[发明专利]发光二极管封装结构及其发光二极管晶粒有效
| 申请号： | 201110003606.7 | 申请日： | 2011-01-10 |
| 公开（公告）号： | CN102593113A | 公开（公告）日： | 2012-07-18 |
| 发明（设计）人： | 黄世晟;凃博闵 | 申请（专利权）人： | 展晶科技（深圳）有限公司;荣创能源科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/075 | 分类号： | H01L25/075;H01L33/48;H01L33/62;H01L33/02;H01L33/42 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518109 广东省深圳市宝*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种发光二极管封装结构包括基座及发光二极管晶粒，该半导体发光结构为垂直电导通结构，半导体发光结构包括第一电接触层及第二电接触层，第一电接触层及第二电接触层分别位于半导体发光结构的两端，基板包括相互绝缘的第一导电区与第二导电区，半导体发光结构的第一电接触层固定于基板的第二导电区上，透明导电层连接半导体发光结构的第二电接触层与基板的第一导电区，该绝缘层使得透明导电层与半导体发光结构的除第二电接触层以外的其他部分绝缘。上述发光二极管封装结构的发光二极管晶粒的出光一侧不必设置遮光的厚金属电极及焊球，从而提高发光二极管封装结构的出光效率。本发明还公开一种发光二极管晶粒。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 封装 结构 及其 晶粒 | ||
【主权项】：
一种发光二极管晶粒，该发光二极管晶粒包括半导体发光结构及透明导电层，半导体发光结构为垂直电导通结构，半导体发光结构包括第一电接触层及第二电接触层，第一电接触层及第二电接触层分别位于半导体发光结构的两端，其特征在于：该发光二极管晶粒还包括基板及绝缘层，基板包括相互绝缘的第一导电区与第二导电区，半导体发光结构的第一电接触层固定于基板的第二导电区上，透明导电层连接半导体发光结构的第二电接触层与基板的第一导电区，该透明导电层与基板的第二导电区绝缘，该绝缘层使得透明导电层与半导体发光结构的除第二电接触层以外的其他部分绝缘。
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