[发明专利]半导体元件封装结构及其制造方法无效

专利信息
申请号: 201110231014.0 申请日: 2011-08-12
公开(公告)号: CN102376687A 公开(公告)日: 2012-03-14
发明(设计)人: 杨文焜 申请(专利权)人: 金龙国际公司
主分类号: H01L23/538 分类号: H01L23/538;H01L23/00;H01L23/498;H01L21/603;H01L21/56
代理公司: 北京汇泽知识产权代理有限公司 11228 代理人: 张瑾
地址: 英属维尔京群岛托投拉*** 国省代码: 维尔京群岛;VG
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摘要: 发明涉及一半导体元件封装结构及其制造方法。所述半导体元件封装结构包含:第一基板,其具有晶粒金属垫、第一导线电路和第二导线电路;晶粒,其配置于晶粒金属垫的上表面;第二基板,其具有供晶粒容纳的晶粒容纳开口、第三导线电路和第四导线电路,其中晶粒的厚度等于第二基板的厚度;粘着层,其设置于第一基板的上表面、第二基板及晶粒的底表面;第一介电层,其设置于晶粒及第二基板的上表面,及设置于晶粒的侧壁与晶粒容纳开口的侧壁之间,其中第一介电层包含多数个孔洞区域。本发明所提供的半导体元件封装结构,其具有极佳的热膨胀系数匹配性能与缩小化尺寸;其基板具有晶粒容纳开口,以改善机械可靠度与缩小元件的尺寸。
搜索关键词: 半导体 元件 封装 结构 及其 制造 方法
【主权项】:
一种半导体元件封装结构,其特征在于,所述半导体元件封装结构包含:一第一基板,其具有一晶粒金属垫、一位于所述第一基板上表面的第一导线电路和一位于所述第一基板底表面的第二导线电路,其中所述晶粒金属垫包含一对准标记;一晶粒,其配置于所述晶粒金属垫的上表面;一第二基板,其具有一供晶粒容纳的晶粒容纳开口、一位于所述第二基板上表面的第三导线电路和一位于所述第二基板底表面的第四导线电路,其中所述晶粒的厚度等于第二基板的厚度;一粘着层,其设置于所述第一基板的上表面、所述第二基板及所述晶粒的底表面;以及一第一介电层,其设置于所述晶粒及所述第二基板的上表面,及设置于所述晶粒的侧壁与所述晶粒容纳开口的侧壁之间,其中所述第一介电层包含多数个孔洞区域。
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