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[发明专利]具有失配光纤长度的光缆组件-CN202280011249.5在审
发明人： 迈克尔·A·哈斯 -专利权人： 3M创新有限公司
申请日： 2022-01-19 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： G02B6/38 文献下载
摘要：一种光学连接器组件包括第一光学连接器和第二光学连接器。第一光学连接器包括第一壳体、多个第一光纤、第一缆线保持器和第一光耦合单元，该第一光耦合单元被附接到该多个第一光纤并由第一光纤长度L1隔开。第二光学连接器包括第二壳体、多个第二光纤、第二缆线保持器和第二光耦合单元，该第二光耦合单元被附接到该多个第二光纤并由不同于L1的第二光纤长度L2隔开。L1/L2的比率使得当第一光学连接器与第二光学连接器配合时，第一光耦合单元和第二光耦合单元分别相对于第一壳体和第二壳体旋转并且配合。
具有失配光纤长度光缆组件

[发明专利]使用热膨胀来维持对准的光学连接器-CN202180032952.X在审
发明人： 迈克尔·A·哈斯 -专利权人： 3M创新有限公司
申请日： 2021-04-30 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： G02B6/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种光学组件，该光学组件包括光学套圈，该光学套圈被配置为通过光学套圈的主输入表面上的输入位置沿着第一方向接收输入光线，以耦合到固定到光学套圈的光波导，光学套圈包括参考位置，使得光学组件的温度的变化致使输入光线和输入位置沿着相同轴线沿着相同方向移动相应的距离d1和d2，但不致使参考位置移动，其中d1‑d2的量值为δ，并且d1和d2的量值的最大值大于10倍δ。
使用热膨胀维持对准光学连接器

[发明专利]用于光学连接器的检测装置-CN201910015892.5有效
发明人： 迈克尔·A·哈斯;郝冰 -专利权人： 3M创新有限公司
申请日： 2019-01-08 - 公布日： 2022-05-24 - 主分类号： G01N21/94 文献下载
摘要：本发明提供了一种用于光学套管的检测装置，所述检测装置包括一个或多个反射器。每个反射器具有配合表面和相对于所述配合表面以倾斜角度设置的反射镜。当所述光学套管设置在光学连接器的外壳内时，每个反射器被配置为与所述光学套管配合。当所述反射器的所述配合表面与所述光学套管的所述配合表面配合接触时，所述反射镜被定位成提供所述光学套管的配合表面的至少一部分的反射视图。
用于光学连接器检测装置

[发明专利]光学连接器和修改光学连接器的方法-CN202080062576.4在审
发明人： 迈克尔·A·哈斯;保罗·A·奇瑞 -专利权人： 3M创新有限公司
申请日： 2020-09-08 - 公布日： 2022-04-26 - 主分类号： G02B6/44 文献下载
摘要：本发明公开一种光纤带，并且该光纤带包括多根光纤，该多根光纤沿着第一轴线延伸，并且沿着正交的第二轴线以节距P布置。每根光纤包括由覆盖层包围的芯，该覆盖层由缓冲物包围，该缓冲物具有基本上等于P的标称直径D0。该缓冲物在该纤维上的缓冲物端位置和该纤维的自由端之间剥离以形成剥离区段。该缓冲物在该缓冲物端位置处变形，使得在该缓冲物端位置处，该缓冲物在该第二轴线上的宽度W小于D0。
光学连接器修改方法

[发明专利]具有温度独立机械对准的光子集成电路连接器-CN202080060643.9在审
发明人： 迈克尔·A·哈斯;尼古拉斯·A·李 -专利权人： 3M创新有限公司
申请日： 2020-08-27 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： G02B6/38 文献下载
摘要：本发明提供了一种光学组件，该光学组件包括：光学套管，该光学套管被构造成接收来自光波导的光，并且包括至少四个套管对准特征结构；以及托架，该托架将光学套管固定在其中，并且被构造成将光学套管对准到光学部件，该托架包括至少四个托架对准特征结构，该至少四个托架对准特征结构被构造成与至少四个套管对准特征结构在至少四个对应的接触区域中以一一对应的关系形成接触或接近接触，使得随着托架和光学套管中的至少一者的温度充分改变，光学套管和托架的对应的对准特征结构相对于彼此滑动，从而致使光学套管和托架的对应的对准特征结构移动以限定对应的横穿区域，使得当延伸时，至少四个套管对准特征结构和至少四个托架对准特征结构的横穿区域在相同第一点的20微米内穿过。
具有温度独立机械对准光子集成电路连接器

[发明专利]用于与LED结合使用的重发光半导体载流子器件及其制造方法-CN201080030361.0无效
发明人：特里·L·史密斯;凯瑟琳·A·莱瑟达勒;迈克尔·A·哈斯;托马斯·J·米勒;孙晓光;杨朝晖;托德·A·巴伦;埃米·S·巴尔内斯 -专利权人： 3M创新有限公司
申请日： 2010-05-03 - 公布日： 2012-11-28 - 主分类号： H01L33/50 文献下载
摘要：本发明公开了与LED结合使用的重发射半导体构造(RSC)以及有关器件、系统和方法。制造方法包括提供半导体基底、在所述基底的第一侧面上形成半导体层叠件、将载体窗口附接到所述层叠件、以及在所述附接步骤之后移除所述基底。层叠件包括有源区，所述有源区适于将第一波长λ1的光转换成第二波长λ2的可见光，所述有源区包括至少第一势阱。实施所述附接步骤，使得所述层叠件设置在所述基底和所述载体窗口之间，所述载体窗口透射所述第二波长λ2。所述载体窗口也可具有大于所述层叠件的横向尺寸。实施所述移除步骤，以便得到RSC载体器件，所述RSC载体器件包括所述载体窗口和所述层叠件。
用于 led 结合使用发光半导体载流子器件及其制造方法

[发明专利]利用铟耗尽机理在含铟衬底上生长的半导体器件-CN201080029262.0无效
发明人：托马斯·J·米勒;迈克尔·A·哈斯;孙晓光 -专利权人： 3M创新有限公司
申请日： 2010-04-30 - 公布日： 2012-11-28 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：我们已经观察到在某些半导体衬底上生长的II-VI半导体器件的反常行为，并且已经确定该反常行为可能是来自衬底的铟原子在生长过程中迁移到II-VI层中的结果。铟可因而变成生长在衬底上的一个或多个II-VI层、特别是接近生长衬底的层中的非有意的掺杂剂，并且可以不利地影响器件性能。我们描述了多种有效地使在生长层中短距离内迁移的铟耗尽、或有效地基本防止铟自衬底迁移出来、或者以另外的方式基本分离II-VI功能层与迁移的铟从而维持良好的器件性能的半导体构造和技术。
利用耗尽机理衬底生长半导体器件

[发明专利]投影和显示系统-CN201080047466.7无效
发明人：史蒂文·J·威利特;马丁·B·沃尔克;特里·L·史密斯;罗伊·A·奥尔巴克;迈克尔·A·哈斯;史蒂文·G·萨克斯;托米·W·凯利 -专利权人： 3M创新有限公司
申请日： 2010-08-30 - 公布日： 2012-07-18 - 主分类号： G03B21/20 文献下载
摘要：本发明提供了投影系统和包含该投影系统的显示器。该投影系统包括发射第一波长光的至少一个电致发光器件、将第一波长光下变频成第二波长光的至少一个半导体多层叠堆和沿着扫描方向透射光的扫描光学元件。电致发光器件可以是电致发光器件阵列的一部分，并且可以是单片的。半导体多层叠堆可以是半导体多层叠堆阵列的一部分，并且也可以是单片的。扫描光学元件可以被设置用于扫描整个半导体多层堆叠上的电致发光器件，或者其可以被设置用于在其已离开半导体多层叠堆之后扫描经下变频的光。
投影显示系统

[发明专利]具有可调节色温的白光电致发光器件-CN201080029543.6有效
发明人： 迈克尔·A·哈斯 -专利权人： 3M创新有限公司
申请日： 2010-06-25 - 公布日： 2012-05-23 - 主分类号： H05B33/08 文献下载
摘要：本发明提供了一种固态发光器件，所述固态发光器件包括发射具有第一光谱的光的第一发光元件(612)以及发射具有第二光谱的光的第二发光元件(614)。所述第一发光元件包括发射第一泵浦光的第一电致发光元件(612a)以及将所述第一泵浦光中的至少一些转换成第一重发射光分量的第一光转换元件(612b)。所述第二发光元件包括发射第二泵浦光的第二电致发光元件(614a)以及将所述第二泵浦光中的至少一些转换成第二重发射光分量的第二光转换元件(614b)。所述第一和/或第二光转换元件包括势阱。由所述第一和第二发光元件发射的光组合，从而提供器件输出，其在色温范围内接近普朗克轨迹并且呈现至少60、70或80的显色指数。
具有调节色温白光电致发光器件

[发明专利]基于电流拥挤调节颜色的电致发光装置-CN201080029540.2有效
发明人： 迈克尔·A·哈斯 -专利权人： 3M创新有限公司
申请日： 2010-06-25 - 公布日： 2012-05-23 - 主分类号： H01L33/50 文献下载
摘要：本发明公开了发光系统，所述发光系统根据施加的电信号提供系统光学输出，例如白光。所述系统光学输出可通过色温或表示所述输出的所述颜色或所述输出光谱的其它测量值来表征。所述发光系统被设计为使得所述色温根据所述所施加的电信号而改变。所述色温的改变至少部分地由所谓“电流拥挤”的现象引起。
基于电流拥挤调节颜色电致发光装置

[发明专利]无镉再发光半导体构造-CN201080029545.5无效
发明人：特里·L·史密斯;迈克尔·A·哈斯;托马斯·J·米勒;孙晓光 -专利权人： 3M创新有限公司
申请日： 2010-06-25 - 公布日： 2012-05-23 - 主分类号： H01L33/50 文献下载
摘要：本文公开了一种再发光半导体构造(RSC)，其可提供基本无镉的全色RGB或白光发射器件。一些实施例可包括：势阱，其包括将第一光子能量的光转换为更小光子能量的光的III-V半导体；以及窗口，其包括带隙能量大于所述第一光子能量的II-VI半导体。一些实施例可包括势阱，其将具有第一光子能量的光转换为具有更小光子能量的光，并且包括基本无Cd的II-VI半导体。一些实施例可包括：势阱，其包括将具有第一光子能量的光转换为具有更小光子能量的光的第一III-V半导体；以及窗口，其包括带隙能量大于所述第一光子能量的第二III-V半导体。
再发半导体构造

[发明专利]具有增大的提取效率的再发光半导体构造-CN201080030323.5无效
发明人：杨朝晖;易亚沙;凯瑟琳·A·莱瑟达勒;迈克尔·A·哈斯;特里·L·史密斯 -专利权人： 3M创新有限公司
申请日： 2010-04-30 - 公布日： 2012-05-16 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：本发明整体涉及固态半导体光源以及相关的器件、系统、和方法。半导体层叠堆(310)形成再发光半导体构造(RSC)。叠堆(310)包括将第一波长的光转换成第二波长的光的有源区(316)，有源区(316)包括至少一个势阱。叠堆(310)还包括从叠堆的外表面延伸到有源区的无源区(318)。凹陷(326)形成于叠堆(310)中，且凹陷(326)从外表面延伸到无源区(318)内。平均凹陷深度为无源区的厚度的至少50％。作为另外一种选择，平均凹陷深度为最近势阱距离的至少50％。本发明还公开了凹陷(326)的其他可供选择的特征。凹陷(326)可在平面图中具有至少40％的堆积密度。凹陷(326)的投影表面积的相当大一部分还可与倾斜表面相关。
具有增大提取效率再发半导体构造

[发明专利]具有再发光半导体构造和会聚光学元件的LED装置-CN201110401505.5无效
发明人： 迈克尔·A·哈斯 -专利权人： 3M创新有限公司
申请日： 2007-06-11 - 公布日： 2012-04-04 - 主分类号： H01L33/58 文献下载
摘要：本发明提供一种包括具有发射表面的LED部件的光源，所述光源可以包括：i)能够以第一波长发射光的LED；和ii)再发光半导体构造，所述再发光半导体构造具有不位于pn结内的第二势阱，并具有发射表面；或所述再发光半导体构造可以交替具有位于pn结内的第一势阱和不位于pn结内的第二势阱；以及所述再发光半导体构造另外具有会聚光学元件。
具有再发半导体构造会聚光学元件 led 装置

[发明专利]卷到卷数字光刻法-CN200980155696.2有效
发明人： 迈克尔·A·哈斯;杰弗里·H·托奇;丹尼尔·J·泰斯;布赖恩·K·纳尔逊 -专利权人： 3M创新有限公司
申请日： 2009-12-17 - 公布日： 2011-12-28 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：制造柔性电路膜的方法包括提供一种柔性基材，其具有多个对准标记和感光材料。所述基材绕过合适的转轮、带或其它非弹性输送器，使得所述基材和所述输送器至少从第一位置一起移动到第二位置。当所述基材的第一部分在所述第一位置时，测量在所述基材的第一部分上的第一组所述对准标记的位置；并且测量位置能够用于计算基材的形变。当所述基材的第一部分移动到所述第二位置时，然后按图案曝光在所述基材的第一部分上的感光材料。所述按图案曝光基于第一组对准标记的测量位置，并可包括用形变修正图案来曝光幅材。还公开了相关的系统和制品。
卷到卷数字光刻

[发明专利]阳极化薄膜结构的电连接-CN200980155675.0有效
发明人：史蒂文·D·泰斯;迈克尔·A·哈斯 -专利权人： 3M创新有限公司
申请日： 2009-12-03 - 公布日： 2011-12-28 - 主分类号： H01B5/14 文献下载
摘要：本发明描述了一种形成电连接第一薄膜金属化层与第二薄膜金属化层的电路通路的方法。通路的形成涉及在阳极化处理第一金属化层之前，使用布置在通路连接区域中的阳极化阻挡层和/或补充垫。用来形成所述阻挡层的材料在阳极化过程中基本上不能渗透阳极化溶液，并干扰在所述导电层与所述阻挡层之间形成氧化物。补充垫不可阳极化，并被所述阻挡层覆盖，以基本上防止电流在阳极化过程经过所述垫。阳极化处理之后移除所述阻挡层。如果所述补充垫充分导电，则其能够在移除所述阻挡层之后留在所述第一金属化层上。将所述第二金属化层布置在所述阳极化层之上，使所述第二金属化层在所述通路连接区域与所述第一导电层电接触。
阳极薄膜结构连接

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