[发明专利]半导体元件及其制造方法有效
| 申请号： | 201210217467.2 | 申请日： | 2012-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN103137601A | 公开（公告）日： | 2013-06-05 |
| 发明（设计）人： | 许芝菁;欧英德 | 申请（专利权）人： | 日月光半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/528 | 分类号： | H01L23/528;H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 陆勍 |
| 地址： | 中国台湾高雄市*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明关于一种半导体元件及其制造方法。该半导体元件包括一基板、一介电层、一金属层、一互连金属及一圆形绝缘层。该基板具有至少一通孔。该介电层邻近于该基板。该金属层邻近于该介电层。该互连金属位于该至少一通孔。一圆形绝缘层环绕该互连金属，其中该绝缘层具有一上表面，且该上表面接触该介电层。藉此，该金属层可经由该互连金属电性连接至该基板的另一表面。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体元件，包括一基板，其内具有至少一导电孔道，该至少一导电孔道包含一互连金属及一绝缘层，该绝缘层环绕该互连金属；一介电层，位于该基板的一第一表面，且覆盖该绝缘层的一上表面的至少一部份；及一金属层，邻近于该介电层，且电性连接至该互连金属。
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