[发明专利]半导体封装件及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种半导体封装件及其制造方法，尤其涉及一种能够简化工艺和降低制造成本的半导体封装件及其制造方法。

背景技术

在半导体工业中，不断地开发用于集成电路的封装技术以满足小型化和安装可靠性的需要。例如，小型化的需要促进了具有接近芯片尺寸的尺寸的封装件的技术开发。安装可靠性的需要强调了用于提高安装工作效率以及安装之后机械可靠性和电可靠性的封装技术的重要性。

由于电气和电子产品中需要小型化和高性能，因此用于提供具有高容量的半导体封装件的各种技术得到研究和开发。用于提供具有高容量的半导体封装件的方法包括存储器芯片的高度集成。这种高度集成可通过在半导体芯片的有限空间中集成数量增加的单元而实现。

然而，存储器芯片的高度集成要求高精度的技术，诸如精细的线宽和冗长的开发周期。在这样的情况下，提出了堆叠技术，作为提供高容量半导体封装件的另一种方法。堆叠技术可分为在一个封装件中嵌入两个堆叠芯片的方法以及堆叠两个独立封装的分离封装件的方法。

在传统技术中，堆叠封装通过以面朝下的方式将第一半导体芯片附着到主基板上并且以面朝上的方式将第二半导体芯片附着到第一半导体芯片上而实现。封装两个半导体芯片的另一种方式是以面朝上的方式将第一半导体芯片和第二半导体芯片都附着到主基板上。

然而，当两个芯片堆叠在彼此底部时，引起的问题是从主基板到第一半导体芯片传送的电信号的速度与从主基板到第二半导体芯片传送的电信号的速度之间产生差异。当在基板上面朝上堆叠两个芯片时，因为第一半导体芯片和第二半导体芯片需要进行重排工艺，所以产生了问题，工艺的数量增加并且导致制造成本高。

发明内容

本发明的实施例涉及半导体封装件及其制造方法，其能够在封装件制造中简化工艺并且减少制造成本。

在本发明的一个实施例中，一种半导体封装件包括：第一半导体芯片，具有突出地形成在其上的第一凸块；第一铜箔附着树脂，覆盖在第一半导体芯片上以嵌入第一半导体芯片，并且形成为使得附着在第一铜箔附着树脂的上表面上的第一铜箔层与第一凸块电连接；第二铜箔附着树脂，包括与第一铜箔层电连接的第二铜箔层，并且设置在第一铜箔附着树脂上；以及第二半导体芯片，以面对第一半导体芯片的方式嵌入在第二铜箔附着树脂中，并且具有形成在其上的第二凸块，第二凸块与第二铜箔层电连接。

半导体封装件可进一步包括：第一芯层，设置在第一铜箔附着树脂的下表面上，并且具有第一表面和背对第一表面的第二表面，第一半导体芯片附着到第一表面。

半导体封装件可进一步包括：通路图案，电连接第一半导体芯片与第一芯层。

通路图案可与电连接第一凸块的第一铜箔层电连接，并且可穿过第一芯层的第一表面和第二表面。

通路图案可包括铜。

第一芯层可包括形成在第一芯层的第二表面上且电连接通路图案的球焊盘。

半导体封装件可进一步包括形成在球焊盘上的外部连接端子。

第一凸块和第二凸块可包括铜(Cu)、银(Ag)、金(Au)、镍(Ni)以及锡(Sn)中的至少一种。

半导体封装件可进一步包括：第二芯层，设置在嵌入有第二半导体芯片的第二铜箔附着树脂的上表面上，并且具有第三表面和背对第三表面的第四表面，第二半导体芯片附着到第三表面。