[发明专利]曲面结构的硅漂移探测器无效

申请号：	201010523325.X	申请日：	2010-10-22
公开（公告）号：	CN102097521A	公开（公告）日：	2011-06-15
发明（设计）人：	蔡璐;于民;羊晋;王金延;金玉丰	申请（专利权）人：	北京大学
主分类号：	H01L31/115	分类号：	H01L31/115;G01T1/24;H01L31/0224;H01L31/18
代理公司：	北京君尚知识产权代理事务所(普通合伙) 11200	代理人：	邵可声
地址：	100871 北***	国省代码：	北京;11
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摘要：	本发明公开了一种曲面结构的硅漂移探测器。本发明的硅漂移探测器包括N型硅片，位于所述N型硅片的入射面的P型漂移电极，施加于所述入射面的反向偏置电压，和位于所述N型硅片的背面的阳极，其特征在于，所述硅漂移探测器还包括位于所述N型硅片的背面的P型曲面漂移电极，所述曲面从距离所述阳极设定的距离处向外围凹陷。本发明还公开了一种硅漂移探测器的制造方法，在该方法中，所需的曲面通过用腐蚀剂腐蚀基底表面而得到。本发明可用于X射线光谱分析，还可用于空间探测等技术领域。
搜索关键词：	曲面结构漂移探测器
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【主权项】：

一种硅漂移探测器，其包括N型硅片，位于所述N型硅片的入射面的P型漂移电极，施加于所述入射面的反向偏置电压，和位于所述N型硅片的背面的阳极，其特征在于，所述硅漂移探测器还包括位于所述N型硅片的背面的P型曲面漂移电极，所述曲面从距离所述阳极设定的距离处向外围凹陷。

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摘要：本发明公开一种电磁诱导势阱半导体禁带下室温光电导探测器件，该器件由半导体衬底上依次生长半导体外延层，钝化保护层和正负电极金属层构成。该器件基于电磁诱导势阱、远禁带下室温光电导机制，选用适宜参数(载流子浓度，迁移率等)的半导体材料，通过理论分析，设计合理的器件尺寸，通过前放电路对光电信号进行放大读出，实现高速光信号到电信号转换及探测。具有可室温工作，远小于半导体禁带下产生较强光电导，灵敏度高，响应迅速，结构简单紧凑以及可大规模集成等优点。

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申请日： 2017-03-02 - 公布日： 2018-12-18 - 主分类号： H01L31/115
摘要：本申请公开了一种射线探测基板及其制造方法、射线探测装置，属于显示技术领域。所述射线探测基板包括：衬底基板，衬底基板上设置有光电二极管，光电二极管包括两个掺杂层和本征层，本征层位于两个掺杂层之间，两个掺杂层的排布方向平行于衬底基板。本申请解决了X射线探测装置的性能较差的问题，提高了X射线探测装置的性能，本申请用于射线探测装置。

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摘要：本发明属于半导体器件制备技术领域，涉及一种基于氧化镓单晶材料的辐射探测器及其制备方法。该辐射探测器以高阻氧化镓单晶为基体，其上下表面和侧面为SiO₂保护层；在氧化镓单晶的SiO₂保护层下表面形成的掩膜图形中依次为锡原子扩散形成的锡掺杂氧化镓层、钛层和金层；在氧化镓单晶的SiO₂保护层上表面形成的掩膜图形中依次为镍层、钛层和金层，各层与上表面存留的SiO₂保护层存在重叠区域。本发明提出了一种有效而简便的工艺制造技术，解决了高性能氧化镓辐射探测器的制备难题，实现新型氧化镓基辐射探测器的研制。

无载流子注入的新型CZT辐射探测器结构及制备方法-201810551444.2
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摘要：本发明揭示了一种无载流子注入的新型CZT辐射探测器结构及制备方法，采用功函数大于CZT晶体的材料在CZT晶体一侧制备阴电极，并采用功函数小于CZT晶体的材料在CZT晶体另一侧制备阳电极。本发明采用了特殊的电极材料，使得探测器两边都能实现肖特基接触，不但可以有效地抑制两边电极载流子的注入，减小漏电流，抑制探测器的噪音，同时也可有效地收集辐射产生的光生载流子，提高收集效率，有效利用辐射剂量，提高了探测器的灵敏度及能量分辨率，大大提高探测器的性能，再者还弥补了CZT晶体材料性能的不足，提高晶体材料的利用率，提高探测器的合格率，降低成本。

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摘要：本发明涉及一种辐射转换器材料(1)，包括用于将射线量子(2)直接转换为电荷载流子(3)的半导体材料(4)，其包含具有预先给定的掺杂物质浓度的掺杂物质(5)以及由于处理而产生的空穴(6)，使该半导体材料(4)具有5·107Ω·cm至2·109Ω·cm范围内的欧姆电阻率。这样的辐射转换器材料(1)能够很好地满足尤其是在人类医学应用中关于射线量子(2)的呈现的高流速和光谱分布的要求。此外本发明还涉及一种辐射转换器(7)和一种辐射检测器(8)，以及这样的辐射转换器材料(1)的应用和制造方法。

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摘要：本发明提供一种大面积水平耗尽型中子探测器及其制备方法。该中子探测器包括：基底；吸收层，位于基底上，吸收层由CuInSe2形成；CdS层，位于吸收层上并且与吸收层形成异质结，CdS层包括暴露吸收层的至少一部分的第一接触孔；ZnO层，位于CdS层上，并且包括与第一接触孔对应且暴露CdS层的至少一部分的第二接触孔；第一电极，与ZnO层接触；第二电极，通过第一接触孔和第二接触孔与吸收层接触，并且与第一电极隔开预定距离。本发明采用诸如CuInSe2/CdS半导体异质结层替代SiC来制备耐辐照的半导体中子探测器，一方面可以降低成本，另一方面可以克服大面积面阵型探测器制作上的难题。

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摘要：本发明提供一种光电二极管、X射线探测器及其制备方法，属于半导体制造技术领域，其可解决现有的直接转化型X射线平板探测器的暗电流大，开关比低，器件电信号噪声大的问题。本发明的光电二极管包括多个结构层，其中在第二结构层与第四结构层分别掺杂不同的掺杂剂，其作用是提高光电二极管的转化效率，降低光电二极管暗电流，提高其开关比，实现对光电二极管性能的有效控制。本发明的光电二极管适用于各种X射线探测器。

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摘要：本发明的目的是有效改善直接转换探测器的图像滞后现象。本发明提供了一种X射线探测器，包括下电极，其形成在衬底上，被施加第一驱动电压V1；辅助电极，在所述下电极的周围，被施加第三驱动电压V3；光导层，其形成在所述下电极和所述辅助电极上；以及上电极，其形成在所述光导层上，被施加第二驱动电压V2，其中，正好在X射线发射关闭后，所述第三驱动电压V3是反向偏置电压。

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摘要：本专利公开一种电磁诱导势阱半导体禁带下室温光电导探测器件，该器件由半导体衬底上依次生长半导体外延层，钝化保护层和正负电极金属层构成。该器件基于电磁诱导势阱、远禁带下室温光电导机制，选用适宜参数(载流子浓度，迁移率等)的半导体材料，通过理论分析，设计合理的器件尺寸，通过前放电路对光电信号进行放大读出，实现高速光信号到电信号转换及探测。具有可室温工作，远小于半导体禁带下产生较强光电导，灵敏度高，响应迅速，结构简单紧凑以及可大规模集成等优点。

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摘要：本发明涉及用于检测X射线辐射的直接转换式X射线辐射检测器(C3、C5)，其至少具有用于检测X射线辐射的半导体(1)和至少一个安装在半导体(1)上的电极(2)，其中半导体(1)和至少一个电极(2)导电连接，其中至少一个电极(2)形成为透明并导电。此外，本发明涉及至少具有根据本发明的直接转换式X射线辐射检测器的CT系统(1)。

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泄露电流收集结构及具有该结构的辐射检测器-201310222544.8
发明人： P·科斯塔莫 -专利权人：牛津仪器分析公司
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一种X射线感测器及其制作方法-201610658016.0
发明人：陈德铭;赖颖辉;黄胜国;王腾岳;李仁智 -专利权人：友达光电（昆山）有限公司;友达光电股份有限公司
申请日： 2016-08-12 - 公布日： 2017-01-04 - 主分类号： H01L31/115
摘要：本发明关于一种X射线感测器及其制作方法。X射线感测器包括感测基板及铅玻璃基板。感测基板上设置有复数个感测单元。铅玻璃基板具有相对的第一面与第二面，第一面固定于感测基板上，第二面上具有与复数个感测单元一一对应的复数个凹槽，铅玻璃基板还包括：第一反射层，该第一反射层设置于复数个凹槽的侧壁；闪烁体荧光粉，该闪烁体荧光粉填充于该复数个凹槽中；以及第二反射层，该第二反射层设置于该第二面上。本发明的X射线感测器通过在闪烁体荧光粉与复数个感测单元之间增加铅玻璃的方式，可有效地阻隔X射线对于复数个感测单元的损伤；并且由于铅玻璃具有较高的穿透率及高折射率，还可有效地减少因光散射导致的光学干扰。

应用六方形螺旋环分压器的硅漂移室探测器-201620338738.3
发明人：李正;李玉云 -专利权人：湘潭大学
申请日： 2016-04-20 - 公布日： 2016-08-31 - 主分类号： H01L31/115
摘要：本实用新型公开了一种应用六方形螺旋环分压器的硅漂移室探测器，属于X射线和伽马射线半导体探测器技术领域，包括在硅基上制作的六方形螺旋环分压器和六方形硅漂移室，螺旋环分压器的硅基块的上表面和下表面均蚀刻有螺旋环，硅漂移室的硅基块的上表面和下表面均蚀刻有同心环，螺旋环之间及同心环之间的间距较宽的是P型重掺杂区域，螺旋环之间及同心环之间的间距较窄的是N型轻掺杂区域；P型重掺杂螺旋环或同心环的宽度能做渐进变宽调节，P型重掺杂同心环宽度与P型重掺杂同心环宽度和N型轻掺杂区域宽度之和的比率η≥0.7。解决了现有探测器自身产热高、不易散热、耗能大、成本高的问题。

夹层式电子元件的制造方法、电子元件及探测器元件-201310757486.9
发明人： M·拉巴延德英扎;M·西克;J·雷格 -专利权人：西门子公司
申请日： 2013-11-29 - 公布日： 2014-06-18 - 主分类号： H01L31/115
摘要：本发明涉及一种用于由至少两个功能层(3，4)制造电子元件(1)的方法，其中一个功能层(4)具有向另一功能层敞开的沟道(9)，这些沟道从功能层的边缘向内延伸，并且其中在至少一个沟道内存在粘合剂(7.1)，该粘结剂接触相邻的功能层，并通过引入UV射线(10)使其经过沟道(9)来硬化粘结剂。本发明还涉及一种电子元件(1)，具有至少两个夹层式相互粘接的相邻功能层，其中至少一个功能层(3，4)具有沟道(9)，这些沟道从功能层的至少一个边缘向内延伸并且在这些沟道内布置通过UV射线而硬化的粘结剂(7.1)。本发明还包括一种具有这种电子元件(1)的辐射探测器的探测器元件，以及一种具有这种探测器元件的辐射探测器。

一种基于基片键合的ΔE-E核辐射探测器及其制备方法-201210219111.2
发明人：于民;朱智源;王陪权;董显山;刘晨晨;胡安琪;金玉丰 -专利权人：北京大学
申请日： 2012-06-26 - 公布日： 2014-01-15 - 主分类号： H01L31/115
摘要：本发明公开了一种基于基片键合的ΔE-E核辐射探测器及其制备方法，属于半导体核辐射探测器技术领域。本发明的ΔE-E核辐射探测器包括薄型PIN探测器，厚型PIN探测器以及两者之间的金属键合层；所述薄型PIN探测器是在键合基片上形成的；所述薄型PIN探测器键合基片由器件层硅片、支撑层硅片以及两层硅片之间的二氧化硅层组成，支撑层硅片上通过TMAH腐蚀开窗口形成空腔结构，所述空腔为八边形结构，呈倒扣桶状，且空腔侧壁与底面的夹角为54.74°。本发明还公开了所述基于基片键合的ΔE-E核辐射探测器的制造方法。本发明可用于空间探测，核物理，医学检测，和环境检测等多个领域。

专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的

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[发明专利]曲面结构的硅漂移探测器无效

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