[发明专利]半导体封装构造及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体封装构造，其特征在于：所述半导体封装构造包含：

一薄型线路转接层，具有一第一表面，及数个形成于所述第一表面上的导电端子；

一第一芯片，设置在所述薄型线路转接层上并与所述导电端子电性连接；

数个电性连接单元，设置在所述薄型线路转接层上且环绕在所述第一芯片外，所述电性连接单元与所述导电端子电性连接；

一封装胶体，形成于所述薄型线路转接层上并至少部分包覆所述第一芯片与电性连接单元；以及

一基板，设置在所述封装胶体上并与所述电性连接单元电性连接。

2.如权利要求1所述的半导体封装构造，其特征在于：所述薄型线路转接层是一激光激活材料层，所述导电端子的材料选自于铜。

3.如权利要求1或2所述的半导体封装构造，其特征在于：所述薄型线路转接层的厚度介于12至20微米之间。

4.如权利要求1所述的半导体封装构造，其特征在于：每一所述电性连接单元具有一砖间隔层、数个穿过所述砖间隔层的穿砖导通孔，及数个设置在所述穿硅导通孔一侧的金属球，所述金属球电性连接所述导电端子。

5.如权利要求1所述的半导体封装构造，其特征在于：所述薄型线路转接层还具有一相对的第二表面，以及数个贯穿所述第一及第二表面的导通孔；所述半导体封装构造还包含一设置于所述第二表面的第二芯片，所述第二芯片通过所述导通孔与所述第一芯片电性连接。

6.如权利要求1所述的半导体封装构造，其特征在于：所述半导体封装构造还包含一设置在所述第一芯片上的金属散热层，所述金属散热层显露于所述封装胶体外。

7.如权利要求6所述的半导体封装构造，其特征在于：所述基板具有一对应于所述金属散热层的散热垫，所述半导体封装构造还包含一连接于所述散热垫与所述金属散热层之间的导热介面材料。

8.一种半导体封装构造的制造方法，其特征在于：所述制造方法包含步骤

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提供一承载板；

在所述承载板上形成一薄型线路转接层，所述薄型线路转接层具有一第一表面，及一相对的第二表面，所述线路第一表面具有数个导电端子，及数个贯穿所述第一及第二表面的导通孔；

将数个电性连接单元形成在所述薄型线路转接层的第一表面，并与所述导电端子电性连接；

将一第一芯片设置于所述薄型线路转接层的第一表面并与所述导电端子及导通孔电性连接，所述电性连接单元环绕在所述第一芯片外；

将一封装胶体形成于所述薄型线路转接层的第一表面，使所述封装胶体至少部分包覆所述第一芯片与电性连接单元；以及

将一基板设置于所述封装胶体上，并与所述电性连接单元电性连接。

9.如权利要求8所述的半导体封装构造的制造方法，其特征在于：提供所述承载板的步骤之后，压合一激光激活材料层于所述承载板上，所述激光激活材料层具有一第一表面，及一相对的第二表面，并利用激光烧蚀所述激光激活材料层。

10.如权利要求9所述的半导体封装构造的制造方法，其特征在于：利用激光烧蚀所述激光激活材料层之后，利用无电镀的方式，形成所述导电端子及所述导通孔，以形成所述薄型线路转接层。

11.如权利要求8或10所述的半导体封装构造的制造方法，其特征在于：所述薄型线路转接层的厚度介于12至20微米之间。

12.如权利要求8所述的半导体封装构造的制造方法，其特征在于：每一所述电性连接单元具有一砖间隔层，及数个穿过所述砖间隔层的穿硅导通孔、数个设置在所述穿砖导通孔一侧的金属球，所述金属球电性连接所述导电端子。

13.如权利要求8所述的半导体封装构造的制造方法，其特征在于：在将所述基板设置于所述封装胶体的步骤之后，移开所述承载板，接着提供一第二芯片设置在所述薄型线路转接层的第二表面，使所述第二芯片通过所述导通孔与所述第一芯片电性连接。