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- [发明专利]层状结构-CN202310084026.8在审
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R·哈蒙德;A·克拉克;R·佩尔策尔
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IQE公开有限公司
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2023-01-31
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2023-08-01
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H01L29/06
- 公开了层状结构。一种制造层状结构的方法，包括在基板上生长外延层，外延层在邻近基板处具有第一电阻率并且在远离基板处具有第二电阻率(小于第一电阻率)。使外延层孔化以形成多孔层，多孔层在邻近基板处具有30％的孔隙率并且在远离基板处具有≤25％的孔隙率。在多孔层上方外延生长半导体(沟道)层。另外一种层状结构，包括：基板；多孔层；以及外延半导体(沟道)层。多孔层在邻近基板处具有＞30％的第一孔隙率并且在与半导体层相邻处具有≤25％的第二孔隙率。可以针对不同的功能优化两种不同的孔隙率。较高的孔隙率在使沟道与基板绝缘方面是有效的。较低的孔隙率提供了具有露出的单晶取向的晶体结构，其支持包括高质量、低缺陷、外延生长的沟道层。
- 层状结构
- [实用新型]层状结构-CN202222758013.8有效
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M·D·吉恩
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IQE公开有限公司
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2022-10-19
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2023-07-14
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H01S5/125
- 本实用新型涉及层状结构。层状结构（200、300、300'、400、400'、600）包括作为单一材料的第一层（240、320、420、620）和耦合到第一层的空腔（230、330、430、630）。第一层包括多孔区域（250、250'、350、350'、460、650）以形成第一分布式布拉格反射器(DBR)。多孔区域包括单一材料的交替的第一多孔子层和第二多孔子层（251‑258、351‑358、351'‑358'、461‑468、651‑658）以形成第一DBR。空腔包括有源区（238、338、438、638）以生成辐射、检测辐射或两者。需要提高制造DBR的速度和效率。有利地，层状结构提高了制造DBR的速度，减少了层状结构中的应变，减小了层状结构的尺寸，并且增加了产量。
- 层状结构
- [发明专利]多孔分布式布拉格反射器装置、系统和方法-CN202211279655.8在审
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M·D·吉恩
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IQE公开有限公司
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2022-10-19
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2023-04-21
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H01S5/125
- 公开了多孔分布式布拉格反射器装置、系统和方法。层状结构200、300、300'、400、400'、600包括作为单一材料的第一层240、320、420、620和耦合到第一层的空腔230、330、430、630。第一层包括多孔区域250、250'、350、350'、460、650以形成第一分布式布拉格反射器(DBR)。多孔区域包括单一材料的交替的第一多孔子层和第二多孔子层251‑258、351‑358、351'‑358'、461‑468、651‑658以形成第一DBR。空腔包括有源区238、338、438、638以生成辐射、检测辐射或两者。有利地，层状结构和形成层状结构的方法提高了制造DBR的速度，减少了层状结构中的应变，减小了层状结构的尺寸，并且增加了产量。
- 多孔分布式布拉格反射装置系统方法
- [实用新型]半导体装置-CN202222047703.2有效
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A·D·约翰逊
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IQE公开有限公司
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2022-08-04
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2023-03-21
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H01S5/183
- 本公开涉及半导体装置。公开了一种半导体装置(100,200,300,400,500)，包括：衬底(104)；所述衬底(104)上的第一反射器(106)；所述第一反射器(106)上的光发射层(107)，其中，所述光发射层(107)包括活动区域(108A‑C)，并且其中每个活动区域(108A‑C)包括彼此不同的主要发射波长；对应的活动区域(108A‑C)上的第二反射器(114A‑C)；和对应的活动区域(108A‑C)上的孔(110A‑C)。
- 半导体装置
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