[发明专利]半导体元件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体元件，包括

一基板，其内具有至少一导电孔道，该至少一导电孔道包含一互连金属及一绝缘层，该绝缘层环绕该互连金属；

一介电层，位于该基板的一第一表面，且覆盖该绝缘层的一上表面的至少一部份；及

一金属层，邻近于该介电层，且电性连接至该互连金属。

2.如权利要求1的半导体元件，其中该互连金属贯穿该介电层以电性连接该金属层。

3.如权利要求1的半导体元件，其中该互连金属贯穿该介电层以电性连接该金属层，且该绝缘层未贯穿该介电层。

4.如权利要求1的半导体元件，其中该绝缘层的该上表面完全被该介电层所覆盖。

5.如权利要求1的半导体元件，其中该绝缘层的该上表面完全被该介电层及该金属层所覆盖。

6.如权利要求1的半导体元件，其中该互连金属为杯状。

7.如权利要求6的半导体元件，其中该杯状互连金属包含一侧部及一水平部，该侧部邻近该绝缘层，且该水平部位于该金属层上。

8.如权利要求6的半导体元件，其中该杯状互连金属定义出一内部，该内部之内具有一绝缘材料。

9.如权利要求1的半导体元件，其中该互连金属为一金属柱。

10.如权利要求1的半导体元件，其中该介电层具有一凹部，该凹部的深度小于该介电层的厚度，该绝缘层部分地延伸至该介电层中。

11.如权利要求1的半导体元件，其中该介电层具有一开口，其中部分该金属层位于该介电层的开口中以连接该互连金属。

12.如权利要求1的半导体元件，其中该基板的材质包含硅。

13.如权利要求1的半导体元件，其中该基板的材质包含玻璃。

14.一种半导体元件，包括

一基板，其内具有至少一导电孔道，该至少一导电孔道包含一通孔，该通孔形成于该基板中，该通孔包含一绝缘层，该绝缘层位于该通孔的一侧壁上且环绕一杯状互连金属；

一介电层，位于该基板的一第一表面；及

一金属层，邻近于该介电层；

其中该互连金属贯穿该介电层以电性连接该金属层，且该绝缘层未贯穿该介电层。

15.如权利要求14的半导体元件，其中该绝缘层的一上表面完全被该介电层所覆盖。

16.如权利要求14的半导体元件，其中该绝缘层的一上表面完全被该介电层及该金属层所覆盖。

17.如权利要求14的半导体元件，其中该互连金属定义出一内部，该内部的内具有一绝缘材料。

18.一种半导体元件的制造方法，包括以下步骤：

蚀刻一基板以形成一圆柱状腔体；

沉积一互连金属于该圆柱状腔体中；

蚀刻该基板以形成一圆柱状孔洞，其中该互连金属位于该圆柱状孔洞的内；及

沉积一绝缘层于该圆柱状孔洞内，其中该绝缘层具有一上表面，且该上表面接触一介电层，该介电层位于该基板上。

19.如权利要求18的方法，其中该介电层具有一开口，一金属层更位于该介电层的开口中；且该圆柱状腔体显露部分该金属层。

20.如权利要求18的方法，其中该互连金属形成于该圆柱状腔体的一侧壁上，以形成杯状且定义出一内部；一圆形绝缘层形成于该圆柱状孔洞中，且一中心绝缘材料形成于该内部中。