[发明专利]发光二极管封装结构及其发光二极管晶粒有效
申请号: | 201110003606.7 | 申请日: | 2011-01-10 |
公开(公告)号: | CN102593113A | 公开(公告)日: | 2012-07-18 |
发明(设计)人: | 黄世晟;凃博闵 | 申请(专利权)人: | 展晶科技(深圳)有限公司;荣创能源科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L25/075 | 分类号: | H01L25/075;H01L33/48;H01L33/62;H01L33/02;H01L33/42 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 518109 广东省深圳市宝*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光二极管 封装 结构 及其 晶粒 | ||
技术领域
本发明涉及一种半导体照明装置,尤其涉及一种发光二极管封装结构。
背景技术
在现有技术中,发光二极管封装结构一般需要打金线以将发光二极管晶粒的电极与基板的焊垫电连接,发光二极管晶粒需要设置相应的厚金属电极及焊球以与金线连接。然而,焊球及厚金属电极会遮挡光线,从而降低发光二极管晶粒及整个发光二极管封装结构的出光效率。
发明内容
有鉴于此,有必要提供一种出光效率较高的发光二极管封装结构及其发光二极管晶粒。
一种发光二极管封装结构,包括基座及发光二极管晶粒,发光二极管晶粒固定于基座上,该发光二极管晶粒包括基板、半导体发光结构、绝缘层及透明导电层,半导体发光结构为垂直电导通结构,半导体发光结构包括第一电接触层及第二电接触层,第一电接触层及第二电接触层分别位于半导体发光结构的两端,基板包括相互绝缘的第一导电区与第二导电区,半导体发光结构的第一电接触层固定于基板的第二导电区上,透明导电层连接半导体发光结构的第二电接触层与基板的第一导电区,该透明导电层与基板的第二导电区绝缘,该绝缘层使得透明导电层与半导体发光结构的除第二电接触层以外的其他部分绝缘。
上述发光二极管封装结构的发光二极管晶粒的出光一侧不必设置遮光的厚金属电极及焊球,从而提高整个发光二极管封装结构的出光效率。
一种发光二极管晶粒,该发光二极管晶粒包括半导体发光结构及透明导电层,半导体发光结构为垂直电导通结构,半导体发光结构包括第一电接触层及第二电接触层,第一电接触层及第二电接触层分别位于半导体发光结构的两端,该发光二极管晶粒还包括基板及绝缘层,基板包括相互绝缘的第一导电区与第二导电区,半导体发光结构的第一电接触层固定于基板的第二导电区上,透明导电层连接半导体发光结构的第二电接触层与基板的第一导电区,该透明导电层与基板的第二导电区绝缘,该绝缘层使得透明导电层与半导体发光结构的除第二电接触层以外的其他部分绝缘。
下面参照附图,结合具体实施例对本发明作进一步的描述。
附图说明
图1为本发明实施方式中的发光二极管封装结构的立体示意图。
图2为图1中基座上的焊接区域示意图。
图3为图1中发光二极管晶粒固定于基座上的局部剖面示意图。
图4为图1中的发光二极管封装结构的电路等效示意图。
图5为本发明又一较佳实施方式中的发光二极管晶粒固定于基座上的局部剖面示意图。
图6为本发明再一较佳实施方式中的发光二极管封装结构的局部剖面示意图。
主要元件符号说明
发光二极管封装结构 10、30
焊接区域 100、110
第一焊垫 101、111
第二焊垫 102、112
基座 11
电路层 115
金属线 116
发光二极管晶粒 12、32
封装体 13、33
基板 14、24、34
第一导电区 141、241
第二导电区 142、242
绝缘材料 143
半导体发光结构 15、25、35
金属层 151
金属镜面层 152
P型氮化镓层 153、256
P型氮化铝镓层 154、255
有源层 155、254
N型三族氮化物半导体层 156、253
P型三族氮化物半导体层 157、257
绝缘层 16、26、36
第一窗口 161、261
第二窗口 162、262
透明导电层 17、27、37
第一覆盖部 171、271
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