: 唐和明;叶勇谊;翁肇甫;陈国华;谢慧英 申请(专利权)人: 日月光半导体制造股份有限公司
主分类号: H01L23/488 分类号: H01L23/488;H01L21/48;H01L21/60
代理公司: 上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) 31218 代理人: 翟羽
地址: 中国台湾高雄*** 国省代码: 中国台湾;71
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开一种半导体封装构造及其制造方法。所述半导体封装构造包含一薄型线路转接层、一第一芯片、数个电性连接单元、一封装胶体及一基板,所述薄型线路转接层具有一第一表面,所述第一表面具有数个导电端子,通过所述薄型线路转接层的设计,可以克服数个堆叠芯片受到彼此尺寸大小限制的问题,再者,利用导电端子彼此间的间距相对较小,不仅可提高接脚的数量,更可以大幅减少半导体封装构造的整体厚度,同时提高散热效能。
搜索关键词: 半导体 封装 构造 及其 制造 方法
【主权项】:
一种半导体封装构造,其特征在于:所述半导体封装构造包含:一薄型线路转接层,具有一第一表面,及数个形成于所述第一表面上的导电端子;一第一芯片,设置在所述薄型线路转接层上并与所述导电端子电性连接;数个电性连接单元,设置在所述薄型线路转接层上且环绕在所述第一芯片外,所述电性连接单元与所述导电端子电性连接;一封装胶体,形成于所述薄型线路转接层上并至少部分包覆所述第一芯片与电性连接单元;以及一基板,设置在所述封装胶体上并与所述电性连接单元电性连接。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于日月光半导体制造股份有限公司,未经日月光半导体制造股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201210349326.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top