[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201110165501.1 | 申请日： | 2011-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN102280416A | 公开（公告）日： | 2011-12-14 |
| 发明（设计）人： | 奥村美香;山口靖雄;村上刚史 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/29 | 分类号： | H01L23/29;H01L23/31;H01L21/56 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 何欣亭;王忠忠 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明目的在于提供一种半导体装置，能够作为表面保护膜而形成氮化膜并且抑制模制树脂的剥离。本发明所涉及的半导体装置，具有衬底、在该衬底上形成的元件、在该衬底上形成的氮化膜、在该氮化膜上形成的防止剥离膜、以及覆盖该防止剥离膜和该元件而形成的模制树脂。而且，该半导体装置的特征在于，该防止剥离膜为残留有压缩应力的膜。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其特征在于，具有：衬底；在所述衬底上形成的元件；在所述衬底上形成的氮化膜；在所述氮化膜上形成的防止剥离膜；以及覆盖所述防止剥离膜和所述元件而形成的模制树脂，所述防止剥离膜为残留有压缩应力的膜。
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