[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，具有：

衬底；

在所述衬底上形成的元件；

在所述衬底上形成的氮化膜；

在所述氮化膜上形成的防止剥离膜；以及

覆盖所述防止剥离膜和所述元件而形成的模制树脂，

所述防止剥离膜为残留有压缩应力的膜。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：

具有在所述衬底上形成并且用所述模制树脂覆盖的多个电极垫，

所述防止剥离膜在所述元件与所述多个电极垫之间、以及所述多个电极垫之间形成。

3.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：

具有在所述衬底上形成并且用所述模制树脂覆盖的多个电极垫，

所述防止剥离膜以包围所述多个电极垫的方式形成。

4.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：

具有在所述衬底上形成并且用所述模制树脂覆盖的多个电极垫，

所述防止剥离膜以包围所述多个电极垫和所述元件的方式形成。

5.如权利要求2至4中任一项所述的半导体装置，其特征在于：

所述元件是加速度传感器的传感器部，

在所述衬底内形成布线层，

所述传感器部和所述多个电极垫通过布线层电气连接，

所述防止剥离膜为无法通过氢氟酸蚀刻的膜。

6.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：

所述元件具有在所述防止剥离膜上形成的导体，

所述衬底中，在所述导体的正下方区域形成布线层。

7.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述防止剥离膜利用多晶硅或者非晶硅形成。

8.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具有：

在衬底上形成氮化膜的工序，

在所述氮化膜上形成多晶硅的工序，

在所述氮化膜上形成用氢氟酸能够除去的牺牲膜的工序，

利用所述牺牲膜形成导体的工序，

通过氢氟酸除去所述牺牲膜的工序，以及

在所述多晶硅上形成模制树脂的工序。