[发明专利]半导体封装件及其制造方法无效
| 申请号： | 201210033634.8 | 申请日： | 2012-02-15 |
| 公开（公告）号： | CN102646658A | 公开（公告）日： | 2012-08-22 |
| 发明（设计）人： | 金时汉;李雄宣 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L23/31 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 邱军 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体封装件及其制造方法，该半导体封装件包括：第一半导体芯片，具有突出地形成在其上的第一凸块；第一铜箔附着树脂，覆盖在第一半导体芯片上以嵌入第一半导体芯片，并且形成为使得附着在该第一铜箔附着树脂的上表面上的第一铜箔层与第一凸块电连接；第二铜箔附着树脂，包括与第一铜箔层电连接的第二铜箔层，并且设置在第一铜箔附着树脂上；以及第二半导体芯片，以面对第一半导体芯片的方式嵌入在第二铜箔附着树脂中，并且具有形成在其上的第二凸块，第二凸块与第二铜箔层电连接。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 封装 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体封装件，包括：第一半导体芯片，具有突出地形成在其上的第一凸块；第一铜箔附着树脂，覆盖在该第一半导体芯片上以嵌入该第一半导体芯片，并且形成为使得形成在该第一铜箔附着树脂的上表面上的第一铜箔层与该第一凸块电连接；第二铜箔附着树脂，包括与该第一铜箔层电连接的第二铜箔层，并且设置在该第一铜箔附着树脂上；以及第二半导体芯片，以面对该第一半导体芯片的方式嵌入在该第二铜箔附着树脂中，并且具有形成在其上的第二凸块，该第二凸块与该第二铜箔层电连接。
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