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[发明专利]一种发光二极管外延片及制备方法-CN202310806216.6有效
发明人：程龙;郑文杰;高虹;刘春杨;胡加辉;金从龙 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-07-04 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H01L33/26 文献下载
摘要：本发明提供一种发光二极管外延片及制备方法，所述发光二极管外延片包括包括衬底及依次沉积在所述衬底上的缓冲层、非掺杂AlGaN层、第一N型AlGaN层、有源层及电子阻挡层；所述有源层包括多个交替层叠的复合量子阱层和量子垒层，所述复合量子阱层包括依次设置的第一量子阱子层、第二量子阱子层、以及第三量子阱子层，所述第一量子阱子层和所述第三量子阱子层均包括AlGaO层和第二N型AlGaN层，所述第二量子阱子层为Ga2O3层，所述复合量子阱层的禁带宽度呈V字型变化，所述第一量子阱子层与所述第三量子阱子层的禁带变化及厚度对称，提高发光二极管发光效率。
一种发光二极管外延制备方法

[发明专利]发光器件和发光器件封装-CN201880053558.2有效
发明人：金泰培;任祥均;金显炅;崔容勋 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-08-16 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L33/26 文献下载
摘要：一种发光器件包括：半导体层；和发光层，设置在半导体层中并具有Ga(1‑x)InxN的组成比。x大于0.14但小于0.16以从发光层发射绿光，或大于0.22但小于0.26以从发光层发射蓝光。
发光器件封装

[发明专利]抗静电能力改善层及其制备方法、外延片及发光二极管-CN202310906430.9有效
发明人：滕龙;霍丽艳;吴洪浩;刘兆 -专利权人：江西乾照光电有限公司
申请日： 2023-07-24 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H01L33/26 文献下载
摘要：本发明提供一种抗静电能力改善层及其制备方法、外延片及发光二极管，所述抗静电能力改善层包括周期性依次层叠设置的基层、保护层、第一核心层、第二核心层以及准备层；其中，所述基层为InGaN层、保护层为GaN层、第一核心层为Ga2O3层、第二核心层为Ga2O3与GaN的渐变层、准备层为GaN层。本发明解决了现有技术中的外延片抗静电能力差的问题。
抗静电能力改善及其制备方法外延发光二极管

[发明专利]一种硅基铒掺杂镓酸锌薄膜电致发光器件及其制备方法-CN202010380923.X有效
发明人：马向阳;陈金鑫;杨德仁 -专利权人：浙江大学
申请日： 2020-05-08 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H01L33/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅基铒掺杂ZnGa2O4薄膜电致发光器件及其制备方法，属于硅基光电子技术领域。所述电致发光器件，包括硅衬底，硅衬底正面依次设有发光层、透明电极层，硅衬底背面设有欧姆接触电极，所述硅衬底表面具有氧化硅层，所述发光层为铒掺杂的ZnGa2O4薄膜。本发明在带有～10nm SiOx层的n+型硅片表面沉积铒掺杂的ZnGa2O4薄膜，进而制备的电致发光器件仅发出Er3+离子在可见光和近红外光区的特征发光峰。本发明提出的掺铒薄膜发光器件的电致发光强度较强，制备方式简单便捷易操作，而且器件制备所用工艺与现行硅基CMOS工艺完全兼容。
一种硅基铒掺杂镓酸锌薄膜电致发光器件及其制备方法

[发明专利]发光元件及其制造方法和包括发光元件的显示装置-CN202180075234.0在审
发明人：李昇我;朴后根;宋荣振 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2021-10-20 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L33/26 文献下载
摘要：根据本公开的一个实施例，提供了一种发光元件，所述发光元件包括：第一半导体层，包括第一类型的半导体；第二半导体层，包括与第一类型不同的第二类型的半导体；以及活性层，布置在第一半导体层与第二半导体层之间，并且包括第一活性区域和第二活性区域，第一活性区域包括第一阱层，第二活性区域包括第二阱层，其中，第一阱层具有第一带隙，第二阱层具有比第一带隙小的第二带隙，第一活性区域的至少一部分布置在第二活性区域与第二半导体层之间，并且第二活性区域与第二半导体层之间的距离等于或者大于第一半导体层与第二半导体层之间的距离的0.1倍。
发光元件及其制造方法包括显示装置

[发明专利]一种近红外LED器件及其制备方法-CN202310466659.5在审
发明人：陈明;庄子文;杨春雷;冯叶;张杰;邵龑;严振;周鸿飞 -专利权人：中国科学院深圳先进技术研究院
申请日： 2023-04-24 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： H01L33/26 文献下载
摘要：本发明公开一种近红外LED器件及其制备方法，其中，包括依次层叠设置的衬底、背电极层、空穴注入层、发光层、n型缓冲层、透明电极层和表面电极层，所述发光层包括Cu2CdxZn1‑xSnSe4，其中0≤x1，所述发光层与所述n型缓冲层形成异质结。本发明针对现有商用近红外LED的发光材料成本高昂的问题，将铜镉锌锡硒(Cu2CdxZn1‑xSnSe4)作为全新LED器件的发光材料，所述发光材料组成元素为非稀有元素，在自然界广泛存在，能够降低近红外LED器件的成本，同时其带隙在0.8‑1.0eV之间可调控，能够实现近红外LED器件的发光波段在1200‑1600nm范围可调控。
一种红外 led 器件及其制备方法

[发明专利]一种碱离子钝化的非铅钙钛矿发光二极管及其制备方法-CN202310009528.4在审
发明人：潘江涌;毛磊;汪丽茜;王柄淇;黄昱凌;林从远;赵学亮 -专利权人：南京信息工程大学
申请日： 2023-01-04 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L33/26 文献下载
摘要：本发明公开一种碱离子钝化的非铅钙钛矿发光二极管及其制备方法，属于发光二极管技术领域，本发明的发光二极管从下至上依次包括ITO导电玻璃、空穴注入层、空穴传输层、非铅钙钛矿发光层、电子传输层、电极修饰层和金属电极。本发明还提供了所述非铅钙钛矿发光二极管的制备方法。本发明的非铅钙钛矿发光层由碱离子钝化的非铅钙钛矿前驱体溶液和反溶剂通过抗溶剂结晶法制备而成，通过引入碱离子以抑制非铅钙钛矿薄膜表面和晶界中的非辐射复合损失来增强发光效率，提高了非铅钙钛矿发光二极管器件的光电性能。
一种离子钝化非铅钙钛矿发光二极管及其制备方法

[发明专利]用于Mini-LED的外延片及其制备方法、Mini-LED-CN202310161304.5有效
发明人：张彩霞;印从飞;程金连;刘春杨;胡加辉;金从龙 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-02-24 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H01L33/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于Mini‑LED的外延片及其制备方法、Mini‑LED，涉及半导体光电器件领域。其中，用于Mini‑LED的外延片包括衬底和依次设于所述衬底上的缓冲层、本征GaN层、N型半导体层、多量子阱层、电子阻挡层和P型半导体层，所述多量子阱层包括多个交替层叠的量子阱层和量子垒层；所述量子垒层包括依次层叠的MgGaN空穴调控层、第一AlGaN夹层和SiGaN电子扩展层。实施本发明，可提升Mini‑LED的光效和波长一致性。
用于 mini led 外延及其制备方法

[发明专利]基于金属氧化物半导体的发光装置-CN202180047363.9在审
发明人： P.阿塔纳科维奇 -专利权人：斯兰纳UV科技有限公司
申请日： 2021-05-01 - 公布日： 2023-04-21 - 主分类号： H01L33/26 文献下载
摘要：公开了一种光电半导体发光装置，其被配置来发射具有在约150nm至约425nm范围内的波长的光。在实施方案中，所述装置包括基板，所述基板具有设置在其上的至少一个外延半导体层，其中所述一个或多个外延半导体层中的每一个包含金属氧化物。还公开了一种用于产生预定波长的光的光电半导体装置，所述光电半导体装置包括基板和光学发射区域。所述光学发射区域具有被配置用于产生所述预定波长的光的光学发射区域带结构，并且包括由所述基板支撑的一个或多个外延金属氧化物层。
基于金属氧化物半导体发光装置

[发明专利]薄膜铌酸锂和Ⅲ-Ⅴ异质集成光学材料结构及其制备方法-CN202211594317.3在审
发明人：钱广;吴立枢;唐杰;孔月婵;陈堂胜 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2022-12-13 - 公布日： 2023-03-17 - 主分类号： H01L33/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种薄膜铌酸锂和Ⅲ‑Ⅴ异质集成光学材料结构及其制备方法，属于光电集成芯片材料技术领域。该结构包括依次键合连接的：衬底、第一键合层、铌酸锂薄膜、第二键合层和Ⅲ‑Ⅴ光学外延层薄膜。制备方法为：将Ⅲ‑Ⅴ光学外延层薄膜临时键合后去除原本的衬底；同时将铌酸锂材料与衬底键合，再进行减薄及表面处理；将得到的铌酸锂薄膜与Ⅲ‑Ⅴ光学外延层薄膜键合，最后去除临时键合层和临时衬底得到薄膜铌酸锂和Ⅲ‑Ⅴ异质集成光学材料结构。本发明可以实现Ⅲ‑Ⅴ光芯片与薄膜铌酸锂光芯片异质集成，弥补薄膜铌酸锂光学材料在光源、光探测和光放大等方面的技术不足。
薄膜铌酸锂集成光学材料结构及其制备方法

[发明专利]一种基于铯铜碘(CsCuI)半导体的全固态光源及其制备方法-CN202110376441.1有效
发明人：郑伟;林日成;丁莹;黄丰 -专利权人：中山大学
申请日： 2021-04-06 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： H01L33/26 文献下载
摘要：本发明涉及半导体器件领域，具体涉及一种基于铯铜碘(CsCuI)的全固态光源及其制备方法。包括透明电极基底，电子注入层，有源层，空穴注入层和金属电极层；所述有源层为通式为(CsI)m(CuI)n的化合物及其掺杂化合物。本发明可作为一种纯LED白光照明光源，不需要额外的荧光粉，由器件直接产生白光，白光的辐射波长覆盖全部可见光范围。通过调整(CsI)m(CuI)n中m和n的参数，可以调制WLED的色温。本发明有源层半导体具有无毒环境友好、化学性质稳定、输出光谱稳定和输出光谱可调制性能，因此具有寿命长和色温可调的特点，制备的器件可作为下一代节能的固态白光照明器件。
一种基于铯铜碘 cscui 半导体固态光源及其制备方法

[发明专利]p-NiO为盖层的GaN单芯片白光发光管及其制备方法-CN202211245699.9在审
发明人：杜国同;张源涛;邓高强 -专利权人：吉林大学
申请日： 2022-10-12 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： H01L33/26 文献下载
摘要：一种p‑NiO为盖层的GaN单芯片白光发光管及其制备方法，属于半导体发光器件及其制备技术领域。器件依次由衬底、GaN缓冲层、n型掺Si的GaN电子注入层、多量子阱有源发光层、p型掺Mg的AlzGa1‑zN电子限制层、p‑NiO盖层、上电极和下电极构成。有源发光层依次由蓝光Aly1Ga1‑y1N载流子限制层、蓝光多量子阱Inx1Ga1‑x1N材料有源发光层、黄光Aly2Ga1‑y2N载流子限制层、黄光多量子阱Inx2Ga1‑x2N材料有源发光层组成。本发明利用了p‑NiO高空穴浓度、带隙宽和折射率低的特点，使器件有良好的空穴注入及光和载流子限制，减少高温生长对有源发光层的影响，提高了器件性能。
nio 盖层 gan 芯片白光发光及其制备方法

[发明专利]一种橙黄光LED器件及其制备方法和应用-CN202210976707.0在审
发明人：苏曦;吴昊;徐红星;刘昌 -专利权人：武汉大学
申请日： 2022-08-15 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： H01L33/26 文献下载
摘要：本发明涉及一种橙黄光LED器件及其制备方法和应用，该橙黄光LED器件包括：衬底、沉积在衬底表面的掺杂有氧化锂的氧化镍原子层沉积层以及沉积在氧化镍原子层沉积层表面的氧化锌原子层沉积层。相比于有机荧光材料制备橙黄光LED器件的方法，本发明通过在衬底表面制备p型的掺杂有氧化锂的氧化镍原子层沉积层和n型的氧化锌原子层沉积层，获得发橙黄光的LED器件，制备方法简单、对污染环境小，所使用的原材料相对廉价，可降低生产成本；所得橙黄光LED器件由无机半导体材料制成，不易老化，因而器件发光稳定性好；且该橙黄光LED器件显色系数更高、毒性低。
一种橙黄 led 器件及其制备方法应用

[发明专利]一种蓝紫光氮化碳纳米片、其制备方法及蓝紫光LED器件-CN202210660893.7在审
发明人：喻学锋;贺兴臣;王佳宏;康翼鸿 -专利权人：武汉中科先进材料科技有限公司
申请日： 2022-06-13 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： H01L33/26 文献下载
摘要：本发明公开一种结构不对称、表面富带正电荷蓝紫光氮化碳纳米片的制备方法，以低氮化碳粉末为原料通过强酸水解工艺合成了一种结构不对称、表面带正电的蓝紫光氮化碳纳米片，以此表面修饰电荷的氮化碳纳米片为LED蓝紫光发光层，得到了一种高质量蓝紫光LED器件。此种氮化碳纳米片不仅蓝紫光性能好，并且可以均匀的分散在乙醇等极性溶剂中，以其为基础的蓝紫光LED器件发光效率高、稳定性好和成本低等优点。
一种紫光氮化纳米制备方法 led 器件

[发明专利]一种基于TiO2-CN202210687905.5在审
发明人：张阳熠;周海军;谢国雄 -专利权人：滁州学院
申请日： 2022-06-16 - 公布日： 2022-09-16 - 主分类号： H01L33/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于TiO2:Er3+发光层的电致发光器件及其制备方法，属于稀土掺杂半导体电致发光技术领域。所述的电致发光器件，结构上依次包括铝电极、n+‑Si衬底、TiO2:Er3+发光层、ZnO层、ITO透明电极。所述的TiO2:Er3+发光层采用溶胶‑凝胶法制备。本发明优化了TiO2:Er3+发光层中Er3+离子的掺杂浓度，并在TiO2:Er3+发光层之上引入ZnO层作为电子阻挡层和保护层进一步提高Er3+离子相关的电致发光性能。
一种基于 tio base sub

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