[发明专利]半导体封装件及其制造方法无效
申请号: | 201210033634.8 | 申请日: | 2012-02-15 |
公开(公告)号: | CN102646658A | 公开(公告)日: | 2012-08-22 |
发明(设计)人: | 金时汉;李雄宣 | 申请(专利权)人: | 海力士半导体有限公司 |
主分类号: | H01L23/488 | 分类号: | H01L23/488;H01L23/31 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 邱军 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 封装 及其 制造 方法 | ||
1.一种半导体封装件,包括:
第一半导体芯片,具有突出地形成在其上的第一凸块;
第一铜箔附着树脂,覆盖在该第一半导体芯片上以嵌入该第一半导体芯片,并且形成为使得形成在该第一铜箔附着树脂的上表面上的第一铜箔层与该第一凸块电连接;
第二铜箔附着树脂,包括与该第一铜箔层电连接的第二铜箔层,并且设置在该第一铜箔附着树脂上;以及
第二半导体芯片,以面对该第一半导体芯片的方式嵌入在该第二铜箔附着树脂中,并且具有形成在其上的第二凸块,该第二凸块与该第二铜箔层电连接。
2.根据权利要求1所述的半导体封装件,进一步包括:
第一芯层,设置在该第一铜箔附着树脂的下表面上,并且具有第一表面和背对该第一表面的第二表面,第一半导体芯片附着到该第一表面。
3.根据权利要求2所述的半导体封装件,进一步包括:
通路图案,电连接该第一半导体芯片与该第一芯层。
4.根据权利要求3所述的半导体封装件,其中该通路图案与电连接该第一凸块的第一铜箔层电连接,并且穿过该第一芯层的该第一表面和该第二表面。
5.根据权利要求3所述的半导体封装件,其中该通路图案包括铜。
6.根据权利要求3所述的半导体封装件,其中该第一芯层包括球焊盘,所述球焊盘形成在其第二表面上且电连接该通路图案。
7.根据权利要求6所述的半导体封装件,进一步包括:
外部连接端子,形成在该球焊盘上。
8.根据权利要求1所述的半导体封装件,其中该第一凸块和该第二凸块包括铜、银、金、镍以及锡中的至少一种。
9.根据权利要求1所述的半导体封装件,进一步包括:
第二芯层,设置在嵌入有该第二半导体芯片的该第二铜箔附着树脂的上表面上,并且具有第三表面和背对该第三表面的第四表面,该第二半导体芯片附着到该第三表面。
10.一种半导体封装件的制造方法,包括:
制备第一芯层,该第一芯层具有第一表面和背对该第一表面的第二表面;
将第一半导体芯片附着到该第一芯层的该第一表面上;
在该第一半导体芯片上形成第一凸块,以从该第一半导体芯片的上表面突出;
在该第一芯层的该第一表面上覆盖第一铜箔附着树脂,使得该第一半导体芯片嵌入在该第一铜箔附着树脂中并且使得形成在该第一铜箔附着树脂的上表面上的第一铜箔层与该第一凸块电连接;
在穿过该第一铜箔层、该第一铜箔附着树脂以及该第一芯层的该第一表面和该第二表面的孔中,以与该第一铜箔层电连接的方式形成通路图案,该第一铜箔层与突出地形成的该第一半导体芯片的第一凸块电连接;
制备第二芯层,该第二芯层具有第三表面和背对该第三表面的第四表面,所述第三表面面对该第一芯层的该第一表面;
将第二半导体芯片附着到该第二芯层的该第三表面上;
在该第二半导体芯片上形成第二凸块,以从该第二半导体芯片的上表面突出;
在该第二芯层的该第三表面上覆盖第二铜箔附着树脂,使得该第二半导体芯片嵌入在该第二铜箔附着树脂中,并且使得形成在该第二铜箔附着树脂的上表面上的第二铜箔层与该第二凸块电连接;以及
将该第二铜箔附着树脂附着到包括该第一芯层的该第一铜箔附着树脂上方,在该第二铜箔附着树脂的上表面上形成有该第二铜箔层,在该第二铜箔附着树脂中嵌入有该第二半导体芯片并且该第二铜箔附着树脂覆盖该第二芯层的该第三表面,使得该第一凸块和该第二凸块彼此电连接。
11.根据权利要求10所述的方法,其中该第一凸块和该第二凸块包括铜、银、金、镍以及锡中的至少一种。
12.根据权利要求10所述的方法,其中该通路图案包括铜。
13.根据权利要求10所述的方法,其中该第一芯层包括形成在其第二表面上且电连接该通路图案的球焊盘。
14.根据权利要求13所述的方法,进一步包括:
在该球焊盘上形成外部连接端子。
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