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[发明专利]单晶荧光体和发光装置-CN201710546650.X有效
发明人：猪股大介;青木和夫;岛村清史;恩卡纳西翁·安东尼亚·加西亚·比略拉 -专利权人：国立研究开发法人物质·材料研究机构
申请日： 2014-10-20 - 公布日： 2021-10-26 - 主分类号： H01L33/50 文献下载
摘要：作为目的之一，提供即使在高温条件下也发挥优异特性的单晶荧光体以及使用该荧光体的发光装置。作为一实施方式，提供具有由组成式(Y1‑x‑y‑zLuxGdyCez)3+aAl5‑aO12(0≤x≤0.9994，0≤y≤0.0669，0.0002≤z≤0.0067，‑0.016≤a≤0.315)表示的组成的单晶荧光体。
荧光发光装置

[发明专利]场效应晶体管及其设计方法-CN202110218905.6在审
发明人：加濑正史;青木和夫;山腰茂伸;内田悠贵 -专利权人：诺维晶科股份有限公司
申请日： 2021-02-26 - 公布日： 2021-08-27 - 主分类号： H01L29/10 文献下载
摘要：提供能在高温环境下或被放射线照射环境下使用且实现了常截止动作的通用性高的场效应晶体管及其设计方法。场效应晶体管(1)具备：Ga2O3系半导体层(2)；源极区域(3)和漏极区域(4)，其形成于Ga2O3系半导体层(2)的内部；栅极电极(7)，其隔着栅极绝缘膜(6)形成在沟道区域(5)上，沟道区域(5)是源极区域(3)与漏极区域(4)之间的Ga2O3系半导体层(2)；源极电极(8)，其连接到源极区域(3)；以及漏极电极(9)，其连接到漏极区域(4)，在场效应晶体管(1)中，在栅极电极(7)与沟道区域(5)之间形成包括负电荷的界面电荷(11)，栅极阈值电压为4.5V以上。
场效应晶体管及其设计方法

[发明专利]荧光体构件和发光装置-CN201710400618.0有效
发明人：渡边诚;猪股大介;青木和夫;岛村清史;恩卡纳西翁·安东尼亚·加西亚·比略拉 -专利权人：株式会社光波;国立研究开发法人物质·材料研究机构
申请日： 2013-04-18 - 公布日： 2021-05-28 - 主分类号： H01L33/50 文献下载
摘要：作为本发明的一个实施方式的目的之一，提供量子效率优异的荧光体构件以及使用该荧光体构件的发光装置。作为一实施方式，提供一种平板状的荧光体构件，激励光的波长为460nm、温度从25℃上升到100℃时的荧光强度的降低不到3％，包括以YAG晶体为母晶体的多个颗粒状的单晶，所述YAG晶体具有用Y3‑x‑yGdxCeyAl5O12‑w表示的组分，其中，0.03≤x≤0.2，0.003≤y≤0.2，‑0.2≤w≤0.2。
荧光构件发光装置

[发明专利]含荧光体构件和发光装置-CN201911114204.7在审
发明人：猪股大介;新井祐辅;佐野广明;青木和夫;岛村清史;恩卡纳西翁·安东尼亚·加西亚·比略拉 -专利权人：株式会社光波;国立研究开发法人物质·材料研究机构
申请日： 2014-10-22 - 公布日： 2020-02-25 - 主分类号： C09K11/80 文献下载
摘要：提供发出以往没有的颜色的荧光的、单晶荧光体由蓝色系的光激励的含荧光体构件和发光装置。作为一实施方式，提供一种单晶荧光体由蓝色系的光激励的单晶荧光体，其具有透明构件和分散在上述透明构件中的颗粒状的单晶荧光体，上述单晶荧光体具有用组分式(Y1‑a‑bLuaCeb)3+cAl5‑cO12(0≤a≤0.9994，0.0002≤b≤0.0067，‑0.016≤c≤0.315)表示的组分，并且当激励光的峰值波长为450nm和450nm±10nm、温度为25℃时，内部量子效率为91％以上、以及发光光谱的CIE色度坐标x、y满足‑0.4377x+0.7384≤y≤‑0.4377x+0.7504的关系。
荧光构件发光装置

[发明专利]发光装置-CN201911114216.X在审
发明人：猪股大介;新井祐辅;佐野广明;青木和夫;岛村清史;恩卡纳西翁·安东尼亚·加西亚·比略拉 -专利权人：株式会社光波;国立研究开发法人物质·材料研究机构
申请日： 2014-10-22 - 公布日： 2020-02-25 - 主分类号： H01L33/50 文献下载
摘要：提供发出以往没有的颜色的荧光的发光装置。一种单晶荧光体由蓝色系的光激励的发光装置，包含：发光元件，其出射峰值波长为430～480nm的蓝色系的光；及单晶荧光体，其具有用组分式(Y1‑a‑bLuaCeb)3+cAl5‑cO12(0≤a≤0.9994，0.0002≤b≤0.0067，‑0.016≤c≤0.315)表示的组分，且激励光的峰值波长为450nm和450nm±10nm、温度为25℃时，内部量子效率为91％以上、以及发光光谱的CIE色度坐标x、y满足‑0.4377x+0.7384≤y≤‑0.4377x+0.7504的关系，被单晶荧光体进行波长变换后的光在515～546nm的波长具有发光峰值。
发光装置

[发明专利]发光装置-CN201480042506.7有效
发明人：猪股大介;佐野广明;吉田清太郎;青木和夫;岛村清史;恩卡纳西翁·安东尼亚·加西亚·比略拉 -专利权人：株式会社光波;株式会社田村制作所;国立研究开发法人物质·材料研究机构
申请日： 2014-08-08 - 公布日： 2019-09-03 - 主分类号： H01L33/50 文献下载
摘要：提供一种利用了远程荧光体的发光装置，该发光装置适于如投影仪这样的需要高亮度且大光量的照明器具，使用时发光强度的下降、发光色的变化小。作为一实施方式，提供发光装置(10)，该发光装置(10)具有：LED元件(12)；侧壁(13)，其包围LED元件(12)；荧光体层(15)，其通过粘合层(14)固定于侧壁(13)，位于LED元件(12)的上方；以及金属衬垫(11)，其作为散热部件。侧壁(13)具有：绝缘性的基体(13b)，其包围LED元件(12)；以及金属层(13a)，其形成于基体(13b)的LED元件(12)侧的侧面并与金属衬垫(11)和粘合层(14)接触。粘合层(14)是由含有粒子的树脂构成且粒子的导热率比树脂的导热率高的树脂层，或者是由焊料构成的层。
发光装置

[发明专利]发光装置的CIE色度（x，y）的调整方法-CN201810385637.5在审
发明人：猪股大介;新井祐辅;佐野广明;青木和夫;岛村清史;恩卡纳西翁·安东尼亚·加西亚·比略拉 -专利权人：株式会社光波;国立研究开发法人物质·材料研究机构
申请日： 2014-10-22 - 公布日： 2018-09-14 - 主分类号： H01L33/50 文献下载
摘要：一种发光装置的CIE色度(x，y)的调整方法，上述发光装置包含：光源，其发出发光峰值波长为430～480nm的蓝色系的光；以及荧光体，其将从上述光源发出的上述蓝色系的光的一部分吸收而变换为黄色系的光，上述发光装置发出上述蓝色系的光与上述黄色系的光的合成光，上述发光装置的CIE色度(x，y)的调整方法是调整上述合成光的CIE色度(x，y)的方法，其特征在于，上述荧光体具有用(Y1‑a‑bLuaCeb)3+cAl5‑cO12(0≤a≤0.9994，0.0002≤b≤0.0067，‑0.016≤c≤0.315)表示的组分，通过调整上述a的值，得到与上述a的值对应的CIE色度(x，y)。
发光装置蓝色系合成光黄色系荧光体光源发光峰值波长吸收

[发明专利]荧光体及其制造方法以及发光装置-CN201380020816.4有效
发明人：渡边诚;猪股大介;青木和夫;岛村清史;恩卡纳西翁·安东尼亚·加西亚·比略拉 -专利权人：株式会社光波;国立研究开发法人物质·材料研究机构
申请日： 2013-04-18 - 公布日： 2017-06-27 - 主分类号： C09K11/80 文献下载
摘要：作为本发明的一个实施方式的目的之一，提供量子效率优异的荧光体及其制造方法以及使用该荧光体的发光装置。作为一实施方式，提供激励光的波长为460nm时的25℃的量子效率是92％以上、包括以YAG晶体为母晶体的单晶的荧光体。
荧光及其制造方法以及发光装置

[发明专利]单晶荧光体和发光装置-CN201480057864.5在审
发明人：猪股大介;青木和夫;岛村清史;恩卡纳西翁·安东尼亚·加西亚·比略拉 -专利权人：株式会社光波;国立研究开发法人物质·材料研究机构
申请日： 2014-10-20 - 公布日： 2016-06-08 - 主分类号： C09K11/80 文献下载
摘要：作为目的之一，提供即使在高温条件下也发挥优异特性的单晶荧光体以及使用该荧光体的发光装置。作为一实施方式，提供具有由组成式(Y_1-x-y-zLu_xGd_yCe_z)_3+aAl_5-aO₁₂(0≤x≤0.9994，0≤y≤0.0669，0.0002≤z≤0.0067，-0.016≤a≤0.315)表示的组成的单晶荧光体。
荧光发光装置

[发明专利]单晶荧光体、含荧光体构件以及发光装置-CN201480013345.9在审
发明人：猪股大介;新井祐辅;佐野广明;青木和夫;岛村清史;恩卡纳西翁·安东尼亚·加西亚·比略拉 -专利权人：株式会社光波;国立研究开发法人物质·材料研究机构
申请日： 2014-10-22 - 公布日： 2016-01-27 - 主分类号： C09K11/80 文献下载
摘要：提供发出以往没有的颜色的荧光的YAG系单晶荧光体以及具备该单晶荧光体的含荧光体构件和发光装置。作为一实施方式，提供一种单晶荧光体，其具有用组分式(Y_1-a-bLu_aCe_b)_3+cAl_5-cO₁₂(0≤a≤0.9994，0.0002≤b≤0.0067，-0.016≤c≤0.315)表示的组分，激励光的峰值波长为450nm且温度为25℃时的发光光谱的CIE色度坐标x、y满足-0.4377x+0.7384≤y≤-0.4585x+0.7504的关系。
荧光构件以及发光装置

[发明专利]光源模块、面发光组件以及面发光装置-CN201110382002.8有效
发明人：吉川幸雄;青木和夫;河又正敏;西川明宏;山田朋宏;中台太郎 -专利权人：株式会社光波
申请日： 2007-05-02 - 公布日： 2012-04-18 - 主分类号： F21S2/00 文献下载
摘要：本发明提供一种具有通用性，能够简化安装作业、降低制造成本，并且可充分抑制发光不均和色不均的发生的光源模块、面发光组件以及面发光装置。光源模块具有光方向转换用光学元件(29)、和LED(28)，该光方向转换用光学元件(29)具有：具有入射光的光入射面(29A)的凹部(290)、反射从光入射面(29A)入射的光的光反射面(29B)、和把在光反射面(29B)反射的光向侧方射出的光射出面(29C)，该LED(28)被留有空隙地配置在光方向转换用光学元件(29)的凹部(290)中，向光入射面(29A)入射光。
光源模块发光组件以及装置

[发明专利]光源模块、面发光组件以及面发光装置-CN200780025912.2无效
发明人：吉川幸雄;青木和夫;河又正敏;西川明宏;山田朋宏;中台太郎 -专利权人：株式会社光波
申请日： 2007-05-02 - 公布日： 2009-07-22 - 主分类号： F21S2/00 文献下载
摘要：本发明提供一种具有通用性，能够简化安装作业、降低制造成本，并且可充分抑制发光不均和色不均的发生的光源模块、面发光组件以及面发光装置。光源模块具有光方向转换用光学元件29、和LED28，该光方向转换用光学元件29具有：具有入射光的光入射面29A的凹部290、反射从光入射面29A入射的光的光反射面29B、和把在光反射面29B反射的光向侧方射出的光射出面29C，该LED28被留有空隙地配置在光方向转换用光学元件29的凹部290中，向光入射面29A入射光。
光源模块发光组件以及装置

[发明专利]发光元件-CN200810128878.8有效
发明人：一之濑升;岛村清史;金子由基夫;恩卡纳西翁·安东尼娅·加西亚·比略拉;青木和夫 -专利权人：株式会社光波
申请日： 2003-05-30 - 公布日： 2008-12-10 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种发光元件，所述发光元件包括：Ga₂O₃基板；n型Al_zGa_1－zN包覆层，形成在所述Ga₂O₃基板的第一表面上，其中0≤z＜1；In_mGa_1－mN发光层，形成在所述n型AlGaN包覆层上，其中0≤m＜1；p型Al_pGa_1－pN包覆层，形成在所述InGaN发光层上，其中0≤p＜1，且p＞z；n电极，设置在所述Ga₂O₃基板的第二表面上；和p电极，设置在所述p型Al_pGa_1－pN包覆层上。
发光元件

[发明专利]半导体层-CN200810089385.8有效
发明人：一之濑升;岛村清史;青木和夫;恩卡纳西翁·安东尼亚·加西亚·比略拉 -专利权人：株式会社光波
申请日： 2004-08-04 - 公布日： 2008-09-03 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提供发光元件及半导体基板的制作方法。该发光元件包含：β－Ga₂O₃基板、在所述β－Ga₂O₃基板上形成的GaN系半导体层、以及在所述GaN系半导体上形成的双异型发光层。该半导体基板的制作方法包含：在β－Ga₂O₃基板上形成GaN系半导体层的步骤；在所述GaN系半导体层上形成GaN系外延层的步骤；以及从所述GaN系外延层削除所述β－Ga₂O₃基板和所述GaN系半导体层，制作所述GaN系外延层的基板的步骤。
半导体

[发明专利]发光元件及其制造方法-CN200610167238.9无效
发明人：池本由平;平田宏治;青木和夫 -专利权人：丰田合成株式会社
申请日： 2006-12-12 - 公布日： 2007-06-20 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种发光元件，包含：氧化镓衬底，在其正面上生长包括发光元件部分的半导体材料晶体；和衬底保护层，其形成在所述氧化镓衬底的背面上。一种制造发光元件的方法，包括以下步骤：在氧化镓衬底的背面上形成衬底保护层；在氧化镓衬底的正面上生长包括发光元件部分的半导体材料晶体；和组装发光元件，以形成用于发光元件部分的电连接。
发光元件及其制造方法

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