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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体封装结构及其制造方法-CN202110618564.1在审
发明人：李晓燕;欧英德;郭进成;陈重豪 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2021-06-03 - 公布日： 2021-12-07 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体封装结构，其包含衬底、裸片和导电结构。所述裸片安置于所述衬底上或内。所述裸片具有背对所述衬底的第一表面且包含在所述裸片的所述第一表面的感测区和衬垫。所述裸片的所述第一表面具有第一边缘和与所述第一边缘相对的第二边缘。所述感测区安置成邻近所述第一边缘。所述衬垫安置成远离所述第一边缘。所述导电结构电连接所述衬垫和所述衬底。所述感测区具有远离所述裸片的所述第一表面的所述第一边缘的第一端。从所述感测区的所述第一端到所述衬垫中心的距离等于或大于从所述感测区的所述第一端到所述裸片的所述第一表面的所述第一边缘的距离。
半导体封装结构及其制造方法

[发明专利]硅穿孔结构的电源和接地设计-CN201710028754.1有效
发明人：洪志斌;欧英德;李宝男 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2017-01-16 - 公布日： 2021-05-07 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：在一或多个实施例中，一种半导体装置包含衬底、第一电介质层和第一导电层。所述衬底包含第一表面和与所述第一表面相对的第二表面。所述第一电介质层在所述衬底的所述第一表面上。所述第一导电层在所述衬底的所述第一表面上，且包含在所述第一电介质层上的第一部分和由所述第一电介质层围绕的第二部分。所述第一导电层的所述第二部分从所述第一导电层的所述第一部分延伸穿过所述第一电介质层以接触所述衬底的所述第一表面。
穿孔结构电源接地设计

[发明专利]半导体封装结构及制造其之方法-CN201610938688.7有效
发明人：郭进成;李宝男;洪志斌;欧英德 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2016-10-25 - 公布日： 2020-06-30 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本案之揭示内容系关于一种半导体封装结构及一种用于制造其之方法。半导体封装封装结构包括一半导体基板，其具有一第一表面及相对于该第一表面之一第二表面。该半导体基板具有自该第二表面延伸至该第一表面之一空间且一绝缘体系设置于该空间中。该半导体封装结构包括该绝缘体中之若干导电柱。
半导体封装结构制造方法

[发明专利]半导体元件及其制造方法-CN201610573479.7有效
发明人：许芝菁;欧英德 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2012-06-28 - 公布日： 2020-01-07 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：本发明关于一种半导体元件及其制造方法。该半导体元件包括一基板、一介电层、一金属层、一互连金属及一圆形绝缘层。该基板具有至少一通孔。该介电层邻近于该基板。该金属层邻近于该介电层。该互连金属位于该至少一通孔。一圆形绝缘层环绕该互连金属，其中该绝缘层具有一上表面，且该上表面接触该介电层。藉此，该金属层可经由该互连金属电性连接至该基板的另一表面。
半导体元件及其制造方法

[发明专利]半导体元件及其制造方法-CN201610326224.0有效
发明人：许芝菁;欧英德;府玠辰;黄哲豪 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2013-01-14 - 公布日： 2019-06-11 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明关于一种半导体元件及其制造方法。该半导体元件包括一基板、一第一重布层及一导电孔。该基板具有一基板本体及一焊垫。该焊垫及该第一重布层邻近于该基板本体的第一表面，且彼此电性连接。互连金属位于该基板本体的一贯穿孔中，且接触该第一重布层。藉此，该焊垫可经由该第一重布层及该导电孔电性连接至该基板本体的第二表面。
半导体元件及其制造方法

[发明专利]半导体装置和半导体工艺-CN201410101647.3有效
发明人：黄哲豪;欧英德 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2014-03-18 - 公布日： 2018-05-18 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体装置和半导体工艺。所述半导体装置包含衬底、电路层、多个凸块下金属层UBM、重新分布层和多个互连金属。所述衬底具有有源表面和无源表面。所述电路层和所述凸块下金属层UBM邻设于所述有源表面。所述重新分布层邻设于所述无源表面。所述互连金属电性连接所述电路层和所述重新分布层。
半导体装置工艺

[发明专利]具电磁干扰屏蔽的半导体封装体及其制造方法-CN201610059551.4在审
发明人：邱基综;欧英德 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2013-05-16 - 公布日： 2016-04-20 - 主分类号： H01L23/552 文献下载
摘要：本发明公开一种具电磁干扰屏蔽的半导体封装体及其制造方法。半导体封装体包括一屏蔽物，其连接多个配置在一晶片上的导电件。多个导电件被配置而分别地围住在晶片上的多个微结构件，而这些微结构件位在前述的导电件所形成的多个凹穴中以提供较佳的屏蔽效果。屏蔽物与多个导电件具电磁干扰屏蔽的作用。一种形成半导体封装体的方法包括下列步骤。提供一具有多个子单元的半导体晶片，设置至少一微结构件在各子单元，电连接微结构件与半导体晶片。形成多个导电件在半导体晶片上，各导体件环绕微结构件且形成多个凹穴，且微结构件在凹穴中。配置一屏蔽物在导体件上以将微结构件封闭在凹穴内。
电磁干扰屏蔽半导体封装及其制造方法

[发明专利]具电磁干扰屏蔽的半导体封装体及其制造方法-CN201310180814.3有效
发明人：邱基综;欧英德 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2013-05-16 - 公布日： 2013-09-11 - 主分类号： H01L23/552 文献下载
摘要：本发明公开一种具电磁干扰屏蔽的半导体封装体及其制造方法。半导体封装体包括一屏蔽物，其连接多个配置在一晶片上的导电件。多个导电件被配置而分别地围住在晶片上的多个微结构件，而这些微结构件位在前述的导电件所形成的多个凹穴中以提供较佳的屏蔽效果。屏蔽物与多个导电件具电磁干扰屏蔽的作用。一种形成半导体封装体的方法包括下列步骤。提供一具有多个子单元的半导体晶片，设置至少一微结构件在各子单元，电连接微结构件与半导体晶片。形成多个导电件在半导体晶片上，各导体件环绕微结构件且形成多个凹穴，且微结构件在凹穴中。配置一屏蔽物在导体件上以将微结构件封闭在凹穴内。
电磁干扰屏蔽半导体封装及其制造方法

[发明专利]半导体元件及其制造方法-CN201310012910.7有效
发明人：许芝菁;欧英德;府玠辰;黄哲豪 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2013-01-14 - 公布日： 2013-08-21 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：本发明关于一种半导体元件及其制造方法。该半导体元件包括一基板、一第一重布层及一导电孔。该基板具有一基板本体及一焊垫。该焊垫及该第一重布层邻近于该基板本体的第一表面，且彼此电性连接。互连金属位于该基板本体的一贯穿孔中，且接触该第一重布层。藉此，该焊垫可经由该第一重布层及该导电孔电性连接至该基板本体的第二表面。
半导体元件及其制造方法

[发明专利]半导体元件及其制造方法-CN201210217467.2有效
发明人：许芝菁;欧英德 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2012-06-28 - 公布日： 2013-06-05 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：本发明关于一种半导体元件及其制造方法。该半导体元件包括一基板、一介电层、一金属层、一互连金属及一圆形绝缘层。该基板具有至少一通孔。该介电层邻近于该基板。该金属层邻近于该介电层。该互连金属位于该至少一通孔。一圆形绝缘层环绕该互连金属，其中该绝缘层具有一上表面，且该上表面接触该介电层。藉此，该金属层可经由该互连金属电性连接至该基板的另一表面。
半导体元件及其制造方法

[发明专利]半导体封装件及其制造方法-CN201210002980.X无效
发明人：黄哲豪;欧英德 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2012-01-06 - 公布日： 2012-06-20 - 主分类号： H01L23/13 文献下载
摘要：一种半导体封装件及其制造方法。半导体封装件包括基板、半导体芯片、封装体及多个焊球。基板具有侧面及相对的上表面与下表面。半导体芯片设于基板的上表面上。封装体包覆半导体芯片且具有凹陷部及上表面，凹陷部相对基板的侧面往凹陷且从封装体的上表面往基板的方向延伸一距离，此距离至多等于封装体的厚度，其中凹陷部与基板的侧面于不同切割工艺中形成。焊球形成于基板的下表面上。
半导体封装及其制造方法

[发明专利]埋入型多芯片半导体封装结构及其制造方法-CN201010576052.5有效
发明人：府玠辰;欧英德 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2010-11-25 - 公布日： 2011-07-06 - 主分类号： H01L25/00 文献下载
摘要：本发明关于一种埋入型多芯片半导体封装结构及其制造方法，本发明的埋入型多芯片半导体封装结构包括：一第一芯片、至少一第二芯片、一第一线路层及一第二线路层。该第一芯片具有一第一表面、一第二表面及至少一凹槽，该至少一凹槽设置于该第二表面。至少一第二芯片具有一主动表面及数个第二电性连接垫，该至少一第二芯片设置于该至少一凹槽内。因本发明的该至少一第二芯片设置于该第一芯片的该至少一凹槽内，故不会增加本发明埋入型多芯片半导体封装结构的高度及面积，可有利于产品的微小化。
埋入芯片半导体封装结构及其制造方法

[发明专利]半导体基板的制造方法及半导体结构的制造方法-CN201010550488.7有效
发明人：府玠辰;欧英德 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2010-11-10 - 公布日： 2011-06-15 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：一种半导体基板的制造方法及半导体结构的制造方法。半导体基板的制造方法包括以下步骤。首先，提供基材，基材具有第一贯孔及相对的第一面与第二面。然后，压合介电结构于基材上，其中介电结构形成于第一面、第二面及第一贯孔内。然后，形成第二贯孔贯穿介电结构中位于第一贯孔上的部分。然后，形成导电材料于第二贯孔内。
半导体制造方法结构

[发明专利]半导体封装件及其制造方法-CN200910258552.1有效
发明人：翁肇甫;韩约翰;蔡丽娟;吴怡婷;府玠辰;欧英德 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2009-12-10 - 公布日： 2011-06-15 - 主分类号： H01L23/552 文献下载
摘要：一种半导体封装件及其制造方法。半导体封装件包括一金属环绕部、一芯片、一封胶、一介电层及一图案化导电层。金属环绕部环绕出一凹部。芯片设于凹部，芯片包括数个接垫。封胶形成于凹部并包覆芯片的侧面并露出接垫。介电层形成于芯片，介电层具有数个开孔，开孔露出接垫。图案化导电层形成于介电层并电性连接接垫。
半导体封装及其制造方法

[发明专利]具有穿导孔的半导体组件及其制造方法及具有穿导孔的半导体组件的封装结构-CN200910208066.9有效
发明人：邱基综;欧英德;王盟仁 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2009-10-21 - 公布日： 2011-05-04 - 主分类号： H01L23/52 文献下载
摘要：本发明关于一种具有穿导孔的半导体组件及其制造方法及具有穿导孔的半导体组件的封装结构。该具有穿导孔的半导体组件包括一硅芯片及至少一穿导孔。该硅芯片包括一硅基材及一主动线路层。该主动线路层位于该硅基材的一第二表面，且具有至少一金属层。该穿导孔贯穿该硅基材，且包括一导电金属。该导电金属电性连接至该主动线路层的金属层，该导电金属的一表面显露于该硅基材的一第一表面之外。藉此，该半导体组件得以直接堆栈一芯片于其上，且不需要形成一保护层及一重布层于该硅基材的第一表面，进而简化工艺并降低成本。
具有穿导孔半导体组件及其制造方法封装结构

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