[发明专利]半导体装置及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及形成了模制树脂的半导体装置及其制造方法。

背景技术

半导体装置有时具有在衬底上形成的元件和覆盖衬底及元件而形成的模制树脂。为了保护元件以免受到来自外部的水分或异物等的影响而形成模制树脂。在这里，模制树脂隔着作为表面保护膜而形成于衬底或元件的氮化膜覆盖衬底和元件的情况较多。在专利文件1中，公开有在作为表面保护膜而形成的氮化膜上具有模制树脂的半导体装置。在这种情况下，最好模制树脂对于氮化膜无间隙地紧密附着。

专利文献1：日本特开2006-310508号公报

氮化膜因为优于耐湿性或机械强度而被广泛用作表面保护膜。然而，由于氮化膜中残存有较大的拉伸应力，因此曾有过若在氮化膜上形成模制树脂则模制树脂剥离的情形。

发明内容

本发明是为解决如上所述的课题而完成的，目的在于提供一种半导体装置及其制造方法，能够作为表面保护膜而形成氮化膜并且抑制模制树脂的剥离。

本发明所涉及的半导体装置，具有衬底、在该衬底上形成的元件、在该衬底上形成的氮化膜、在该氮化膜上形成的防止剥离膜、以及覆盖该防止剥离膜和该元件而形成的模制树脂。而且，该半导体装置的特征在于，该防止剥离膜是残留有压缩应力的膜。

本发明所涉及的半导体装置的制造方法，其特征在于具有：在衬底上形成氮化膜的工序、在该氮化膜上形成多晶硅的工序、在该氮化膜上形成用氢氟酸能够除去的牺牲膜的工序、利用该牺牲膜形成导体的工序、通过氢氟酸除去该牺牲膜的工序、以及在该多晶硅上形成模制树脂的工序。

如果利用本发明，则能够作为表面保护膜而形成氮化膜并且抑制模制树脂的剥离。

附图说明

图1是本发明的实施方式1所涉及的半导体装置的剖面图。

图2是本发明的实施方式1所涉及的半导体装置的俯视图。

图3是流程图，示出本发明的实施方式1所涉及的半导体装置的制造方法。

图4是示出在氮化膜上形成了多晶硅的状态的图。

图5是示出形成了牺牲膜的状态的图。

图6是示出形成了可动部、支撑部以及密封部的状态的图。

图7是示出形成了电极垫的状态的图。

图8是示出牺牲膜利用氢氟酸进行了蚀刻的状态的图。

图9是示出安装了玻璃罩的状态的图。

图10是示出本发明的实施方式1所涉及的半导体装置的变形例的俯视图。

图11是示出本发明的实施方式1所涉及的半导体装置的变形例的俯视图。

图12是本发明的实施方式2所涉及的半导体装置的剖面图。

(附图标记说明)

10半导体装置；18衬底；20氮化膜；22多晶硅；36模制树脂。

具体实施方式

实施方式1

图1是本发明的实施方式1所涉及的半导体装置的剖面图。半导体装置10用加速度传感器构成。半导体装置10具有Si板12。Si板12上形成有绝缘膜14。绝缘层14上形成有布线层16。绝缘膜14的表面和布线层16的表面无阶梯差(段差)地连接。另外，Si板12、绝缘膜14以及布线层16可合起来称为衬底18。

绝缘膜14上和布线层16上形成有氮化膜20。氮化膜20具有使布线层16的一部分露出的开口。氮化膜20上形成有多晶硅22。多晶硅22中残存有压缩应力。

半导体装置10中，形成有成为加速度传感器的梁的可动部24。此外，形成有支撑可动部24的支撑部26。支撑部26通过氮化膜20的开口而与布线层16相接。氮化膜20上包围可动部24和支撑部26而形成有密封部28。密封部28上固定有玻璃罩30。由密封部28和玻璃罩30使得空间34得以确保。空间34内部密封有所述可动部24和支撑部26。另外，可动部24、支撑部26、密封部28以及玻璃罩30可合起来称为传感器部。

氮化膜20上形成有电极垫32。电极垫(electrode pad)32是为了与外部取得电气连接而形成的。电极垫32的一部分通过氮化膜20的开口而与布线层16相接。因此，电极垫32和支撑部26通过布线层16而电气连接。然后，覆盖多晶硅22、传感器部以及电极垫32而形成有模制树脂36。为了保护传感器部及电极垫32以免受到水分或异物等的影响而形成模制树脂36。

图2是本发明的实施方式1所涉及的半导体装置的俯视图。在图2中省略模制树脂36的显示。如图2所示，上述多晶硅22在传感器部与电极垫32之间、以及电极垫32彼此之间形成。