[发明专利]一种全包围栅极器件形成纳米线的方法有效

申请号：	201210183171.3	申请日：	2012-06-05
公开（公告）号：	CN103456609A	公开（公告）日：	2013-12-18
发明（设计）人：	禹国宾	申请（专利权）人：	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
主分类号：	H01L21/20	分类号：	H01L21/20;H01L29/10;B82Y10/00
代理公司：	上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237	代理人：	屈蘅;李时云
地址：	201203 ***	国省代码：	上海;31
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摘要：	本发明提出一种全包围栅极器件形成纳米线的方法，包括步骤：提供半导体衬底，包括基底层以及立于基底层上的鳍形沟道结构，鳍形沟道结构包括半导体材料的鳍形沟道以及覆盖鳍形沟道顶部的硬掩膜层；对鳍形沟道进行氧化处理，使得鳍形沟道侧壁表面被氧化层覆盖包围；进行湿法回推，去除鳍形沟道的顶部拐角处的氧化层，使鳍形沟道的顶部拐角的半导体材料部分暴露；在鳍形沟道的顶部拐角暴露出的半导体材料处生长外延线；移除硬掩膜层和鳍形沟道侧壁上剩余的氧化层；热氧化处理鳍形沟道使其完全转化为氧化物，去除氧化物，使外延线转变为悬空于基底层上方的纳米线。
搜索关键词：	一种包围栅极器件形成纳米方法
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【主权项】：

一种全包围栅极器件形成纳米线的方法，其特征在于，包括步骤：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括基底层以及立于基底层上的鳍形沟道结构，所述鳍形沟道结构包括半导体材料的鳍形沟道以及覆盖所述鳍形沟道顶部的硬掩膜层；对所述鳍形沟道进行氧化处理，使得所述鳍形沟道侧壁表面被氧化层覆盖包围；进行湿法回推，去除所述鳍形沟道的顶部拐角处的氧化层，使所述鳍形沟道的顶部拐角的半导体材料部分暴露；在所述鳍形沟道的顶部拐角暴露出的半导体材料处生长外延线；移除所述硬掩膜层和鳍形沟道侧壁上剩余的氧化层；热氧化处理所述鳍形沟道使其完全转化为氧化物，去除所述氧化物，使所述外延线转变为悬空于所述基底层上方的纳米线。

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摘要：一种包括纳米结构的半导体装置，其包含III‑氮化物半导体晶体的平面层(1020)，所述层包括外延生长的纳米线结构(1010)的阵列，和半导体材料(1016)，所述半导体材料在外延生长之后在重组步骤中从所述纳米线结构再分布，经布置以填充所述纳米线结构之间的间距，其中所述纳米线结构的阵列和所述半导体材料形成粘结层。

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摘要：提供了一种用于制造半导体结构的解决方案。该半导体结构包括使用一组外延生长周期生长在基板上的多个半导体层。在每个外延生长周期期间，生长具有拉伸应力或压缩应力中的一个的第一半导体层，然后直接在第一半导体层上生长具有拉伸应力或压缩应力中的另一个的第二半导体层。一组生长条件中的一个或多个、一层或两层的厚度、和/或层之间的晶格失配，可以被配置成在层之间的界面的最小百分比内产生目标级别的压缩和/或拉伸应力。

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摘要：本发明提供了用于对半导体材料的层，特别是非晶硅或IGZO进行退火的方法和设备。在一种布置中，设备包括产生激光束的激光源。光束扫描装置以选择性地辐射半导体材料的层的多个区域的方式相对于半导体材料的层扫描激光束或由激光束产生的多个子光束并由此产生相应的多个退火的半导体材料的区域，特别是相应的多个多晶硅或退火的IGZO的区域。退火的半导体材料的区域中的每一个与其他退火的半导体材料的区域中的所有区域分隔开。

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发明人：冈部晃;森义信 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2014-03-13 - 公布日： 2019-01-18 - 主分类号： H01L21/20
摘要：本文介绍在构建由作为顶面的顶板、作为底面的基板安装部分，及作为侧面的侧壁界定及形成的反应腔室时，支撑件在顶板的圆周边缘自圆周边缘的上侧及外侧支撑顶板，并且反应气体在设置于侧壁中的反应气体供应路径中经整流，使得反应腔室中处于反应气体流动方向上的水平部件对应于一水平部件，该后一水平部件在自与反应腔室相对的反应气体供应路径的开口中心延伸至反应腔室中心的方向上。

提高深沟槽填充能力的方法-201810947062.1
发明人：姚亮;王飞 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2018-08-20 - 公布日： 2019-01-04 - 主分类号： H01L21/20
摘要：本发明公开了一种提高深沟槽填充能力的方法，步骤1、在已经形成的深沟槽内进行填充；步骤2、当填充到所述深沟槽填充满所需时间的一半时，先停止填充；步骤3、在所述深沟槽表面进行垂直注入；步骤4、对注入过的填充物质表面进行刻蚀，增大所述深沟槽开口角度；步骤5、在经过重新加工的开口的所述深沟槽内继续填充工艺步骤，完成沟槽填充。本发明能够实现深沟槽填充的完整性。

专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造

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[发明专利]一种全包围栅极器件形成纳米线的方法有效

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