[发明专利]发光二极管封装结构及其发光二极管晶粒

权利要求书

1.一种发光二极管晶粒，该发光二极管晶粒包括半导体发光结构及透明导电层，半导体发光结构为垂直电导通结构，半导体发光结构包括第一电接触层及第二电接触层，第一电接触层及第二电接触层分别位于半导体发光结构的两端，其特征在于：该发光二极管晶粒还包括基板及绝缘层，基板包括相互绝缘的第一导电区与第二导电区，半导体发光结构的第一电接触层固定于基板的第二导电区上，透明导电层连接半导体发光结构的第二电接触层与基板的第一导电区，该透明导电层与基板的第二导电区绝缘，该绝缘层使得透明导电层与半导体发光结构的除第二电接触层以外的其他部分绝缘。

2.如权利要求1所述的发光二极管晶粒，其特征在于：绝缘层覆盖半导体发光结构及基板，绝缘层具有第一窗口及第二窗口，第一窗口位于第二电接触层且使得第二电接触层裸露，第二窗口位于基板的第一导电区且使得第一导电区裸露，透明导电层包括第一覆盖部、连接部及第二覆盖部，第一覆盖部覆盖绝缘层的第一窗口，第二覆盖部覆盖绝缘层的第二窗口，连接部连接于第一覆盖部与第二覆盖部之间。

3.如权利要求1所述的发光二极管晶粒，其特征在于：第一电接触层为金属层，第二电接触层为N型三族氮化物半导体层。

4.如权利要求3所述的发光二极管晶粒，其特征在于：该半导体发光结构还包括金属镜面层、P型三族氮化物半导体层及有源层，第一电接触层、金属镜面层、P型三族氮化物半导体层、有源层及第二电接触层依次层叠。

5.如权利要求1所述的发光二极管晶粒，其特征在于：第一电接触层为导电衬底，第二电接触层为P型三族氮化物半导体层。

6.如权利要求5所述的发光二极管晶粒，其特征在于：该半导体发光结构还包括布拉格反射层、N型三族氮化物半导体层及有源层，第一电接触层、布拉格反射层、N型三族氮化物半导体层、有源层及第二电接触层依次层叠。

7.如权利要求1所述的发光二极管晶粒，其特征在于：该绝缘层的材料为透明电绝缘材料。

8.如权利要求1所述的发光二极管晶粒，其特征在于：该绝缘层使得透明导电层与半导体发光结构的侧壁绝缘。

9.一种发光二极管封装结构，包括基座及发光二极管晶粒，发光二极管晶粒固定于基座上，其特征在于：该发光二极管晶粒为权利要求1至8任意一项所述的发光二极管晶粒。

10.如权利要求9所述的发光二极管封装结构，其特征在于：该发光二极管晶粒的数量为多个。

11.如权利要求10所述的发光二极管封装结构，其特征在于：该多个发光二极管晶粒串联形成芯片组。

12.如权利要求10所述的发光二极管封装结构，其特征在于：该多个发光二极管晶粒形成第一芯片组及第二芯片组，第一芯片组的发光二极管晶粒串联，第二芯片组的发光二极管晶粒串联，第一芯片组与第二芯片组反向并联。

13.如权利要求9所述的发光二极管封装结构，其特征在于：还包括封装体，封装体包覆该发光二极管晶粒，发光二极管晶粒的基板固定于基座上。

14.一种发光二极管封装结构，包括发光二极管晶粒及封装体，其特征在于：该发光二极管晶粒为权利要求1至8中任意一项所述的发光二极管晶粒，封装体位于发光二极管晶粒的基板上且包覆该发光二极管晶粒的半导体发光结构、绝缘层及透明导电层。

15.如权利要求14所述的发光二极管封装结构，其特征在于：该发光二极管晶粒的数量为多个。

16.如权利要求15所述的发光二极管封装结构，其特征在于：该多个发光二极管晶粒串联形成芯片组。

17.如权利要求15所述的发光二极管封装结构，其特征在于：该多个发光二极管晶粒形成第一芯片组及第二芯片组，第一芯片组的发光二极管晶粒串联，第二芯片组的发光二极管晶粒串联，第一芯片组与第二芯片组反向并联。