[发明专利]无镉再发光半导体构造无效
| 申请号： | 201080029545.5 | 申请日： | 2010-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN102473817A | 公开（公告）日： | 2012-05-23 |
| 发明（设计）人： | 特里·L·史密斯;迈克尔·A·哈斯;托马斯·J·米勒;孙晓光 | 申请（专利权）人： | 3M创新有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/50 | 分类号： | H01L33/50;H01L33/08;H01L33/26 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 张爽;樊卫民 |
| 地址： | 美国明*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本文公开了一种再发光半导体构造(RSC)，其可提供基本无镉的全色RGB或白光发射器件。一些实施例可包括：势阱，其包括将第一光子能量的光转换为更小光子能量的光的III-V半导体；以及窗口，其包括带隙能量大于所述第一光子能量的II-VI半导体。一些实施例可包括势阱，其将具有第一光子能量的光转换为具有更小光子能量的光，并且包括基本无Cd的II-VI半导体。一些实施例可包括：势阱，其包括将具有第一光子能量的光转换为具有更小光子能量的光的第一III-V半导体；以及窗口，其包括带隙能量大于所述第一光子能量的第二III-V半导体。 | ||
| 搜索关键词： | 再发 半导体 构造 | ||
【主权项】：
一种半导体构造，其包括：第一势阱，所述第一势阱用于将具有第一光子能量的光转换为具有更小的第二光子能量的光，所述第一势阱包括第一III‑V半导体；以及窗口，所述窗口具有大于所述第一光子能量的带隙能量，所述窗口包括第一II‑VI半导体。
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- 2014-09-26 - 2018-11-16 - H01L33/50
- 用于制造包含颜色稳定的式I的Mn4+掺杂的磷光体的LED照明装置的方法包括在LED芯片表面上形成聚合物复合材料层，所述聚合物复合材料层包含式I的磷光体的第一颗粒群和第二颗粒群并具有横过其厚度在锰浓度方面变化的分级组成；Ax(M,Mn)Fy (I)，其中A为Li、Na、K、Rb、Cs、NR4或其组合；M为Si、Ge、Sn、Ti、Zr、Al、Ga、In、Sc、Hf、Y、La、Nb、Ta、Bi、Gd或其组合；R为H、低级烷基或其组合；X为[MFy]离子的电荷的绝对值；且y为5、6或7。第一颗粒群具有比第二颗粒群更低的锰浓度，且所述聚合物复合材料层中锰浓度的变化范围从聚合物复合材料层的接近LED芯片的区域中的最小值到与LED芯片相对的区域中的最大值。
- 层叠体及使用所述层叠体的发光装置的制造方法-201480056890.6
- 川本一成;山本哲也;大关岳成 - 东丽株式会社
- 2014-10-31 - 2018-11-09 - H01L33/50
- 本发明的目的在于提供一种能够在LED芯片的上表面及侧面追随性良好地且以均匀膜厚形成荧光体片材的层叠体。另外，本发明的目的在于提供一种发光装置的制造方法，所述制造方法中使用所述层叠体，利用生产率高的方法将LED芯片的上表面及侧面用荧光体片材进行被覆。所述层叠体包含支承基材和荧光体片材，所述荧光体片材含有荧光体及树脂，其中，利用拉伸试验求出的所述支承基材的23℃时的断裂伸长率为200％以上，且所述支承基材的23℃时的杨氏模量为600MPa以下。
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